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1,4-Dioxaspiro[4.5]decan-6-yl methanesulfonate | 1101834-68-7

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,4-Dioxaspiro[4.5]decan-6-yl methanesulfonate
英文别名
——
1,4-Dioxaspiro[4.5]decan-6-yl methanesulfonate化学式
CAS
1101834-68-7
化学式
C9H16O5S
mdl
——
分子量
236.289
InChiKey
QEXGRXIZKPLYFL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.4
  • 重原子数:
    15
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    70.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    5

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    2-hydroxycyclohexanone ethylene ketal甲基磺酰氯三乙胺 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 6.0h, 以75%的产率得到1,4-Dioxaspiro[4.5]decan-6-yl methanesulfonate
    参考文献:
    名称:
    Acid-amplifier having acetal group, photoresist composition including the same and method for forming a photoresist pattern
    摘要:
    公开号:
    EP2017274B1
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文献信息

  • ACID-AMPLIFIER HAVING ACETAL GROUP AND PHOTORESIST COMPOSITION INCLUDING THE SAME
    申请人:Lee Jung-Youl
    公开号:US20090023093A1
    公开(公告)日:2009-01-22
    An acid-amplifier having an acetal group and a photoresist composition including the same, are disclosed. The acid-amplifier produces an acid (second acid) during a post-exposure-bake (PEB), which is induced by an acid (first acid) generated from a photo-acid generator (PAG) at the exposure process so that a line edge roughness (LER) of the photoresist pattern and photoresist energy sensitivity are improved. The acid-amplifier has a structure of following Formula 1. in Formula 1, R is C 4 ˜C 20 mono-cyclic or multi-cyclic saturated hydrocarbon, R 1 is C 1 ˜C 10 linear hydrocarbon, C 1 ˜C 10 perfluoro compound or C 5 ˜C 20 aromatic compound, R a and R b are independently hydrogen atom or C 1 ˜C 4 saturated hydrocarbon and A is independently oxygen atom (0) or sulfur atom (S).
  • US7935474B2
    申请人:——
    公开号:US7935474B2
    公开(公告)日:2011-05-03
  • Acid-amplifier having acetal group, photoresist composition including the same and method for forming a photoresist pattern
    申请人:DONGJIN SEMICHEM CO., LTD
    公开号:EP2017274B1
    公开(公告)日:2011-03-30
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