8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide | 1384954-15-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 二芳基庚烷
• 英文名称: 8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide
• 英文别名: 8-phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide
• CAS: 1384954-15-7
• 化学式: C₄₄H₂₉OP
• 分子量: 604.687
• InChiKey: AUGDPQQZLXJLJL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.7
• 重原子数：
  46
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  17.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide 在 劳森试剂 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 2.5h， 以86%的产率得到8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)-8-sulfanylideneacenaphthyleno[1,2-c]phosphole
  参考文献：
  名称：

  α，α'-二芳基萘并[1,2-c]磷P-氧化物：有机太阳能电池阴极缓冲层的不同合成及其应用

  摘要：

  建立了一种发散合成α，α'-二芳基萘并[1,2- c ]磷脂P-氧化物的方法。α，α'-dibromoacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P氧化物，将其通过制备的Ti II介导的1,8-双（三甲基硅乙炔）萘的环化，进行了具有的Stille三种不同aryltributylstannanes的耦合，得到α， α'-diarylacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P -oxides在中度至良好的产率。X射线晶体学分析和UV / Vis吸收/荧光测量表明，ph的π共轭度，堆积基序，电子接受能力和热稳定性[ c]]磷π系统可以与α-芳基取代基很好地调节。所有的PO和PS衍生物在电化学还原状态下均表现出高稳定性。要将此类芳烃融合的π系统用作n型半导体材料，我们评估了由聚（3-己基噻吩），茚-C 70双加合物和阴极缓冲层。所述diarylacenaphtho [插入Ç ]磷杂环P -ox

  DOI：

  10.1002/asia.201200492
• 作为产物：
  描述：

  1,8-bis(trimethylsilylethynyl)naphthalene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 四(三苯基膦)钯 、 异丙基氯化镁 、 间氯过氧苯甲酸 作用下， 以 乙醚 、 甲苯 、 乙腈 为溶剂， 反应 118.17h， 生成 8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide
  参考文献：
  名称：

  α，α'-二芳基萘并[1,2-c]磷P-氧化物：有机太阳能电池阴极缓冲层的不同合成及其应用

  摘要：

  建立了一种发散合成α，α'-二芳基萘并[1,2- c ]磷脂P-氧化物的方法。α，α'-dibromoacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P氧化物，将其通过制备的Ti II介导的1,8-双（三甲基硅乙炔）萘的环化，进行了具有的Stille三种不同aryltributylstannanes的耦合，得到α， α'-diarylacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P -oxides在中度至良好的产率。X射线晶体学分析和UV / Vis吸收/荧光测量表明，ph的π共轭度，堆积基序，电子接受能力和热稳定性[ c]]磷π系统可以与α-芳基取代基很好地调节。所有的PO和PS衍生物在电化学还原状态下均表现出高稳定性。要将此类芳烃融合的π系统用作n型半导体材料，我们评估了由聚（3-己基噻吩），茚-C 70双加合物和阴极缓冲层。所述diarylacenaphtho [插入Ç ]磷杂环P -ox

  DOI：

  10.1002/asia.201200492