2,2'-Thiobis(α,α-dimethylbenzylalkohol) | 62750-57-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: 2,2'-Thiobis(α,α-dimethylbenzylalkohol)
• 英文别名: 2-[2-[2-(2-Hydroxypropan-2-yl)phenyl]sulfanylphenyl]propan-2-ol
• CAS: 62750-57-6
• 化学式: C₁₈H₂₂O₂S
• 分子量: 302.437
• InChiKey: RKARZXNGUWSNDD-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  94-98 °C(Solv: ethanol (64-17-5))
• 沸点：
  421.3±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.17±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.4
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  65.8
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2'-Thiobis(α,α-dimethylbenzylalkohol) 在 次氯酸叔丁酯 作用下， 生成 3,3,3',3'-Tetramethyl-1,1'-spirobi[2,1lambda4-benzoxathiole]
  参考文献：
  名称：

  带有邻硫官能团的亚砜和一氧化噻吨与格氏试剂的反应

  摘要：

  带有邻硫取代基的二芳基亚砜很容易与硫原子上的格氏试剂反应，生成相应的带有邻硫官能团的苯基格氏试剂。此外，发现一氧化噻蒽与烷基格氏试剂反应，得到二苯硫醚的 o,o'-双-格氏试剂，该试剂很容易转化为 Martin's 硫烷。

  DOI：

  10.1246/cl.1990.979
• 作为产物：
  描述：

  2,2'-thiodibenzoic acid chloride 在 氯化亚砜 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 72.0h， 生成 2,2'-Thiobis(α,α-dimethylbenzylalkohol)
  参考文献：
  名称：

  Hellwinkel, Dieter; Bohnet, Siegbert, Chemische Berichte, 1987, vol. 120, p. 1151 - 1174

  摘要：

  DOI：

文献信息

• FURUKAWA, NAOMICHI;OGAWA, SATOSHI;MATSUMURA, KAZUNORI;SHIBUTANI, TADAO;FU+, CHEM. LETT.,(1990) N, C. 979-982
  作者：FURUKAWA, NAOMICHI、OGAWA, SATOSHI、MATSUMURA, KAZUNORI、SHIBUTANI, TADAO、FU+

  DOI：——

  日期：——
• HELLWINKEL D.; BOHNET S., CHEM. BER., 120,(1987) N 7, 1151-1173
  作者：HELLWINKEL D.、 BOHNET S.

  DOI：——

  日期：——
• PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, ACTIVE-LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM AND MASK BLANK
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US20170121437A1

  公开（公告）日：2017-05-04

  A pattern forming method includes forming a film using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, exposing the film with active light or radiation, and developing the exposed film using a developer including an organic solvent, in which the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a compound having a partial structure represented by General Formula (I).
• RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20220155687A1

  公开（公告）日：2022-05-19

  A resist composition is provided comprising (A) a sulfurane or selenurane compound, (B) an organic solvent, and (C) a base polymer comprising repeat units having an acid labile group. By virtue of the acid diffusion inhibitory function of the compound, the resist composition forms a resist pattern having improved LWR and CDU when it is processed by lithography using high-energy radiation.
• TW2022/39759
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——