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2-(tribromomethyl)-1H-quinolin-4-one

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-(tribromomethyl)-1H-quinolin-4-one
英文别名
——
2-(tribromomethyl)-1H-quinolin-4-one化学式
CAS
——
化学式
C10H6Br3NO
mdl
——
分子量
395.87
InChiKey
SGQJBPHPQAAALY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
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  • 上下游信息
  • 反应信息
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  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.7
  • 重原子数:
    15
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.1
  • 拓扑面积:
    29.1
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    2

文献信息

  • Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
    申请人:HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
    公开号:EP0602377A1
    公开(公告)日:1994-06-22
    Die Erfindung betrifft Monomere der Formeln R¹-SO₂-N(CO-OR²)-R³-O-CO-CR⁴=CH₂ und R¹-N(CO-OR²)-SO₂-R³-O-CO-CR⁴=CH₂, worin R¹ für einen (C₁-C₂₀)Alkyl-, (C₃-C₁₀)Cycloalkyl-, (C₆-C₁₄)Aryl- oder (C₇-C₂₀)Aralkylrest, wobei in den Alkyl enthaltenden Resten einzelne Methylengruppen durch Heteroatome ersetzt sein können, R² für einen (C₃-C₁₁)Alkyl-, (C₃-C₁₁)Alkenyl- oder (C₇-C₁₁)Aralkylrest, R³ für einen unsubstituierten oder substituierten (C₁-C₆)Alkyl-, (C₃-C₆)Cycloalkyl-, (C₆-C₁₄)Aryl- oder (C₇-C₂₀)Aralkylrest und R⁴ für ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe steht. Sie betrifft ferner Polymere mit mindestens 5 mol-% an Einheiten mit Seitengruppen der Formel(n) -R³-N(CO-OR²)-SO₂-R¹ (I) und/oder -R³-SO₂-N(CO-OR²)-R¹ (II), sowie ein strahlungsempfindliches Gemisch, das a) eine unter der Einwirkung aktinischer Strahlung Säure bildende Verbindung und b) eine säurespaltbare Verbindung, deren Spaltprodukte in einem wäßrig-alkalischen Entwickler eine höhere Löslichkeit zeigen als die Ausgangsverbindung enthält, worin die säurespaltbare Verbindung ein Polymer der genannten Art ist, sowie ein Aufzeichnungsmaterial mit einem Träger und einer strahlungsempfindlichen Schicht. Das erfindungsgemäße Gemisch eignet sich insbesondere für die Herstellung von Offsetdruckplatten und Photoresists.
    本发明涉及式 R¹-SO₂-N(CO-OR²)-R³-O-CO-CR⁴=CH₂ 和 R¹-N(CO-OR²)-SO₂-R³-O-CO-CR⁴=CH₂ 的单体,其中 R¹ 代表 (C₁-C₂₀)烷基-、(C₃-C₁₀)环烷基、(C₆-C₁₄)芳基或 (C₇-C₂₀)芳烷基,其中含烷基自由基中的单个亚甲基可被杂原子取代、R² 代表(C₃-C₁₁)烷基、(C₃-C₁₁)烯基或(C₇-C₁₁)芳烷基,R³ 代表未取代或取代的(C₁-C₆)烷基、(C₃-C₆)环烷基、(C₆-C₁₄)芳基或 (C₇-C₂₀)芳烷基,而 R⁴ 是氢原子或甲基。本发明还涉及含有至少 5 摩尔单位的聚合物,其侧基为式(s)-R³-N(CO-OR²)-SO₂-R¹ (I) 和/或 -R³-SO₂-N(CO-OR²)-R¹ (II),以及含有以下成分的辐射敏感混合物 a) 在光辐射影响下形成酸的化合物和 b) 一种可酸解的化合物,其裂解产物在碱性溶液显影剂中的溶解度高于起始化合物 其中可酸解的化合物是上述类型的聚合物,记录材料包括支撑层和辐射敏感层。本发明的混合物特别适用于胶版印刷板和光刻胶的生产。
  • N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
    申请人:HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
    公开号:EP0602376B1
    公开(公告)日:1997-04-23
  • US5442087A
    申请人:——
    公开号:US5442087A
    公开(公告)日:1995-08-15
  • US5529886A
    申请人:——
    公开号:US5529886A
    公开(公告)日:1996-06-25
  • US5612169A
    申请人:——
    公开号:US5612169A
    公开(公告)日:1997-03-18
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