摘要:
我们合成并表征了一组包含噻吩π-桥的D-π-A共轭共聚物。苯并噻二唑用作受体(A)单元,而4,4-二烷基二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]甲硅烷基(DTSi)或N-烷基二噻吩并[3,2-b:2', 3'-d]吡咯(DTP)用作供体(D)单元。该共聚物是通过通常的Stille交叉偶联反应合成的,分子量为18.6至31.3 kg / mol。共聚物之间的主要结构差异是供体部分的类型(DTSi或DTP)和D与D之间的噻吩π-桥单元上己基侧链的位置一个半身。这项工作的最终目标是探索可以控制聚合物光物理性质的三个结构因素的作用,以帮助合理设计具有光电子器件中特定性能的聚合物。物理性质包括热稳定性,光物理性质和电化学性质。结构因素是(a)供体部分的能力,(b)噻吩π桥上烷基侧链的位置以及(c)烷基侧链的性质。此外,我们利用密度泛函理论计算来计算几何和电子结构。实验结果和理论结果之间取得了很好的一致。