自组装分子电子薄膜的室温传输特性由量子干涉(QI)控制,其实现是将QI效应从单分子扩大到平行分子阵列的重要一步。最近,人们研究了破坏性 QI (DQI) 对自组装单层 (S
AM) 电导的影响。在这里,通过实验和理论相结合的研究,我们展示了对 S
AM 跨平面传输中不同形式的相长 QI (
CQI) 的
化学控制,并评估了其对 S
AM 中跨平面热电的影响。众所周知,通过
化学改变单分子与外部电极的连接性,可以以确定性的方式控制单分子的电导率。在这里,通过采用合成方法来改变芳香
蒽核心周围末端锚定基团的连接性,并通过形成所得分子的 S
AM,我们清楚地证明了
CQI 的这种特征可以转化为
金上 S
AM 分子薄膜。我们发现,由具有两种不同连接性的
蒽基分子形成的垂直分子结的电导相差约 16 倍,这与基于核心内
CQI 效应对其电导比的理论预测一致。我们还证明,对于具有
硫醚锚定基团的分子,此类薄膜的塞贝克系数取决