The effect of single atom replacement on organic thin film transistors: case of thieno[3,2-<i>b</i>]pyrrole <i>vs.</i> furo[3,2-<i>b</i>]pyrrole
作者:Chandima Bulumulla、Ruwan Gunawardhana、Sang Ha Yoo、Cody R. Mills、Ruvanthi N. Kularatne、Thomas N. Jackson、Michael C. Biewer、Enrique D. Gomez、Mihaela C. Stefan
DOI:10.1039/c8tc02887g
日期:——
2-b]pyrrole and furo[3,2-b]pyrrole, respectively, in donor–acceptor–donor type organic semiconducting small molecules. Since both building blocks are highly electron-rich, thiophene flanked 5,6-difluorobenzo[c][1,2,5]thiadiazole is employed as a central electron-withdrawing unit. The small molecule containing thieno[3,2-b]pyrrole exhibit moderate hole mobilities (10−3 cm2 V−1 s−1) irrespective of the
尽管与聚噻吩相比,聚吡咯具有更高的电导率,但是基于吡咯的材料由于其在空气中的不稳定性而在有机电子领域引起了较少的关注。可以通过将相对不稳定的吡咯与稳定的芳环融合来实现稳定的吡咯单元的构建。在这份报告中,我们讨论并比较了最小的S,N-杂并苯和O,N-杂并苯,噻吩并[3,2- b ]吡咯和呋喃[3,2- b ]吡咯的有机场效应晶体管性能,分别是供体-受体-供体类型的有机半导体小分子。由于两个结构单元都高度富电子,因此噻吩侧接5,6-二氟苯并[ c] [1,2,5]噻二唑用作中心吸电子单元。含有噻吩并[3,2- b ]吡咯的小分子显示出适度的空穴迁移率(10 -3 cm 2 V -1 s -1),而与退火温度无关。相反,带有呋喃[3,2- b ]吡咯的小分子在场效应晶体管中是完全无活性的。据我们所知,这是第一份比较有机场效应晶体管的S,N和O,N-杂并苯的最小单位的报告。