由亚芳基亚
乙烯基和二
噻吩-
噻二唑并苯并三唑(SN)单元组成的高迁移率半导体聚合物是通过三种强大的设计策略开发的,即骨架工程,杂原子取代和侧链工程。首先,从四
噻吩-SN共聚物开始,将亚
乙烯基间隔基插入四
噻吩单元中,以构建高度平面的骨架。其次,将杂原子(O和N原子)结合到亚
硫撑亚
乙烯基部分中,以调节电子性能和分子间相互作用。第三,优化烷基侧链以调节溶解度和自组装性能。结果,获得了显着的薄膜晶体管性能。3.22 cm 2 V -1 s的极高空穴迁移率p型聚合物PSNVT-DTC8达到-1,这是基于苯并双
噻二唑及其类似物的聚合物的最高报道值。此外,杂原子取代有效地改变了聚合物的电荷极性,就像N原子取代的PSNVT z-DTC16表现出n型主要双极性性质,电子迁移率为0.16 cm 2 V -1 s -1一样。使用掠入射广角X射线散射和原子力显微镜的进一步研究表明,具有强π-π相互作用和合适的聚合物堆积方向的聚合物薄膜具有很高的结晶度。