作者:N.F. Masters、N. Mathews、G. Nechvatal、D.A. Widdowson
DOI:10.1016/s0040-4020(01)89122-5
日期:1989.1
prepared by the lithiation - electrophilic quenching of 1-methyl-, 1-methoxymethyl-, and 1-(2-trimethylsilylethoxymethyl)indoletricarbonylchromium(O) complexes. C-2 of the 1-methylindole series had to be blocked to achieve subsequent7-(and 4-) metallation, but the other series could be directly metallated at C-7 without attack at C-4 by 1-alkoxymethyl directed lithiation. Metallation at C-2 in the 1-alkoxymethyl
通过锂化-1-甲基-,1-甲氧基甲基-和1-(2-三甲基甲硅烷基乙氧基甲基)吲哚三羰基铬(O)配合物的亲电淬灭制备7位取代的吲哚。必须封闭1-甲基吲哚系列的C-2以实现随后的7-(和4-)金属化,但是其他系列可以在C-7直接金属化,而不会受到1-烷氧基甲基定向锂化对C-4的侵蚀。通过使用2-三甲基甲硅烷基或3-甲基类似物,避免了1-烷氧基甲基系列中C-2处的金属化。没有发现影响除去甲氧基甲基的条件,但是2-三甲基甲硅烷基乙氧基甲基被“无水”氟化四丁基铵有效地裂解了。