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Acetic acid, trifluoro-, cerium(3+) salt | 52118-96-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
Acetic acid, trifluoro-, cerium(3+) salt
英文别名
cerium(III) trifluoroacetate;cerim(III) trifluoroacetate;trifluoro-acetic acid ; cerium (III)-trifluoroacetate;Trifluor-essigsaeure; Cer(III)-trifluoracetat
Acetic acid, trifluoro-, cerium(3+) salt化学式
CAS
52118-96-4;70236-93-0
化学式
3C2F3O2*Ce
mdl
——
分子量
479.168
InChiKey
GTEIKMPROVCPMD-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 溶解度:
    sol acetone, DME, DMSO, acetonitrile, TFA containing lithium trifluoroacetate; insol chloroform, dichloromethane, benzene.

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.7
  • 重原子数:
    8.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    40.13
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    2.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    YBCO超导体织构镍合金基体溶液沉积氧化铈薄膜的研究
    摘要:
    氧化铈 (CeO{sub 2}) 缓冲层对于使用滚压辅助双轴织构基底开发 YBa{sub 2}Cu{sub 3}O{sub 7-x} (YBCO) 基超导带发挥重要作用( RABiTS) 方法。化学溶液沉积 (CSD) 方法已用于在具有各种起始氧化铈前体的纹理化 Ni-3 at.% W 合金基板上生长外延 CeO{sub 2} 薄膜。前体如乙酸铈、乙酰丙酮酸铈、2-乙基己酸铈、硝酸铈和三氟乙酸铈在合适的溶剂中制备。这些铈前体的最佳生长条件是 Ar-4% H{sub 2} 气体处理气氛、0.2-0.5 M 的溶液浓度水平、15 分钟的停留时间和 1050-1150 度的工艺温度范围。C. X 射线衍射、AFM、SEM、和光学显微镜被用来表征 CeO{sub 2} 薄膜。高度织构的 CeO{sub 2} 层是在 Ni-W 衬底上获得的,醋酸铈和乙酰丙酮酸铈作为起始前体。在具有溅射 YSZ 和 CeO{sub
    DOI:
    10.1016/j.materresbull.2005.11.015
  • 作为产物:
    描述:
    cerium(III) acetate 、 三氟乙酸 以 not given 为溶剂, 生成 Acetic acid, trifluoro-, cerium(3+) salt
    参考文献:
    名称:
    Singh, Sukhjinder; Verma, Maninder; Verma, Rajendar D., Indian Journal of Chemistry, Section A: Inorganic, Physical, Theoretical and Analytical, 1984, vol. 23, # 12, p. 1038 - 1040
    摘要:
    DOI:
  • 作为试剂:
    描述:
    3-苯氧基甲苯Acetic acid, trifluoro-, cerium(3+) salt三氟乙酸 作用下, 以 为溶剂, 反应 1.0h, 以37%的产率得到间苯氧基苯甲醛
    参考文献:
    名称:
    Oxidation of m-phenoxytoluene with ceric trifluoroacetate
    摘要:
    DOI:
    10.1021/jo00157a021
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文献信息

  • Optically active uniform potassium and lithium rare earth fluoride nanocrystals derived from metal trifluroacetate precursors
    作者:Ya-Ping Du、Ya-Wen Zhang、Ling-Dong Sun、Chun-Hua Yan
    DOI:10.1039/b909145a
    日期:——
    reaction temperature and time on the crystal phase purity, shape, and size of the as-prepared nanocrystals have been investigated in detail. The formation of monodisperse nanocrystals is found to strongly depend upon the nature of both alkali metals from Li to K, and the rare earth series from La to Lu and Y. Based on the series of experimental results, a controlled-growth mechanism has also been proposed
    本文报道了具有不同形状(立方KLaF4和KCeF4蠕虫状纳米线,纳米立方体和纳米多面体;立方LiREF4(RE = Pr to Gd,Y)纳米多面体;通过在热油酸/油胺/ 1-中共同加热Li(CF3COO)或K(CF3COO)和RE(CF3COO)3共同热解四方LiREF4(RE = Tb对应Lu,Y)菱形纳米板)十八碳烯溶液。已经详细研究了溶剂组成,反应温度和时间对制备的纳米晶体的晶相纯度,形状和尺寸的影响。发现单分散纳米晶体的形成在很大程度上取决于从Li到K的碱金属以及从La到Lu和Y的稀土系列的性质。基于一系列的实验结果,还提出了一种受控增长机制。另外,评估了为设计的发光特性掺杂这些刚合成的主体纳米晶体的难易程度。例如,单分散和单晶掺杂Eu3 +的KGdF4,Yb3 +和Er3 +共掺杂的LiYF4纳米晶体重新分散在环己烷中,在紫外(UV)激发和近红外(NIR)980 nm激光激发下分别显示可见的室温红色和绿色发射。
  • 一类金属羰基钴簇与La、Ce形成的桥连配合 物及其制备方法和应用
    申请人:内蒙古大学
    公开号:CN102850406B
    公开(公告)日:2017-07-18
    本发明公开了一类金属羰基钴簇与La、Ce形成的桥连配合物及其制备方法,以及该类配合物在合成气转油(F‑T反应)固定床和浆态床催化反应中的应用。该配合物具有说明书所述的结构通式。本发明催化剂制备方法简便,助剂元素与活性组分以分子的形式同时引入,助剂与活性组分分布均匀,助剂效应较为显著,有效地改善了催化剂的活性和选择性。
  • Singh, Sukhjinder; Verma, Maninder; Verma, Rajendar D., Indian Journal of Chemistry, Section A: Inorganic, Physical, Theoretical and Analytical, 1984, vol. 23, # 12, p. 1038 - 1040
    作者:Singh, Sukhjinder、Verma, Maninder、Verma, Rajendar D.
    DOI:——
    日期:——
  • Studies of solution deposited cerium oxide thin films on textured Ni-alloy substrates for YBCO superconductor
    作者:E. Stewart、M.S. Bhuiyan、S. Sathyamurthy、M. Paranthaman
    DOI:10.1016/j.materresbull.2005.11.015
    日期:2006.6
    Cerium oxide (CeOsub 2}) buffer layers play an important role for the development of YBasub 2}Cusub 3}Osub 7-x} (YBCO) based superconducting tapes using the rolling assisted biaxially textured substrates (RABiTS) approach. The chemical solution deposition (CSD) approach has been used to grow epitaxial CeOsub 2} films on textured Ni-3 at.% W alloy substrates with various starting precursors of
    氧化铈 (CeOsub 2}) 缓冲层对于使用滚压辅助双轴织构基底开发 YBasub 2}Cusub 3}Osub 7-x} (YBCO) 基超导带发挥重要作用( RABiTS) 方法。化学溶液沉积 (CSD) 方法已用于在具有各种起始氧化铈前体的纹理化 Ni-3 at.% W 合金基板上生长外延 CeOsub 2} 薄膜。前体如乙酸铈、乙酰丙酮酸铈、2-乙基己酸铈、硝酸铈和三氟乙酸铈在合适的溶剂中制备。这些铈前体的最佳生长条件是 Ar-4% Hsub 2} 气体处理气氛、0.2-0.5 M 的溶液浓度水平、15 分钟的停留时间和 1050-1150 度的工艺温度范围。C. X 射线衍射、AFM、SEM、和光学显微镜被用来表征 CeOsub 2} 薄膜。高度织构的 CeOsub 2} 层是在 Ni-W 衬底上获得的,醋酸铈和乙酰丙酮酸铈作为起始前体。在具有溅射 YSZ 和 CeOsub
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