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2-methylbenzo[4,5]thieno[3,2-b]benzothiophene

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-methylbenzo[4,5]thieno[3,2-b]benzothiophene
英文别名
2-methyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene;2-Methyl-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole
2-methylbenzo[4,5]thieno[3,2-b]benzothiophene化学式
CAS
——
化学式
C15H10S2
mdl
——
分子量
254.376
InChiKey
GRQKOMBIQWYQLP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.7
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.07
  • 拓扑面积:
    56.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-methylbenzo[4,5]thieno[3,2-b]benzothiophene 在 aluminum (III) chloride 、 正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃二氯甲烷 为溶剂, 反应 4.5h, 生成 7-methyl-2-[2-(4-pentylphenyl)ethynyl]-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole
    参考文献:
    名称:
    ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、有機半導体材料、及び有機トランジスタ
    摘要:
    【问题】提供一种有机半导体墨水,该墨水含有具有优异溶解性于溶剂中且能够提供高移动性膜的化合物,无需经过复杂的过程,并且可用于制备实用构造的有机晶体管。 【解决方案】提供一种化合物,即由式(1)表示的苯并噻吩衍生物,以及含有该有机半导体材料的有机半导体墨水。(其中,R1为式(2)或式(3);R2为H、甲基基、氰基、氟基或三氟甲基基)【参考图】图1
    公开号:
    JP2017052707A
  • 作为产物:
    描述:
    3-溴-4-碘甲苯(1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene)palladium(II) dichloride四丁基溴化铵叔丁基锂 、 lithium perchlorate 、 sodium carbonate 作用下, 以 四氢呋喃乙腈正戊烷 为溶剂, 反应 16.0h, 生成 2-methylbenzo[4,5]thieno[3,2-b]benzothiophene
    参考文献:
    名称:
    噻吩并苯衍生物的电化学合成:由卤素介体促进的无过渡金属的脱氢CS偶联。
    摘要:
    描述了导致噻吩并苯衍生物的第一电化学脱氢CS键形成。通过脱氢CH / SH偶联合成了几种噻吩并苯衍生物。必不可少的是,n Bu4 NBr的添加促进了反应的进行,而nBu4 NBr可以作为卤素介体进行催化。
    DOI:
    10.1002/anie.202001149
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文献信息

  • 新規な縮合多環芳香族化合物及びその用途
    申请人:日本化薬株式会社
    公开号:JP2016050207A
    公开(公告)日:2016-04-11
    【課題】優れた熱安定性と良好な溶解性とを有する縮合多環芳香族化合物を提供する。【解決手段】縮合多環芳香族化合物は、下記一般式(1)【化1】 (式中、R1及びR2は、一方がアリール基、他方が水素原子を表し、R3及びR4は、一方が炭素数1〜4のアルキル基、他方が水素原子を表し、X1及びX2はそれぞれ独立に、硫黄原子、セレン原子、またはテルル原子を表す)で表される。【選択図】なし
    提供具有优异热稳定性和良好溶解性的缩合多环芳香族化合物。缩合多环芳香族化合物由下述通用式(1)(式中,R1和R2分别表示芳基和氢原子,R3和R4分别表示碳数为1-4的烷基和氢原子,X1和X2分别独立表示硫原子、硒原子或碲原子)表示。【选图】无
  • [EN] NAPHTHOINDACENODITHIOPHENES AND POLYMERS<br/>[FR] NAPHTOINDACÉNODITHIOPHÈNES ET POLYMÈRES
    申请人:BASF SE
    公开号:WO2017097924A1
    公开(公告)日:2017-06-15
    Polymers comprising at least one unit of formula1 and compounds of the formula 1' wherein, in formulae 1 and 1' n is 0, 1, 2, 3 or 4 mis 0, 1, 2, 3 or 4 X is at each occurrence selected from the group consisting of O, S, Se or Te, Q is at each occurrence selected from the group consisting of C, Si or Ge R is at each occurrence selected from the group consisting of hydrogen, C1-30-alkyl, C2-30-alkenyl, C2-30-alkynyl, C5-12-cycloalkyl, C6-18-aryl, R2, R2', R* are at each occurrence independently selected from the group consisting of hydrogen, C1-30-alkyl, C2-30-alkenyl, C2-30-alkynyl,C5-12-cycloalkyl, C6-18-aryl, 5 to 20 membered hetero-aryl, OR21, OC(O)-R21, C(O)-OR21, C(O)-R21, NR21R22, NR21-C(O)R22, C(O)-NR21R22, N[C(O)R21][C(O)R22], SR21, halogen, CN, SiRSisRSitRSiu and OH, L1 and L2 are independently from each other and at each occurrence selected from the group consisting of C6-30-arylene, 5 to 30 membered heteroarylene.
    聚合物包括至少一个式1的单元和式1'的化合物,其中,在式1和1'中,n为0、1、2、3或4,X在每次出现时从O、S、Se或Te中选择,Q在每次出现时从C、Si或Ge中选择,R在每次出现时从氢、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基中选择,R2、R2'、R*在每次出现时独立地从氢、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基、5至20个成员的杂芳基、OR21、OC(O)-R21、C(O)-OR21、C(O)-R21、NR21R22、NR21-C(O)R22、C(O)-NR21R22、N[C(O)R21][C(O)R22]、SR21、卤素、CN、SiRSisRSitRSiu和OH中选择,L1和L2相互独立且在每次出现时从C6-30-芳基、5至30个成员的杂芳基中选择。
  • THIOPHENE MONOAMINE BASED ORGANIC-INORGANIC HYBRID PEROVSKITES
    申请人:Purdue Research Foundation
    公开号:US20200062740A1
    公开(公告)日:2020-02-27
    The present disclosure relates to novel thiophene monoamine based organic-inorganic hybrid perovskites, and the method of making and using the novel organic-inorganic hybrid perovskites.
    本公开涉及新型噻吩单胺基有机-无机混合钙钛矿材料,以及制备和使用这种新型有机-无机混合钙钛矿材料的方法。
  • Two-Dimensional Halide Perovskite Materials
    申请人:Purdue Research Foundation
    公开号:US20210343948A1
    公开(公告)日:2021-11-04
    The present disclosure relates to novel two-dimensional halide perovskite materials, and the method of making and using the two-dimensional halide perovskite materials.
    本公开涉及新型二维卤化物钙钛矿材料,以及制备和使用这些二维卤化物钙钛矿材料的方法。
  • [EN] SEMICONDUCTORS BASED ON SUBSTITUTED [1]BENZOTHIENO[3,2-b] [1]-BENZOTHIOPHENES<br/>[FR] SEMI-CONDUCTEURS BASÉS SUR DES [1]BENZOTHIÉNO[3,2-B]-[1]-BENZOTHIOPHÈNES SUBSTITUÉS
    申请人:HERAEUS CLEVIOS GMBH
    公开号:WO2012010292A1
    公开(公告)日:2012-01-26
    The present invention relates to compounds of the general formula (I) wherein Z corresponds to - a C1-C22-alkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), - a C5-C12-cycloalkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups— P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), - a C6-C14-aryl radical or heteroaryl radical from the group of the thienyl, pyrryl, furyl or pyridyl radicals substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -S03H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), or - a C7-C30-aralkyl radical optionally substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl) or a trialkylsilyl radical R5R6R7Si, in which R5, R6, R7 independently of each other are identical or different C1-C18-alkyl radicals. The present invention also relates to a semiconductor layer, an electronic component, a process for the production of an electronic component, the electronic component obtainable by this process and the use of compounds of the general formula (I).
    本发明涉及一般式(I)的化合物,其中Z对应于: - 一个被卤素、磷酸或磷酸酯基取代的C1-C22烷基基团 -P(O)(OR1)2(其中基团R1可以相同或不同,对应于氢原子或C1-C12烷基), - 磺酸基团-SO3H, - 卤代硅烷基团-SiHalnR23-n(其中R2 = C1-C18烷基,n = 1至3的整数), - 巯基团或三烷氧基硅烷基团-Si(OR3)3(其中R3 = C1-C18烷基), - 一个被卤素、磷酸或磷酸酯基取代的C5-C12环烷基团 -P(O)(OR1)2(其中基团R1可以相同或不同,对应于氢原子或C1-C12烷基), - 磺酸基团-SO3H, - 卤代硅烷基团-SiHalnR23-n(其中R2 = C1-C18烷基,n = 1至3的整数), - 巯基团或三烷氧基硅烷基团-Si(OR3)3(其中R3 = C1-C18烷基), - 一个被卤素、磷酸或磷酸酯基取代的C6-C14芳基或杂环芳基团,从噻吩基、吡咯基、呋喃基或吡啶基的群中选择 -P(O)(OR1)2(其中基团R1可以相同或不同,对应于氢原子或C1-C12烷基), - 磺酸基团-SO3H, - 卤代硅烷基团-SiHalnR23-n(其中R2 = C1-C18烷基,n = 1至3的整数), - 巯基团或三烷氧基硅烷基团-Si(OR3)3(其中R3 = C1-C18烷基), - 或一个可选地被卤素、磷酸或磷酸酯基取代的C7-C30芳基烷基团 -P(O)(OR1)2(其中基团R1可以相同或不同,对应于氢原子或C1-C12烷基), - 磺酸基团-SO3H, - 卤代硅烷基团-SiHalnR23-n(其中R2 = C1-C18烷基,n = 1至3的整数), - 巯基团或三烷氧基硅烷基团-Si(OR3)3(其中R3 = C1-C18烷基), - 或三烷基硅烷基团R5R6R7Si,其中R5、R6、R7相互独立且相同或不同的是C1-C18烷基。本发明还涉及半导体层、电子元件、电子元件的制备方法、通过该方法获得的电子元件以及一般式(I)的化合物的用途。
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