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2,5-dibromo-3,6-didodecylthieno[3,2-b]thiophene | 845778-75-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
2,5-dibromo-3,6-didodecylthieno[3,2-b]thiophene
英文别名
——
2,5-dibromo-3,6-didodecylthieno[3,2-b]thiophene化学式
CAS
845778-75-8
化学式
C30H50Br2S2
mdl
——
分子量
634.667
InChiKey
AUMCWMZJKNRAAI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    17.2
  • 重原子数:
    34
  • 可旋转键数:
    22
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.8
  • 拓扑面积:
    56.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    3,6-didodecylthieno[3,2-b]thiophene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 17.33h, 生成 2,5-dibromo-3,6-didodecylthieno[3,2-b]thiophene
    参考文献:
    名称:
    [EN] MONO-, OLIGO- AND POLYTHIENO[3,2-b]THIOPHENES
    [FR] MONO-, OLIGO- AND POLYTHIENO[3,2-B]THIOPHENES
    摘要:
    本发明涉及新型单体、寡聚物和聚噻吩[3,2-b]噻吩,以及它们作为半导体或电荷传输材料的用途,用于光学、电光或电子器件,例如液晶显示器、光学薄膜、有机场效应晶体管(FET或OFET)用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件,例如RFID标签,平板显示器中的电致发光器件以及光伏和传感器器件,并且涉及包含新型聚合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。
    公开号:
    WO2005111045A1
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文献信息

  • Mono-, oligo-and polythieno[2,3-b]thiophenes
    申请人:Heeney Martin
    公开号:US20050090640A1
    公开(公告)日:2005-04-28
    The invention relates to novel mono-, oligo and poly[2,3-b]-thienothiophenes, their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to a field effect transistor, light emitting device or ID tag comprising the novel polymers.
    本发明涉及新型单体、寡聚体和聚[2,3-b]-噻吩噻吩,它们可用作半导体或电荷传输材料,在光学、电光或电子器件中使用,例如液晶显示器、光学薄膜、用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件(如RFID标签)、平板显示器中的电致发光器件,以及光伏和传感器器件。本发明还涉及一种场效应晶体管、发光器件或ID标签,其中包含新型聚合物。
  • Mono-, Oligo- and Polythieno [3,2-B]Thiophenes
    申请人:Heeney Martin
    公开号:US20070232812A1
    公开(公告)日:2007-10-04
    The invention relates to novel mono-, oligo- and polythieno[3,2-b]thiophenes, to their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to field effect transistors, light emitting devices or ID tags comprising the novel polymers.
    该发明涉及新型单体、寡聚物和聚噻吩[3,2-b]噻吩,以及它们在半导体或电荷传输材料中的使用,在光学、电光或电子器件中使用,例如液晶显示器、光学薄膜、有机场效应晶体管(FET或OFET)用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件,例如RFID标签、扁平显示器中的电致发光器件以及光伏和传感器器件,以及包含新型聚合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。
  • Organic semiconductor polymer having liquid crystal properties, organic active layer, organic thin film transistor, and electronic device including the same, and methods of fabricating the same
    申请人:Lee Eun Kyung
    公开号:US20080283828A1
    公开(公告)日:2008-11-20
    Example embodiments relate to an organic semiconductor polymer, in which fused thiophenes having liquid crystal properties and aromatic compounds having N-type semiconductor properties are alternately included in the main chain of the polymer, an organic active layer, an organic thin film transistor (OTFT), and an electronic device including the same, and methods of preparing the organic semiconductor polymer, and fabricating the organic active layer, the OTFT and the electronic device using the same. This organic semiconductor polymer has improved organic solvent solubility, processability, and thin film properties, and may impart increased charge mobility and decreased off-state leakage current when applied to the channel layer of the organic thin film transistor.
    实施例涉及一种有机半导体聚合物,其中在聚合物的主链中交替包含具有液晶性质的融合噻吩和具有N型半导体性质的芳香族化合物,以及包括该聚合物的有机活性层,有机薄膜晶体管(OTFT)和电子器件,以及使用该聚合物制备有机半导体聚合物,制备有机活性层,OTFT和电子器件的方法。该有机半导体聚合物具有改善的有机溶剂溶解性、加工性和薄膜性能,并且当应用于有机薄膜晶体管的通道层时,可以赋予增加的电荷迁移率和减少的关断漏电流。
  • Mono-, Oligo- and Polythieno(2,3-b)thiophenes
    申请人:Merck Patent GmbH
    公开号:EP1510535B1
    公开(公告)日:2008-11-05
  • MONO-, OLIGO- AND POLYTHIENO[3,2-B]THIOPHENES
    申请人:Merck Patent GmbH
    公开号:EP1751166B1
    公开(公告)日:2009-10-28
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