1H-茚酚 | 56631-57-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 茚和异茚
• 中文名称: 1H-茚酚
• 英文名称: inden-1-ol
• 英文别名: 3-indenol；1-indenol；1H-Indenol；1H-inden-1-ol
• CAS: 56631-57-3
• 化学式: C₉H₈O
• 分子量: 132.162
• InChiKey: KWRSKZMCJVFUGU-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 稳定性/保质期：

  存在于主流烟气中。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.6
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1H-茚酚 在 4-苯基吡啶-N-氧化物 、 chloro{bis-N,N'-(salicylaldehyde)ethylenediiminato}chromium(III) 、 亚碘酰苯 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 6.0h， 以88%的产率得到1-茚酮
  参考文献：
  名称：

  （salen）铬配合物催化碘代苯将醇化学选择性CH氧化为羰基化合物

  摘要：

  通过（salen）Cr（III）配合物I作为催化剂和碘代苯作为氧源，将具有苄基和烯丙基活化的CH键的伯醇和仲醇化学选择性氧化为相应的羰基化合物。氧化物质是Cr（V）氧配合物。具有完全取代的双键的烯丙醇除CH氧化产物烯酮外，还提供相当数量的环氧化物，而饱和醇则不易被氧化。

  DOI：

  10.1021/jo9913457
• 作为产物：
  描述：

  茚满 在 ammonium peroxydisulfate 、 copper diacetate 作用下， 以 水 、 溶剂黄146 为溶剂， 生成 1H-茚酚
  参考文献：
  名称：

  Oxidation of styrene derivatives by peroxydisulfate(2-) ion-copper(II) in acetic acid and acetonitrile. Reaction paths in oxidations via radical cations

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja00336a043

文献信息

• [EN] PYRIDAZINONE DERIVATIVES AND USE THEREOF AS P2X7 RECEPTOR INHIBITORS<br/>[FR] DÉRIVÉS DE PYRIDAZINONE ET LEUR UTILISATION COMME INHIBITEURS DU RÉCEPTEUR P2X7
  申请人：NISSAN CHEMICAL IND LTD

  公开号：WO2009057827A1

  公开（公告）日：2009-05-07

  Novel pyridazinone compounds of formula (I), which inhibit the purinergic P2X7 receptor and are useful for prevention, therapy and improvement of inflammatory and immunological diseases.

  翻译结果为：新型的哒嗪酮化合物，其化学公式为(I)，能够抑制嘌呤能P2X7受体，并对预防、治疗和改善炎症性和免疫性疾病有益。
• MATERIAL FOR FORMING ORGANIC FILM, METHOD FOR FORMING ORGANIC FILM, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20210286266A1

  公开（公告）日：2021-09-16

  The present invention is a material for forming an organic film, including: a compound shown by the following general formula (1); and an organic solvent, where in the general formula (1), X represents an organic group with a valency of “n” having 2 to 50 carbon atoms or an oxygen atom, “n” represents an integer of 1 to 10 , and R 1 independently represents any of the following general formulae (2), where in the general formulae (2), broken lines represent attachment points to X, and Q 1 represents a monovalent organic group containing a carbonyl group, at least a part of which is a group shown by the following general formulae (3), where in the general formulae (3), broken lines represent attachment points, X 1 represents a single bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms optionally having a substituent when the organic group has an aromatic ring, R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group, and ** represents an attachment point. An object of the present invention is to provide a material for forming an organic film for forming an organic film having dry etching resistance, and also having high filling and planarizing properties and adhesion to a substrate.

  本发明是一种用于形成有机薄膜的材料，包括：由以下通用式（1）所示的化合物；和有机溶剂，在通用式（1）中，X代表具有2至50个碳原子或一个氧原子的价为“n”的有机基团，“n”表示1到10的整数，R1独立地表示以下通用式（2）中的任何一种，其中在通用式（2）中，虚线表示连接点到X，Q1表示含有羰基的一价有机基团，其中至少部分是以下通用式（3）所示的基团，其中在通用式（3）中，虚线表示连接点，X1表示单键或具有1到20个碳原子的二价有机基团，在有机基团具有芳香环时可选地具有取代基，R2表示氢原子、甲基基团、乙基基团或苯基团，**表示连接点。本发明的目的是提供一种用于形成具有干法刻蚀抗性的有机薄膜的材料，同时具有高填充和平整化性能以及对基底的粘附性。
• [EN] SULFONIMIDAMIDE COMPOUNDS AS NLRP3 MODULATORS<br/>[FR] COMPOSÉS DE SULFONIMIDAMIDE EN TANT QUE MODULATEURS DE NLRP3
  申请人：GENENTECH INC

  公开号：WO2021150574A1

  公开（公告）日：2021-07-29

  Described herein are compounds of Formula (I), Formula (I-A), and Formula (I-B), solvates thereof, tautomers thereof, and pharmaceutically acceptable salts of the foregoing, Further described herein are methods of inhibiting NLRP3 using said compounds, and methods of and compositions useful in treating NLRP3-dependent disorders.

  本文描述了式(I)、式(I-A)和式(I-B)的化合物，以及它们的溶剂化物、互变异构体和上述化合物的药用可接受盐，此外，本文还描述了使用这些化合物抑制NLRP3的方法，以及用于治疗NLRP3依赖性疾病的方法和组合物。
• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• COMPOUND, RESIN, MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PURIFYING THE COMPOUND OR RESIN
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20170073288A1

  公开（公告）日：2017-03-16

  The compound according to the present invention is represented by a specific formula. The compound according to the present invention has a structure according to the specific formula, and therefore can be applied to a wet process and is excellent in heat resistance and etching resistance. In addition, the compound according to the present invention has such a specific structure, and therefore has a high heat resistance, a relatively high carbon concentration, a relatively low oxygen concentration and also a high solvent solubility. Therefore, the compound according to the present invention can be used to form an underlayer film whose degradation is suppressed at high-temperature baking and which is also excellent in etching resistance to oxygen plasma etching or the like. Furthermore, the compound is also excellent in adhesiveness with a resist layer and therefore can form an excellent resist pattern.

  根据本发明，该化合物由特定的公式表示。根据本发明，该化合物具有特定公式的结构，因此可应用于湿法工艺，具有优异的耐热性和耐蚀性。此外，根据本发明，该化合物具有特定结构，因此具有高耐热性、相对较高的碳浓度、相对较低的氧浓度以及高溶剂溶解性。因此，根据本发明的化合物可用于形成在高温烘烤时降解受抑制且在氧等离子体蚀刻中具有优异耐蚀性的底层膜。此外，该化合物在与光阻层的粘附性方面也表现出色，因此可形成优异的光阻图案。