silyl trifluoromethanesulfonate | 77066-67-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: silyl trifluoromethanesulfonate
• 英文别名: trifluoromethanesulfonic acid silyl ester；Trifluoromethanesulfonic acid silyl ester
• CAS: 77066-67-2
• 化学式: CH₃F₃O₃SSi
• 分子量: 180.18
• InChiKey: BABPEPRNSRIYFA-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  115.5±50.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.87
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  51.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  水 、 silyl trifluoromethanesulfonate 以 水 为溶剂， 以90%的产率得到二硅氧烷
  参考文献：
  名称：

  类醚的硅锗氢化物，用于合成纳米结构的半导体和电介质。

  摘要：

  甲硅烷基萌芽基三氟甲磺酸酯的水解反应用于生产包括H（3）SiOSiH（3）和以前未知的O（SiH（2）GeH（3））（2）的醚状Si-Ge氢化物。通过实验和量子化学模拟方法研究了后者的结构，能量和振动特性。结合拉曼光谱，红外光谱和理论分析表明，该化合物由线性和gauche异构体的均等混合物组成，类似于类似丁烷的H（3）GeSiH（2）SiH（2）GeH（3）且扭转力极小约0.2 kcal mol（-1）的势垒。热化学模拟也证实了这一点，热化学模拟表明异构体之间的能量差小于1 kcal mol（-1）。O（SiH（2）GeH（3））（2）在Si（100）上在500摄氏度下的原理证明沉积产生了接近化学计量的Si（2）Ge（2）O材料，紧密反映了硅的组成。分子核心。通过RBS，XTEM，拉曼和红外椭圆光度法对薄膜进行了完整的表征，揭示了嵌入Si-Ge-O低氧化物非晶基质中的Si（0.30）Ge（0

  DOI：

  10.1039/b908280h
• 作为产物：
  描述：

  三氟甲磺酸 在 苯硅烷 作用下， 反应 0.17h， 生成 silyl trifluoromethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  N-杂环卡宾与 H2SiX2 (X = Cl, OTf) 和 H3SiOTf (OTf = OSO2CF3) 的配位：合成具有四配位和五配位硅原子的供体稳定的母硅盐

  摘要：

  N-杂环卡宾 (NHC) 1,3-双 (2,6-二异丙基苯基) 咪唑-2-亚基对二氯硅烷 H2SiCl2、双 (三氟甲磺酸根) 硅烷 H2Si (OTf) 2 (OTf = OSO2CF3) 和甲硅烷基的反应性已经研究了三氟甲磺酸盐 H3SiOTf。结果表明，NHC配体的配位可以逐步形成三种中性化合物（NHC）SiH2Cl2（1）、（NHC）2SiH2Cl2（2）、（NHC）SiH2（OTf）2（3），以及两个离子对 [(NHC) SiH3] + (OTf-) (4) 和 [(NHC) 2SiH3] + (OTf-) (5)；后者代表母体甲硅烷基阳离子 (H3Si +) 的第一个 NHC 加合物。产物的多核核磁共振和红外光谱数据反映了四、五、六配位硅烷配合物的特性。

  DOI：

  10.5560/znb.2013-3057
• 作为试剂：
  描述：

  二异丙胺 在 silyl trifluoromethanesulfonate 、 三乙胺 作用下， 以 正戊烷 为溶剂， 生成 diisopropylaminosilane
  参考文献：
  名称：

  Precursors for CVD Silicon Carbo-nitride Films

  摘要：

  已发现液态氨基硅烷类别，可用于生产含硅薄膜。与以往使用的某些前体相比，这些氨基硅烷在室温和压力下是液态的，便于处理。此外，本发明涉及一种生产这种薄膜的方法。这些化合物类别通常由以下公式代表：和它们的混合物，其中公式中的R和R1代表通常含有2至约10个碳原子的脂肪基，例如，烷基，环烷基，公式A中的R和R1也可以组合成一个环状基团，R2代表单键，（CH2）n，一个环，或SiH2。

  公开号：

  US20090069588A1

文献信息

• Synthesis and Fundamental Studies of (H₃Ge)<i>_x</i>SiH₄_-<i>_x</i> Molecules:  Precursors to Semiconductor Hetero- and Nanostructures on Si
  作者：Cole J. Ritter、Changwu Hu、Andrew V. G. Chizmeshya、John Tolle、Douglas Klewer、Ignatius S. T. Tsong、John Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja051411o

  日期：2005.7.13

  epitaxial layers and coherent islands (quantum dots), with Ge-rich stoichiometries SiGe, SiGe(2), SiGe(3), and SiGe(4) reflecting the Si/Ge content of the corresponding precursor. The layers grow directly on Si(100) at unprecedented low temperatures of 300-450 degrees C and display homogeneous compositional and strain profiles, low threading defect densities, and atomically planar surfaces circumventing entirely

  已证明分子 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) (x = 1-4) 的整个 silyl-germyl 序列的合成。这些包括以前未知的 (H(3)Ge)(2)SiH(2)、(H(3)Ge)(3)SiH 和 (H(3)Ge)(4)Si 物种以及 H (3) GeSiH(3) 类似物，它以实际高纯度产率获得，作为半导体应用中乙硅烷和二锗烷的可行替代品。这些分子的特征在于 FTIR、多核 NMR、质谱和卢瑟福背向散射。使用密度泛函理论研究结构、热化学和振动特性。实验和理论数据的详细比较用于证实特定分子结构的合成。此处描述的 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) 化合物家族不仅具有内在的分子意义，而且还提供了一种独特的途径，用于开发一类新的硅基半导体，包括外延层和相干岛（量子点），富含 Ge 的化学计量比 SiGe、SiGe(2)、SiGe(3) 和 SiGe(4) 反映了相应前驱体的
• Silylenes of the Elemental Composition C2H4Si2: Generation and Matrix-Spectroscopic Identification
  作者：Günther Maier、Hans Peter Reisenauer、Andreas Meudt

  DOI：10.1002/(sici)1099-0690(199807)1998:7<1291::aid-ejoc1291>3.0.co;2-m

  日期：1998.7

  (1), which was identified by comparison of experimental and calculated (BLYP-6-31G*) IR spectra for both, unlabeled 1 and its perdeuterated isotopomer. Upon irradiation of matrix-isolated silylsilacyclopropenylidene (1) a second C2H4Si2 isomer, namely (silylethynyl)silylene (4) was formed. However, no evidence could be found for the formation of disilatetrahedrane or 1,2- or 1,3-disilacyclobutadiene

  脉冲闪热解在组合具有三个前体分子（的基质隔离10，11，12导致形成silylsilacyclopropenylidene的（）1），其被鉴定通过实验的比较和计算的（BLYP-6-31G *）IR光谱两者，未标记的1及其全氘化的同位素。在基质分离的甲硅烷基硅烷基环丙烯基（1）的照射下，形成第二种C 2 H 4 Si 2异构体，即（甲硅烷基乙炔基）亚甲硅烷基（4）。然而，没有发现形成二硅四面体或1，2-或1，3-二硅环丁二烯的证据。
• Human RNase H1 and oligonucleotide compositions thereof
  申请人：ISIS Pharmaceuticals, Inc.

  公开号：US20040102618A1

  公开（公告）日：2004-05-27

  The present invention provides oligonucleotides that can serve as substrates for human Type 2 RNase H. The present invention is also directed to methods of using these oligonucleotides in enhancing antisense oligonucleotide therapies.

  本发明提供了可以作为人类2型RNA酶H底物的寡核苷酸。本发明还涉及使用这些寡核苷酸增强反义寡核苷酸治疗的方法。
• Oligonucleotides having A-DNA form and B-DNA form conformational geometry
  申请人：ISIS Pharmaceuticals, Inc.

  公开号：US20030105311A1

  公开（公告）日：2003-06-05

  Modified oligonucleotides containing both A-form conformation geometry and B-from conformation geometry nucleotides are disclosed. The B-form geometry allows the oligonucleotide to serve as substrates for RNase H when bound to a target nucleic acid strand. The A-form geometry imparts properties to the oligonucleotide that modulate binding affinity and nuclease resistance. By utilizing C2′ endo sugars or O4′ endo sugars, the B-form characteristics are imparted to a portion of the oligonucleotide. The A-form characteristics are imparted via use of either 2′-O-modified nucleotides that have 3′ endo geometries or use of end caps having particular nuclease stability or by use of both of these in conjunction with each other.

  本发明揭示了含有A型构象几何和B型构象几何核苷酸的修饰寡核苷酸。B型几何使得寡核苷酸在与靶核酸链结合时可以作为RNase H的底物。A型几何赋予寡核苷酸特定的性质，以调节结合亲和力和核酸酶抗性。通过利用C2'内糖或O4'内糖，在寡核苷酸的一部分中赋予B型特征。通过使用具有3'内端几何结构的2'-O修饰核苷酸或具有特定核酸酶稳定性的末端帽子，或同时使用这两种方法，赋予A型特征。
• Human Rnase H1 and oligonucleotide compositions thereof
  申请人：Isis Pharmaceuticals, Inc.

  公开号：US06617442B1

  公开（公告）日：2003-09-09

  The present invention provides oligonucleotides that can serve as substrates for human Type 2 RNase H. The present invention is also directed to methods of using these oligonucleotides in enhancing antisense oligonucleotide therapies.

  本发明提供了可作为人类2型RNase H底物的寡核苷酸。本发明还涉及使用这些寡核苷酸增强反义寡核苷酸治疗的方法。