9-(4-(diethoxy(methyl)silyl)phenyl)-9-carbazole | 1451009-58-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吲哚及其衍生物
• 英文名称: 9-(4-(diethoxy(methyl)silyl)phenyl)-9-carbazole
• 英文别名: (4-Carbazol-9-ylphenyl)-diethoxy-methylsilane；(4-carbazol-9-ylphenyl)-diethoxy-methylsilane
• CAS: 1451009-58-7
• 化学式: C₂₃H₂₅NO₂Si
• 分子量: 375.543
• InChiKey: SPFCNDPFGOWVIV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.14
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.22
• 拓扑面积：
  23.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  9-(4-(diethoxy(methyl)silyl)phenyl)-9-carbazole 在 盐酸 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 24.0h， 以46.2%的产率得到(4-(9-carbazol-9-yl)phenyl)(methyl)silanediol
  参考文献：
  名称：

  Carbazole-based polysiloxane hosts for highly efficient solution-processed blue electrophosphorescent devices

  摘要：

  我们合成了含有咔唑分子并通过苯基桥与聚硅氧烷骨架相连的高效主材料，并对其进行了表征。它们具有良好的成膜能力、较高的热分解温度和合适的玻璃化转变温度，从而形成稳定的非晶态。此外，硅氧连接破坏了它们的共轭作用，并产生了足够高的三重能级（3.0 eV）。以双(4,6-二氟苯基)吡啶-N,C2吡啶甲酸铱（FIrpic）为宿主的器件显示出良好的整体性能和较低的效率衰减。使用 PCzMSi 作为宿主的器件性能最佳，在实际亮度为 1165 cd m-2 时，最大电流效率为 22.8 cd A-1，最大功率效率为 9.4 lm W-1，最大外部量子效率为 11.9%。即使亮度达到 5000 cd m-2 水平，外部量子效率 (EQE) 仍高达 10%，这表明器件效率在高电流密度下会缓缓下降。此外，通过纳米压痕技术，主 PCzMSi 薄膜通常能显示出良好的机械性能，以满足实际应用的需要。这些结果表明，设计基于聚硅氧烷的宿主材料是实现高性能溶液加工蓝色磷光聚合物发光二极管（PhPLED）的一种可行方法。

  DOI：

  10.1039/c3tc31108b
• 作为产物：
  描述：

  chloro(diethoxy)(methyl)silane 、 9-(4-溴苯基)咔唑 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 0.75h， 以33.9%的产率得到9-(4-(diethoxy(methyl)silyl)phenyl)-9-carbazole
  参考文献：
  名称：

  Carbazole-based polysiloxane hosts for highly efficient solution-processed blue electrophosphorescent devices

  摘要：

  我们合成了含有咔唑分子并通过苯基桥与聚硅氧烷骨架相连的高效主材料，并对其进行了表征。它们具有良好的成膜能力、较高的热分解温度和合适的玻璃化转变温度，从而形成稳定的非晶态。此外，硅氧连接破坏了它们的共轭作用，并产生了足够高的三重能级（3.0 eV）。以双(4,6-二氟苯基)吡啶-N,C2吡啶甲酸铱（FIrpic）为宿主的器件显示出良好的整体性能和较低的效率衰减。使用 PCzMSi 作为宿主的器件性能最佳，在实际亮度为 1165 cd m-2 时，最大电流效率为 22.8 cd A-1，最大功率效率为 9.4 lm W-1，最大外部量子效率为 11.9%。即使亮度达到 5000 cd m-2 水平，外部量子效率 (EQE) 仍高达 10%，这表明器件效率在高电流密度下会缓缓下降。此外，通过纳米压痕技术，主 PCzMSi 薄膜通常能显示出良好的机械性能，以满足实际应用的需要。这些结果表明，设计基于聚硅氧烷的宿主材料是实现高性能溶液加工蓝色磷光聚合物发光二极管（PhPLED）的一种可行方法。

  DOI：

  10.1039/c3tc31108b

文献信息

• Synthesis and Charge-Transporting Properties of Dibenzothiphene Dioxide-Based Polysiloxanes
  作者：Yuchao Liu、Junteng Liu、Shouke Yan、Zhongjie Ren

  DOI：10.1002/asia.201801099

  日期：2018.11.2

  an electron mobility of 1.02×10−4 cm2 V−1 s−1 and a relatively balanced hole mobility of 8.76×10−5 cm2 V−1 s−1. In contrast, PCzSi‐alt‐PDBTSi exhibits an electron mobility of 4.65×10−5 cm2 V−1 s−1 and a hole mobility of 1.17×10−4 cm2 V−1 s−1. Therefore, our results here provide a feasible strategy to obtain solution‐processed polysiloxane materials with high and balanced electron‐ and hole‐transporting

  我们设计并合成了一个基于二氧化二苯并噻吩homopolysiloxane，PDBTSi，和咔唑-二苯并噻吩二氧化物交替copolysiloxane，PCzSi- ALT -PDBTSi，分别。既PDBTSi和PCzSi- ALT -PDBTSi具有改善的溶解性，良好的成膜能力和非常高的热稳定性，因为引入聚硅氧烷主链。同时，PDBTSi和PCzSi- ALT -PDBTSi表现分别2.95 eV和3.05 eV的，高三重态能量水平。此外，PDBTSi具有良好的电子传输性能，电子迁移率为1.02×10 -4  cm 2  V -1  s -1和相对平衡的空穴迁移率为8.76×10 -5 cm 2  V -1  s -1。与此相反，PCzSi- ALT -PDBTSi表现出4.65×10的电子迁移率-5 厘米2  V -1 小号-1和1.17×10的空穴迁移率-4 厘米2  V -1 小号-1。