1,3-bis(1,1,3,3-tetramethylbutyl)-2-ethylamino-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene | 1352140-00-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡咯
• 英文名称: 1,3-bis(1,1,3,3-tetramethylbutyl)-2-ethylamino-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene
• 英文别名: (Si(^tOctNCHCHN^tOct)(H)NHEt)；N-ethyl-1,3-bis(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)-2H-1,3,2-diazasilol-2-amine
• CAS: 1352140-00-1
• 化学式: C₂₀H₄₃N₃Si
• 分子量: 353.667
• InChiKey: CNOOTPBRXRLFPF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.83
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.9
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  叔辛胺 在 三氯硅烷 、 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 32.0h， 生成 1,3-bis(1,1,3,3-tetramethylbutyl)-2-ethylamino-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene
  参考文献：
  名称：

  HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM

  摘要：

  公开号：

  EP2581377B1

文献信息

• Hydrosilane derivative, method for producing same, and method for producing silicon-containing thin film
  申请人：Tada Ken-ichi

  公开号：US09120825B2

  公开（公告）日：2015-09-01

  This invention aims at providing a material from which a silicon-containing thin film can be efficiently produced at a low temperature of 500° C. or less without using plasma or the like. The invention relates to produce a hydrosilane derivative represented by the general formula (1′) by reacting a chlorosilane derivative (3) with a compound M2Z (4) and produce the silicon-containing thin film by using the hydrosilane derivative as the material. In the formulae, R1, R2 are defined in the specification.

  本发明旨在提供一种材料，该材料可以在不使用等离子体或类似物的情况下，在低于500°C的低温下高效地产生含硅薄膜。 本发明涉及通过将氯硅烷衍生物（3）与化合物M2Z（4）反应产生由通式（1'）表示的氢硅烷衍生物，并使用该氢硅烷衍生物作为材料制备含硅薄膜。在式中，R1，R2在规范中定义。