尽管与聚
噻吩相比,聚
吡咯具有更高的电导率,但是基于
吡咯的材料由于其在空气中的不稳定性而在有机电子领域引起了较少的关注。可以通过将相对不稳定的
吡咯与稳定的芳环融合来实现稳定的
吡咯单元的构建。在这份报告中,我们讨论并比较了最小的S,N-杂并苯和O,N-杂并苯,
噻吩并[3,2- b ]
吡咯和
呋喃[3,2- b ]
吡咯的有机场效应晶体管性能,分别是供体-受体-供体类型的有机半导体小分子。由于两个结构单元都高度富电子,因此
噻吩侧接5,6-二
氟苯并[ c] [1,2,5]
噻二唑用作中心吸电子单元。含有
噻吩并[3,2- b ]
吡咯的小分子显示出适度的空穴迁移率(10 -3 cm 2 V -1 s -1),而与退火温度无关。相反,带有
呋喃[3,2- b ]
吡咯的小分子在场效应晶体管中是完全无活性的。据我们所知,这是第一份比较有机场效应晶体管的S,N和O,N-杂并苯的最小单位的报告。