2,6-diethyl-4-tert-butylaniline | 67330-60-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2,6-diethyl-4-tert-butylaniline
• 英文别名: Aniline, 4-tert-butyl-2,6-diethyl-；4-tert-butyl-2,6-diethylaniline
• CAS: 67330-60-3
• 化学式: C₁₄H₂₃N
• 分子量: 205.343
• InChiKey: DXFBXESOGGKUEG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  284.5±19.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.916±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.5
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  26
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,6-diethyl-4-tert-butylaniline 在 水 、 calcium carbonate 作用下， 生成 N-(4-tert.-Butyl-2,6-diaethylphenyl)-N'-isobutylthioharnstoff
  参考文献：
  名称：

  DE2727529

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  4-叔丁基苯胺 在 potassium carbonate bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 (dppf)*CH₂Cl₂ 、 溴 、 caesium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 25.0h， 生成 2,6-diethyl-4-tert-butylaniline
  参考文献：
  名称：

  Mechanism of the Alternating Copolymerization of Epoxides and CO₂ Using β-Diiminate Zinc Catalysts:  Evidence for a Bimetallic Epoxide Enchainment

  摘要：

  A series of zinc beta-diiminate (BDI) complexes and their solid-state structures, solution dynamics, and copolymerization behavior with CO2 and cyclohexene oxide (CHO) are reported. Stoichiometric reactions of the copolymerization initiation steps show that zinc alkoxide and bis(trimethylsilyl)amido complexes insert CO2, whereas zinc acetates react with CHO. [(BDl-2)ZnOMe](2) [(BDI-2) = 2-((2,6-diethylphenyl)amido)-4-((2,6-diethylphenyl)imino)-2-pentene] and (BDI-1)(ZnOPr)-Pr-i [(BDI-1) = 2-((2,6-diisopropylphenyl)amido)-4-((2,6-diisopropylphenyl)imino)-2-pentene] react with CO2 to form [(BDI-2)Zn(mu-OMe) (mu,eta(2)-O2COMe)Zn(BDI-2)] and [(BDI-1)Zn(mu-eta(2)-(O2COPr)-Pr-i)](2), respectively. (BDI-2)ZnN(SiMe3)(2) inserts CO2 and eliminates trimethylsilyl isocyanate to give [(BDI-2)Zn(mu-OSiMe3)](2). [(BDI-7)Zn(mu-OAc)](2) [(BDI-7) = 3-cyano-2-((2,6-diethylphenyl) amido)-4-((2,6-diethylphenyl)imino)-2-pentene) reacts with 1.0 equiv of CHO to yield [(BDI-7)Zn(mu,eta(2)-OAc)-(mu,eta(1)-OCyOAc)Zn(BDI-7)]. Under typical polymerization conditions, rate studies on the copolymerization exhibit no dependence in [CO2], a first-order dependence in [CHO], and orders in [Zn]tot ranging from 1.0 to 1.8 for [(BDI)ZnOAc] complexes. The copolymerizations of CHO (1.98 M in toluene) and 300 Psi CO2 at 50 degreesC using [(BDI-1)ZnOAc] and [(BDI-2)ZnOAc] show orders in [Zn](tot) of 1.73 +/- 0.06 and 1.02 +/- 0.03, respectively. We propose that two zinc complexes are involved in the transition state of the epoxide ring-opening event.

  DOI：

  10.1021/ja030085e

文献信息

• Neue N-Aryl-N'-alkyl-S-alkyl-isothioharnstoffe, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung als Mittel zur Bekämpfung von tierischen und pflanzlichen Schädlingen
  申请人：BAYER AG

  公开号：EP0000365A1

  公开（公告）日：1979-01-24

  Die vorliegende Erfindung betrifft neue N-Aryl-N'- alkyl-S-alkyl-isothioharnstoffe, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung als Mittel zur Bekämpfung von tierischen und pflanzlichen Schädlingen, insbesondere als Ektoparasitizide, Insektizide und Akarizide.

  本发明涉及新型 N-芳基-N'-烷基-S-烷基-异硫脲类化合物、其制备工艺及其作为控制动植物害虫的药剂，特别是作为杀寄生虫剂、杀虫剂和杀螨剂的用途。
• Verfahren zur Herstellung von 4-substituierten 2,6-Dialkylanilinen
  申请人：LONZA AG

  公开号：EP0492473A1

  公开（公告）日：1992-07-01

  Es wird ein neues Verfahren zur Herstellung von 4-substituierten 2,6-Dialkylanilinen der allgemeinen Formel beschrieben. Dazu wird ein 2,6-Dialkylanilin mit α-Methylstyrol, mit Diisobutylen oder mit Isobuten in Gegenwart eines Katalysators umgesetzt.

  一种制备通式为 4-取代的 2,6-二烷基苯胺的新工艺 的新工艺。为此，2,6-二烷基苯胺在催化剂存在下与α-甲基苯乙烯、二异丁烯或异丁烯反应。
• Composition for forming a resist upper-layer film and method for producing a semiconductor device using the composition
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10042258B2

  公开（公告）日：2018-08-07

  This composition for forming an extreme-ultraviolet (EUV) or electron-beam upper-layer resist film including (a) a polymer (P) and (b) a solvent, the solvent containing 1 to 13 mass % of a C4-12 ketone compound with respect to the entire solvent, is used in the lithography process of a procedure for manufacturing a semiconductor device. Without needing to be intermixed with a resist, and particularly on the occasion of EUV exposure, the composition for forming an EUV or electron-beam upper-layer resist film blocks undesirable exposure light, e.g., ultraviolet (UV) or deep ultraviolet (DUV) rays, and selectively transmits only the EUV rays, and can be developed using a developing solution after exposure.

  这种用于形成极紫外（EUV）或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物包括（a）聚合物（P）和（b）溶剂，溶剂中的C4-12酮化合物占整个溶剂的1-13质量％，用于半导体设备制造过程中的光刻工艺。这种用于形成 EUV 或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物无需与抗蚀剂混合，尤其是在进行 EUV 曝光时，可阻挡不希望的曝光光（例如紫外线 (UV) 或深紫外线 (DUV)），并选择性地只透射 EUV 射线，曝光后可使用显影液进行显影。
• DE2801376
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• DE2730620
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——

表征谱图