1,1,1,12,12,12-hexachloro-5,8-dioxa-1,12-disiladodecane | 31678-93-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1,1,1,12,12,12-hexachloro-5,8-dioxa-1,12-disiladodecane
• 英文别名: 1-Trichlorosilanyl-3-[2-(3-trichlorosilanyl-propoxy)-ethoxy]-propane；trichloro-[3-[2-(3-trichlorosilylpropoxy)ethoxy]propyl]silane
• CAS: 31678-93-0
• 化学式: C₈H₁₆Cl₆O₂Si₂
• 分子量: 413.103
• InChiKey: FWILESKXUWTJRK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.11
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,1,1,12,12,12-hexachloro-5,8-dioxa-1,12-disiladodecane 、 乙酸酐 反应 5.0h， 以99.6%的产率得到[Diacetyloxy-[3-[2-(3-triacetyloxysilylpropoxy)ethoxy]propyl]silyl] acetate
  参考文献：
  名称：

  可印刷的交联聚合物混合电介质。设计策略、合成、微观结构和电气特性，以有机场效应晶体管作为试验台

  摘要：

  我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度（从 10 到大约 500 nm）的 CPB 薄膜，通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚（4-乙烯基）苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度（大约 110 摄氏度），并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上，例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能（泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm）和可调电容值（从

  DOI：

  10.1021/ja801047g
• 作为产物：
  描述：

  1,2-二(烯丙氧基)乙烷 在 dihydrogen hexachloroplatinate 、 三氯硅烷 作用下， 反应 4.0h， 以70%的产率得到1,1,1,12,12,12-hexachloro-5,8-dioxa-1,12-disiladodecane
  参考文献：
  名称：

  可印刷的交联聚合物混合电介质。设计策略、合成、微观结构和电气特性，以有机场效应晶体管作为试验台

  摘要：

  我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度（从 10 到大约 500 nm）的 CPB 薄膜，通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚（4-乙烯基）苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度（大约 110 摄氏度），并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上，例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能（泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm）和可调电容值（从

  DOI：

  10.1021/ja801047g

文献信息

• Crosslinked polymeric dielectric materials and methods of manufacturing and use thereof
  申请人：Marks Tobin J.

  公开号：US20080161464A1

  公开（公告）日：2008-07-03

  Solution-processable dielectric materials are provided, along with precursor compositions and processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the dielectric materials also are provided.

  提供可溶解处理的介电材料，以及制备这些材料的前体组成物和过程。还提供包括介电材料的复合材料和电子器件。
• Crosslinked polymeric dielectric materials and electronic devices incorporating same
  申请人：Northwestern University

  公开号：US08274075B2

  公开（公告）日：2012-09-25

  Solution-processable dielectric materials are provided, along with precursor compositions and processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the dielectric materials also are provided.

  提供可溶解的介电材料、前体组成物和制备它们的过程。还提供包括介电材料的复合材料和电子器件。
• Crosslinked Polymeric Dielectric Materials And Electronic Devices Incorporating Same
  申请人：Marks Tobin J.

  公开号：US20110024729A1

  公开（公告）日：2011-02-03

  Solution-processable dielectric materials are provided, along with precursor compositions and processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the dielectric materials also are provided.

  提供可溶解的介电材料，以及用于制备该材料的前体组合物和过程。还提供包括该介电材料的复合材料和电子器件。
• Printable Cross-Linked Polymer Blend Dielectrics. Design Strategies, Synthesis, Microstructures, and Electrical Properties, with Organic Field-Effect Transistors as Testbeds
  作者：Choongik Kim、Zhiming Wang、Hyuk-Jin Choi、Young-Geun Ha、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ja801047g

  日期：2008.5.1

  We report here the synthesis and dielectric properties of optimized, cross-linked polymer blend (CPB) dielectrics for application in organic field-effect transistors (OFETs). Novel silane cross-linking reagents enable the synthesis of CPB films having excellent quality and tunable thickness (from 10 to approximately 500 nm), fabricated both by spin-coating and gravure-printing. Silane reagents of the

  我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度（从 10 到大约 500 nm）的 CPB 薄膜，通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚（4-乙烯基）苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度（大约 110 摄氏度），并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上，例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能（泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm）和可调电容值（从