nitrilotriacetic acid trimethyl ester | 22241-07-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: nitrilotriacetic acid trimethyl ester
• 英文别名: trimethyl nitrilotriacetate；Nitrilotri-essigsaeure-trimethylester；Triglykolamidsaeure-trimethylester；methyl nitrilotriacetate；tris(methoxycarbonylmethyl)amine；Trimethyl 2,2',2''-nitrilotriacetate；methyl 2-[bis(2-methoxy-2-oxoethyl)amino]acetate
• CAS: 22241-07-2
• 化学式: C₉H₁₅NO₆
• 分子量: 233.221
• InChiKey: NHKRXCTYPGGSTL-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  167 °C(Press: 13 Torr)
• 密度：
  1.2130 g/cm3(Temp: 16.5 °C)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  82.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  nitrilotriacetic acid trimethyl ester 在 氨 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 60.0 ℃ 、1.0 MPa 条件下， 反应 8.0h， 以82%的产率得到N-(2-乙酰胺基)-2-亚氨基二乙酸
  参考文献：
  名称：

  一种2-[(2-氨基-2-氧乙基)-(羧甲基)氨基]乙酸的制备工艺

  摘要：

  本发明公开了一种2‑[(2‑氨基‑2‑氧乙基)‑(羧甲基)氨基]乙酸的制备工艺，先将结构为的反应物1与含氮化合物反应，然后将得到的中间产物与胺化试剂反应，即可得到2‑[(2‑氨基‑2‑氧乙基)‑(羧甲基)氨基]乙酸，式中，Y、Y1、Y2、Y3分别为OR，Z为卤素。本发明使用了价格较低的起始原料，能够大幅降低成本；且反应条件温和，后续纯化工艺简单，2‑[(2‑氨基‑2‑氧乙基)‑(羧甲基)氨基]乙酸收率高；本发明整个工艺的操作相对简单、易控制，有利于放大生产，缩短反应生产周期，也有助于2‑[(2‑氨基‑2‑氧乙基)‑(羧甲基)氨基]乙酸的学术研究等。

  公开号：

  CN111909047B
• 作为产物：
  描述：

  次氮基三乙酸 在 硫酸 、 potassium carbonate 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 以57 g (47%)的产率得到nitrilotriacetic acid trimethyl ester
  参考文献：
  名称：

  Carboxylic acid esters of hydroxyphenylalkanols as stabilizers

  摘要：

  公式I的新化合物如下：##STR1## 其中n是4到8之间的整数，m是1到4之间的整数，A是一元到四元羧酸的脂肪，芳香，芳基脂肪或杂环基团，R.sup.1和R.sup.1'分别是C.sub.1-C.sub.24烷基或C.sub.5-C.sub.8环烷基，适用于稳定有机材料抗热，氧化或光降解。

  公开号：

  US05510402A1

文献信息

• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• 一种制备海洋生物碱Baculif erin-L中间体的 合成方法
  申请人：浙江工业大学

  公开号：CN107602439B

  公开（公告）日：2020-06-23

  本发明公开了一种海洋生物碱Baculiferin‑L中间体的合成方法：从原料取代的氨基二乙酸出发经过酯化反应、Hinsberg反应、钯催化的Suzuki‑Miyaura反应、水解、脱羧、取代、还原、环化等反应最终得到一条适用于Baculiferin L中间体的全新的合成路线。本发明的工艺路线减少了昂贵催化剂的使用，大大提高了反应收率，使得本发明可以应用于放大生产。本发明的合成方法原料简单易得，条件温和，所用试剂对环境污染小，产率较高，稳定性好，成本低，可用于中试放大。
• [EN] BICYCLIC PEPTIDE LIGAND STING CONJUGATES AND USES THEREOF<br/>[FR] CONJUGUÉS LIGANDS PEPTIDIQUES BICYCLIQUES ET LEURS UTILISATIONS
  申请人：BICYCLERD LTD

  公开号：WO2019034866A1

  公开（公告）日：2019-02-21

  The present invention provides compounds, compositions thereof, and methods of using the same.

  本发明提供了化合物、其组合物以及使用方法。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• Resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Satoshi

  公开号：US20100009299A1

  公开（公告）日：2010-01-14

  The present invention relates to: a resist composition such as a chemically amplified resist composition for providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F 2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a patterning process utilizing the resist composition. The present invention provides a chemically amplified resist composition comprising one or more kinds of amine compounds or amine oxide compounds (except for those having a nitrogen atom of amine or amine oxide included in a ring structure of an aromatic ring) at least having a carboxyl group and having no hydrogen atoms covalently bonded to a nitrogen atom as a basic center.

  本发明涉及一种抗蚀组合物，例如用于在抗蚀物的基板侧边界面上提供优异图案轮廓的化学增感抗蚀组合物，除了在微细加工的光刻工艺中具有更高的分辨率外，特别是在采用KrF激光、ArF激光、F2激光、超短紫外光、电子束、X射线等作为曝光光源的光刻工艺中；以及利用该抗蚀组合物的图案化工艺。本发明提供一种化学增感抗蚀组合物，其包括一种或多种胺化合物或胺氧化合物（除了那些在芳香环的环结构中不含有胺或胺氧原子的氮原子的化合物），至少具有一个羧基，并且没有氢原子共价键结合到氮原子作为碱性中心。