合成并表征了一系列用二
氰基亚甲基单元末端官能化并被不同烷基链取代的二烷基化二
噻吩并
噻吩喹啉类(D
TTQ)。实现了二烷基化D
TT核的轻松的一锅合成,这使得D
TTQ可以有效地实现为可溶液处理的有机场效应晶体管(OFET)的n型有源半导体。己基取代的D
TTQ-6的分子结构是通过单晶X射线衍射确定的,表明D
TTQ是一个非常平坦的核。该D
TTQ核心形成“之字形”链接层,并且这些层以“面对面”排列堆叠。非常平坦的核心结构,较短的核心堆叠距离(3.30Å),较短的分子间S N距离(2.84Å)和非常低的最低最低空位分子轨道能级(-4.2 eV)表明D
TTQs应该是出色的电子传输候选物。系统地研究了这些新型D
TTQ的物理和电
化学性质以及OFETs性能和薄膜形态。使用溶液剪切法,D
TTQ-11表现出最大的迁移率高达0.45 cm 2 V -1 s -1的n通道传输和当前的开/关比(ION / I OFF)大于10