N-(N-benzyloxycarbonyl-glycyl)-serine hydrazide | 19526-00-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: N-(N-benzyloxycarbonyl-glycyl)-serine hydrazide
• 英文别名: N-(N-Benzyloxycarbonyl-glycyl)-serin-hydrazid；benzyl N-[2-[(1-hydrazinyl-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl)amino]-2-oxoethyl]carbamate
• CAS: 19526-00-2
• 化学式: C₁₃H₁₈N₄O₅
• 分子量: 310.31
• InChiKey: BBMCLKGYKDYJLF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.3
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.31
• 拓扑面积：
  143
• 氢给体数：
  5
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  benzyl (2-azido-2-oxoethyl)carbamate 在 甲醇 、 乙醚 、 氯仿 、 一水合肼 作用下， 反应 2.0h， 生成 N-(N-benzyloxycarbonyl-glycyl)-serine hydrazide
  参考文献：
  名称：

  Epitaxial growth of ZnO films on Si(111)

  摘要：

  在本文中，我们报告了利用脉冲激光沉积技术在硅基底上生长氧化锌薄膜的情况。这些薄膜直接沉积在硅(111)上，也使用了氮化铝和氮化镓薄缓冲层。所有薄膜都具有与基底法线对齐的 c 轴优先取向。使用氮化铝和氮化镓缓冲层的薄膜具有优先面内取向的外延，而直接生长在硅(111)上的薄膜则具有随机面内取向。由于薄膜中存在拉伸应变，拉曼模式的频率降低，带边光致发光峰发生红移。讨论了观察到的双轴应变的各种可能来源。

  DOI：

  10.1557/jmr.2002.0361

文献信息

• OXIDATION OF TRIPEPTIDES CONTAINING HYDROXYAMINO ACID RESIDUE BY PERIODIC ACID
  作者：SETSURO FUJII、KIKUO ARAKAWA

  DOI：10.1093/oxfordjournals.jbchem.a126806

  日期：1958.10
• Epitaxial growth of ZnO films on Si(111)
  作者：Ashutosh Tiwari、M. Park、C. Jin、H. Wang、D. Kumar、J. Narayan

  DOI：10.1557/jmr.2002.0361

  日期：2002.10

  In this paper, we report the growth of ZnO films on silicon substrates using a pulsed laser deposition technique. These films were deposited on Si(111) directly as well as by using thin buffer layers of AlN and GaN. All the films were found to have c-axis-preferred orientation aligned with normal to the substrate. Films with AlN and GaN buffer layers were epitaxial with preferred in-plane orientation, while those directly grown on Si(111) were found to have random in-plane orientation. A decrease in the frequency of the Raman mode and a red shift of the band-edge photoluminescence peak due to the presence of tensile strain in the film, was observed. Various possible sources for the observed biaxial strain are discussed.

  在本文中，我们报告了利用脉冲激光沉积技术在硅基底上生长氧化锌薄膜的情况。这些薄膜直接沉积在硅(111)上，也使用了氮化铝和氮化镓薄缓冲层。所有薄膜都具有与基底法线对齐的 c 轴优先取向。使用氮化铝和氮化镓缓冲层的薄膜具有优先面内取向的外延，而直接生长在硅(111)上的薄膜则具有随机面内取向。由于薄膜中存在拉伸应变，拉曼模式的频率降低，带边光致发光峰发生红移。讨论了观察到的双轴应变的各种可能来源。

表征谱图