Radical-Doped Metal–Organic Framework: Route to Nanoscale Defects and Magnetostructural Functionalities
作者:Artem S. Poryvaev、Daniil M. Polyukhov、Eva Gjuzi、Frank Hoffmann、Michael Fröba、Matvey V. Fedin
DOI:10.1021/acs.inorgchem.9b00696
日期:2019.7.1
Nanosized structural defects in metal–organic frameworks (MOFs) attract growing attention and often remarkably enhance functional properties of these materials for various applications. In this work, a series of MOFs [Cu2(TPTA)1–x(BDPBTR)x] (H4TPTA, [1,1′:3′,1″-terphenyl]-3,3′′,5,5′′-tetracarboxylic acid; H4BDPBTR, 1,3-bis(3,5-dicarboxyphenyl)-1,2,4-benzotriazin-4-yl radical)) with a new stable radical
金属有机框架(MOF)中的纳米结构缺陷引起了越来越多的关注,并且经常显着提高这些材料在各种应用中的功能特性。在这项工作中,一系列MOF [Cu 2(TPTA)1- x(BDPBTR)x ](H 4 TPTA,[1,1':3',1''-三联苯] -3,3'',5, 5''-四羧酸; H 4 BDPBTR,1,3-双(3,5-二羧基苯基)-1,2,4-苯并三嗪-4-基自由基))的结构中掺杂了新的稳定自由基连接基使用电子顺磁共振(EPR)进行合成和研究。使用混合接头H 4 TPTA和H 4 BDPBTR将铜(II)桨轮单元桥接到多孔框架中,其中H 4BDPBTR是H 4 TPTA的紧密结构类似物。研究了各种x = 0-0.4的MOF 。EPR研究表明,与抗磁性接头相比,自由基接头与铜(II)单元的结合方式不同,导致形成纳米级结构缺陷。此外,在冷却该MOF时观察到了显着的动力学现象,在该动力学现象