N,N'-二(2-甲基-2-丙基)硅烷二胺 | 186598-40-3

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机硅化合物
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 中文名称: N,N'-二(2-甲基-2-丙基)硅烷二胺
• 中文别名: 双（叔丁基氨基）硅烷；双(叔丁基氨基)硅烷
• 英文名称: bis(tert-butylamino)silane
• 英文别名: DI(T-Butylamino)silane；N-(tert-butylamino)silyl-2-methylpropan-2-amine
• CAS: 186598-40-3
• 化学式: C₈H₂₂N₂Si
• 分子量: 174.362
• InChiKey: VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  167°C
• 密度：
  0,816 g/cm3
• 闪点：
  30°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.76
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  24.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

安全信息

• TSCA：
  No

制备方法与用途

双(叔丁基氨基)硅烷（BTBAS）是一种硅烷偶联剂。作为化学气相沉积过程中的前驱体，BTBAS能够均匀沉积氮化硅膜，适用于制备氮化硅薄膜、半导体器件以及浅沟道隔离薄膜。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N'-二(2-甲基-2-丙基)硅烷二胺 在 silyl trifluoromethanesulfonate 、 三乙胺 作用下， 以 正戊烷 为溶剂， 生成 2,4-二叔丁基-2,4-二氮-1,3,5-三硅戊烷
  参考文献：
  名称：

  Precursors for CVD Silicon Carbo-nitride Films

  摘要：

  已发现液态氨基硅烷类别，可用于生产含硅薄膜。与以往使用的某些前体相比，这些氨基硅烷在室温和压力下是液态的，便于处理。此外，本发明涉及一种生产这种薄膜的方法。这些化合物类别通常由以下公式代表：和它们的混合物，其中公式中的R和R1代表通常含有2至约10个碳原子的脂肪基，例如，烷基，环烷基，公式A中的R和R1也可以组合成一个环状基团，R2代表单键，（CH2）n，一个环，或SiH2。

  公开号：

  US20090069588A1
• 作为产物：
  描述：

  叔丁胺 在 碳酸甲丙酯 、 盐酸 、 aluminum oxide 、 yttrium(III) nitrate 、 1-propenyl-3-methylimidazolium nitrate 、 二氯硅烷 、 2-氨基甲基-15-冠-5 、 zinc(II) oxide 、 magnesium carbonate 作用下， 以 水 、 正戊烷 为溶剂， 反应 4.67h， 生成 N,N'-二(2-甲基-2-丙基)硅烷二胺
  参考文献：
  名称：

  一种双（叔丁基氨基）硅烷的制备方法

  摘要：

  本发明化工领域，具体关于一种双（叔丁基氨基）硅烷的制备方法；本发明是在有机溶剂中用二氯氢硅和叔丁基氨在一种功能催化剂的作用下发生脱酸反应，合成了双（叔丁基氨基）硅烷，本发明制备方法简单，原材料利用率高，反应时间短，产物收率高，纯度高，能够满足电子工业对于硅源替代物的使用需求。

  公开号：

  CN112661781A

文献信息

• Synthesis methods for amino(halo)silanes
  申请人：American Air Liquide, Inc.

  公开号：US09701695B1

  公开（公告）日：2017-07-11

  Disclosed are methods of synthesizing an amino(halo)silane comprising the step of reacting a halosilane having the formula SiaHbXc with an aminosilane having the formula SidHe(NR1R2)f to produce the amino(halo)silane having the formula SiwHxXy(NR1R2)z, wherein X=Br or I; each R1 and R2 is independently selected from a C1-C10 alkyl, aryl, or hetero group; a, d, and w independently=1 to 4; b+c=2a+2; b=1 to 2a+1; c=1 to 2a+1; e+f=2d+2; e=1 to 2d+1; f=1 to 2d+1; x+y+z=2w+2; and R1 and R2 may be joined to form a nitrogen-containing heterocycle.

  本发明涉及一种合成氨基（卤）硅烷的方法，包括以下步骤：将具有SiaHbXc式的卤硅烷与具有SidHe（NR1R2）f式的氨基硅烷反应，以产生具有SiwHxXy（NR1R2）z式的氨基（卤）硅烷，其中X = Br或I；每个R1和R2独立地选自C1-C10烷基，芳基或杂原子基团；a，d和w独立地= 1至4；b + c = 2a + 2；b = 1至2a + 1；c = 1至2a + 1；e + f = 2d + 2；e = 1至2d + 1；f = 1至2d + 1；x + y + z = 2w + 2；R1和R2可以连接以形成含氮杂环。
• Process for the production and purification of bis(tertiary-butylamino)silane
  申请人：——

  公开号：US20040138491A1

  公开（公告）日：2004-07-15

  A process for synthesizing an aminosilane compound such as bis(tertiarybutylamino)silane is provided. In one aspect of the present invention, there is provided a process for making bis(tertiarybutylamino)silane comprising reacting a stoichiometric excess of tert-butylamine with dichlorosilane under anhydrous conditions sufficient such that a liquid comprising the bis(tertiarybutylamino)silane product is produced.

  本发明提供了一种合成氨基硅烷化合物的方法，例如叔丁基氨基硅烷。在本发明的一个方面中，提供了一种制备双（叔丁基氨基）硅烷的方法，包括在无水条件下使用过量的叔丁基胺与二氯硅烷反应，使得产生含有双（叔丁基氨基）硅烷产物的液体。
• Precursors for Depositing Silicon-containing Films and Methods for Making and Using Same
  申请人：Cheng Hansong

  公开号：US20100041243A1

  公开（公告）日：2010-02-18

  Aminosilane precursors for depositing silicon-containing films, and methods for depositing silicon-containing films from these aminosilane precursors, are described herein. In one embodiment, there is provided an aminosilane precursor for depositing silicon-containing film comprising the following formula (I): (R 1 R 2 N) n SiR 3 4-n (I) wherein substituents R 1 and R 2 are each independently chosen from an alkyl group comprising from 1 to 20 carbon atoms and an aryl group comprising from 6 to 30 carbon atoms, at least one of substituents R 1 and R 2 comprises at least one electron withdrawing substituent chosen from F, Cl, Br, I, CN, NO 2 , PO(OR) 2 , OR, SO, SO 2 , SO 2 R and wherein R in the at least one electron withdrawing substituent is chosen from an alkyl group or an aryl group, R 3 is chosen from H, an alkyl group, or an aryl group, and n is a number ranging from 1 to 4.

  本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中，提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包括以下式子（I）：（R1R2N）nSiR34-n（I），其中取代基R1和R2各自独立地选择由1至20个碳原子组成的烷基和由6至30个碳原子组成的芳基，其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个从F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO（OR）2、OR、SO、SO2、SO2R中选择的电子吸引取代基，其中在至少一个电子吸引取代基中的R选择自烷基或芳基，R3选择自H、烷基或芳基，n为1至4的数字。
• Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same
  申请人：Air Products and Chemicals, Inc.

  公开号：US08129555B2

  公开（公告）日：2012-03-06

  Aminosilane precursors for depositing silicon-containing films, and methods for depositing silicon-containing films from these aminosilane precursors, are described herein. In one embodiment, there is provided an aminosilane precursor for depositing silicon-containing film comprising the following formula (I): (R1R2N)nSiR34-n  (I) wherein substituents R1 and R2 are each independently chosen from an alkyl group comprising from 1 to 20 carbon atoms and an aryl group comprising from 6 to 30 carbon atoms, at least one of substituents R1 and R2 comprises at least one electron withdrawing substituent chosen from F, Cl, Br, I, CN, NO2, PO(OR)2, OR, SO, SO2, SO2R and wherein R in the at least one electron withdrawing substituent is chosen from an alkyl group or an aryl group, R3 is chosen from H, an alkyl group, or an aryl group, and n is a number ranging from 1 to 4.

  本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中，提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包括以下式子（I）： （R1R2N）nSiR34-n  （I） 其中取代基R1和R2各自独立地选择来自1到20个碳原子的烷基和来自6到30个碳原子的芳基，其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个电子吸引取代基，所述电子吸引取代基选择自F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO（OR）2、OR、SO、SO2、SO2R，其中所述至少一个电子吸引取代基中的R选择自烷基或芳基，R3选择自H、烷基或芳基，n为1到4的数字。
• [EN] N-ALKYL SUBSTITUTED CYCLIC AND OLIGOMERIC PERHYDRIDOSILAZANES, METHODS OF PREPARATION THEREOF, AND SILICON NITRIDE FILMS FORMED THEREFROM<br/>[FR] PERHYDRIDOSILAZANES OLIGOMÈRES ET CYCLIQUES À SUBSTITUTION N-ALKYLE, PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE CEUX-CI, ET FILMS DE NITRURE DE SILICIUM FORMÉS À PARTIR DE CEUX-CI
  申请人：GELEST TECH INC

  公开号：WO2016153929A1

  公开（公告）日：2016-09-29

  Novel N-alkyl substituted perhydridocyclic silazanes, oligomeric N-alkyl perhydridosilazane compounds, and N-alkylaminodihydridohalosilanes, and a method for their synthesis are provided. The novel compounds may be used to form high silicon nitride content films by thermal or plasma induced decomposition.

  提供了新型的N-烷基取代的过氢化环状硅氮烷、寡聚N-烷基过氢化硅氮烷化合物以及N-烷基氨基双氢卤代硅烷化合物及其合成方法。这些新型化合物可以通过热分解或等离子体诱导分解形成高硅氮含量的薄膜。