3-苯甲酰氧基丙酸 | 139518-41-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 3-苯甲酰氧基丙酸
• 英文名称: β-Benzyloxypropionic acid
• 英文别名: 3-(benzoyloxy)propanoic acid；3-benzoyloxypropanoic acid
• CAS: 139518-41-5
• 化学式: C₁₀H₁₀O₄
• mdl: MFCD20542533
• 分子量: 194.187
• InChiKey: ZFGVLYWWBSRAFN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.8
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  63.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-羟基邻苯二甲酰亚胺 、 3-苯甲酰氧基丙酸 在 4-二甲氨基吡啶 、 N,N'-二异丙基碳二亚胺 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 16.0h， 以16%的产率得到3-((1,3-dioxoisoindolin-2-yl)oxy)-3-oxopropyl benzoate
  参考文献：
  名称：

  使用N-（酰氧基）邻苯二甲酰亚胺，有机光催化剂和可见光进行脱羧分子内芳烃烷基化

  摘要：

  使用有机光催化剂4CzIPN，可见光和N-（酰氧基）邻苯二甲酰亚胺作为自由基前体，已经开发出分子内芳烃烷基化反应。通过高通量实验优化了反应条件，富电子和缺电子的芳烃和杂芳烃是可行的反应底物。该反应使得能够获得各种各样的熔融的，部分饱和的核，这些核在合成和药物化学中具有很高的意义。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.9b00432
• 作为产物：
  描述：

  2-苯基-1,3-二恶烷 在 sodium periodate 、 ruthenium (III) chloride trihydrate 作用下， 以 四氯化碳 、 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 2.0h， 以78%的产率得到3-苯甲酰氧基丙酸
  参考文献：
  名称：

  亚苄基乙缩醛的区域选择性氧化裂解：α-和β-苯甲酰氧基羧酸的合成

  摘要：

  钌具有两倍的乐趣：高度区域选择性和立体选择性标题反应的合成潜力取决于RuCl 3与NaIO 4结合促进的两个氧化裂解步骤（参见示例； Bz =苯甲酰基），并通过生物活性顺式- （2- [R，3小号）-从3- hydroxypipecolic酸d葡萄糖。

  DOI：

  10.1002/anie.200905952

文献信息

• [EN] COMPOUNDS, COMPOSITIONS AND METHODS FOR INCREASING CFTR ACTIVITY<br/>[FR] COMPOSÉS, COMPOSITIONS ET MÉTHODES POUR AUGMENTER L'ACTIVITÉ DU CFTR
  申请人：PROTEOSTASIS THERAPEUTICS INC

  公开号：WO2016115090A1

  公开（公告）日：2016-07-21

  The present disclosure features compounds such as those having the Formulae (Ila), (lIb), (lIc), (Ild), (IlIa), and (Illb), which can increase cystic fibrosis transmembrane conductance regulator (CFTR) activity as measured in human bronchial epithelial (hBE) cells. The present disclosure also features methods of treating a condition associated with decreased CFTR activity or a condition associated with a dysfunction of proteostasis comprising administering to a subject an effective amount of a disclosed compound, such as a compound of Formula (Ila), (lIb), (lIc), (lId), (IlIa), or (Illb).

  本公开涵盖了诸如具有以下式（Ila）、（lIb）、（lIc）、（Ild）、（IlIa）和（Illb）的化合物，这些化合物可以增加在人类支气管上皮细胞（hBE）中测量的囊性纤维化跨膜传导调节蛋白（CFTR）活性。本公开还涵盖了治疗与CFTR活性降低或蛋白质稳态功能障碍相关的疾病的方法，包括向受试者施用所述化合物的有效量，例如式（Ila）、（lIb）、（lIc）、（lId）、（IlIa）或（Illb）的化合物。
• Method for Acylation of an Aromatic Compound
  申请人：Bourgeois Damien

  公开号：US20080154049A1

  公开（公告）日：2008-06-26

  A method for acylation of an aromatic compound, comprising reacting an aromatic compound and an acylating agent of the carboxylic acid type, in the presence of a Lewis acid and of a silylated reagent selected from the group consisting of halosilanes and halosiloxanes.

  一种芳香化合物酰化的方法，包括在Lewis酸和从卤硅烷和卤硅氧烷组成的羟基硅化试剂的存在下，将芳香化合物和羧酸类酰化试剂反应。
• Ruthenium-Catalyzed Oxidative Cleavage of Alkynes to Carboxylic Acids
  作者：Dan Yang、Fei Chen、Ze-Min Dong、Dan-Wei Zhang

  DOI：10.1021/jo0357925

  日期：2004.3.1

  We describe an efficient method for the oxidative cleavage of alkynes to carboxylic acids using a combination of RuO2/Oxone/NaHCO3 in a CH3CN/H2O/EtOAc solvent system. Both internal and terminal alkynes, regardless of their electron density, can be oxidized to carboxylic acids in excellent yield (up to 99%). 1H NMR spectroscopy and ESI-MS experiments provided evidence for α-diketones and anhydrides

  我们描述了在CH 3 CN / H 2 O / EtOAc溶剂系统中使用RuO 2 / Oxone / NaHCO 3的组合，将炔烃氧化裂解为羧酸的有效方法。内部炔烃和末端炔烃，无论其电子密度如何，都可以极好的收率（高达99％）被氧化为羧酸。1 H NMR光谱和ESI-MS实验提供了α-二酮和酸酐作为这些氧化反应中可能的中间体的证据。
• POLISHING COMPOUND AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE
  申请人：Hitachi Chemical Company, Ltd.

  公开号：EP1369906A1

  公开（公告）日：2003-12-10

  A polishing slurry and a polishing method which are suitably used in a CMP technique for flattening a surface of a substrate in a production process of a semiconductor device. The polishing slurry comprises particles and a medium in which at least a part of the particles are dispersed, wherein the particles are made of at least one of (1) a cerium compound selected from cerium oxide, cerium halide and cerium sulfide and having a density of 3 to 6 g/cm3 and an average particle diameter of secondary particles of 1 to 300 nm and (2) a tetravalent metal hydroxide. A polishing method using the polishing slurry takes advantage of a chemical action of particles in the polishing slurry and minimizes a mechanical action of the particles, thereby achieving a decrease in scratches caused by the particles and an increase in polishing rate at the same time.

  一种抛光浆料和抛光方法，适用于半导体设备生产过程中用于使基底表面平坦化的 CMP 技术。抛光浆料包括颗粒和介质，其中至少有一部分颗粒分散在介质中，其中颗粒由以下至少一种制成：(1)选自氧化铈、卤化铈和硫化铈的铈化合物，其密度为 3 至 6 g/cm3，次级颗粒的平均颗粒直径为 1 至 300 nm；(2)四价金属氢氧化物。使用抛光浆料的抛光方法可利用抛光浆料中颗粒的化学作用，并将颗粒的机械作用降至最低，从而减少颗粒造成的划痕，同时提高抛光率。
• Polishing slurry and method of polishing substrate
  申请人：Hitachi Chemical Company, Ltd.

  公开号：EP2418258A1

  公开（公告）日：2012-02-15

  polishing slurry and a polishing method which are suitably used in a CMP technique for flattening a surface of a substrate in a production process of a semiconductor device. The polishing slurry comprises particles and a medium in which at least a part of the particles are dispersed, wherein the particles are made of at least one of (1) a cerium compound selected from cerium oxide, cerium halide and cerium sulfide and having a density of 3 to 6 g/cm3 and an average particle diameter of secondary particles of 1 to 300 nm and (2) a tetravalent metal hydroxide. A polishing method using the polishing slurry takes advantage of a chemical action of particles in the polishing slurry and minimizes a mechanical action of the particles, thereby achieving a decrease in scratches caused by the particles and an increase in polishing rate at the same time.

  抛光浆料和抛光方法，适用于半导体设备生产过程中用于使基底表面平坦化的 CMP 技术。抛光浆料包括颗粒和介质，其中至少有一部分颗粒分散在介质中，其中颗粒由以下至少一种制成：(1) 选自氧化铈、卤化铈和硫化铈的铈化合物，其密度为 3 至 6 g/cm3，次级颗粒的平均颗粒直径为 1 至 300 nm；(2) 四价金属氢氧化物。使用抛光浆料的抛光方法可利用抛光浆料中颗粒的化学作用，并将颗粒的机械作用降至最低，从而减少颗粒造成的划痕，同时提高抛光率。