methyl 4-cyano-4-(dodecylsulfanythiocarbonyl)sulfanyl pentanoate | 870532-87-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: methyl 4-cyano-4-(dodecylsulfanythiocarbonyl)sulfanyl pentanoate
• 英文别名: Methyl 4-cyano-4-(dodecylthiocarbonothioylthio)pentanoate；methyl 4-cyano-4-dodecylsulfanylcarbothioylsulfanylpentanoate
• CAS: 870532-87-9
• 化学式: C₂₀H₃₅NO₂S₃
• 分子量: 417.701
• InChiKey: SDIPWHBLCNZSEW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  18
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.85
• 拓扑面积：
  133
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-氰基-4-[[(十二烷硫基)硫酮甲基]硫基]戊酸 、 碘甲烷 在 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 18.08h， 以96%的产率得到methyl 4-cyano-4-(dodecylsulfanythiocarbonyl)sulfanyl pentanoate
  参考文献：
  名称：

  [EN] SYNTHESIS OF TRITHIOCARBONATE RAFT GENTS AND INTERMEDIATES THEREOF
  [FR] SYNTHÈSE DES AGENTS DE MASSE DU TRITHIOCARBONATE ET DE LEURS SUBSTANCES INTERMÉDIAIRES

  摘要：

  这项发明提供了一种有效的合成三硫代碳酸酯RAFT试剂RSC(S)SR'的方法，可用于甲基丙烯酸酯和其他烯烃单体的活性聚合。该发明还提供了一种有效的合成双(烷基硫代硫酰基)二硫化物的方法，这些化合物在合成三硫代碳酸酯RAFT试剂的中间体中非常有用。

  公开号：

  WO2005113493A1

文献信息

• PROCESSES FOR REMOVING SULFUR-CONTAINING END GROUPS FROM POLYMERS
  申请人：FARNHAM WILLIAM BROWN

  公开号：US20130109816A1

  公开（公告）日：2013-05-02

  This invention provides a method for removing certain sulfur-containing end groups from polymers, especially those made via RAFT polymerization processes. A solution of radical initiator is used in the method to accomplish removal of the certain sulfur-containing end groups.

  这项发明提供了一种从聚合物中去除特定含硫末端基团的方法，特别是那些通过RAFT聚合过程制备的聚合物。该方法使用自由基引发剂溶液来实现去除特定的含硫末端基团。
• Pattern-forming method and composition
  申请人：JSR CORPORATION

  公开号：US10691019B2

  公开（公告）日：2020-06-23

  A pattern-forming method includes forming a base pattern having recessed portions on a front face side of a substrate directly or via other layer. The recessed portions of the base pattern are filled with a first composition to form a filler layer. Phase separation of the filler layer is allowed to form a plurality of phases of the filler layer. A part of the plurality of phases of the filler layer is removed to form a miniaturized pattern. The forming of the base pattern includes: forming a resist pattern on the front face side of the substrate; forming a layer of a second polymer on lateral faces of the resist pattern; and forming a layer of a third polymer that differs from the second polymer on a surface of the substrate or on a surface of the other layer.

  一种图案形成方法包括在基底的正面直接或通过其他层形成具有凹陷部分的基底图案。基底图案的凹陷部分用第一种成分填充，形成填充层。填充层的相分离可形成填充层的多个相。去除填充层多个相的一部分，形成微型图案。基底图案的形成包括：在基底的正面形成抗蚀图案；在抗蚀图案的侧面形成第二聚合物层；以及在基底的表面或其他层的表面形成不同于第二聚合物的第三聚合物层。
• SYNTHESIS OF TRITHIOCARBONATE RAFT GENTS AND INTERMEDIATES THEREOF
  申请人：E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

  公开号：EP1745017B1

  公开（公告）日：2010-04-14
• POLYMERIZATION PROCESS PROTECTION MEANS
  申请人：E. I. du Pont de Nemours and Company

  公开号：EP2970538A1

  公开（公告）日：2016-01-20
• THIOCARBONYLTHIO-FREE RAFT POLYMERS AND THE PROCESS OF MAKING THE SAME
  申请人：Henkel IP & Holding GmbH

  公开号：EP3334766A1

  公开（公告）日：2018-06-20