三乙酰氧基丁基锡烷 | 14764-54-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 中文名称: 三乙酰氧基丁基锡烷
• 英文名称: Triacetoxybutylstannane
• 英文别名: n-butyltriacetoxytin；tri-n-butyl tin acetate；Diacetyloxy(butyl)stannanylium;acetate；diacetyloxy(butyl)stannanylium;acetate
• CAS: 14764-54-6
• 化学式: C₁₀H₁₈O₆Sn
• 分子量: 352.959
• InChiKey: DIVTWACHZOQOBF-UHFFFAOYSA-K

物化性质

• 沸点：
  305.7±25.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.41
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.7
• 拓扑面积：
  78.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

安全信息

• 海关编码：
  2931900090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三乙酰氧基丁基锡烷 、 三正丁基乙酸锡 生成 二乙酸二丁基锡
  参考文献：
  名称：

  JP65-2336

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  丁基三氯化锡 、 溶剂黄146 反应 12.0h， 生成 三乙酰氧基丁基锡烷
  参考文献：
  名称：

  SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION

  摘要：

  一种半导体光阻组合物包括由化学式1表示的有机金属化合物，具有在25°C时小于或等于约1.0 mmHg的蒸汽压和约3到约5的pKa的有机酸，以及溶剂。利用该组合物形成光阻图案的方法。

  公开号：

  US20210356861A1

文献信息

• Process for Production of Alkyl Tin Alkoxide Compound, and Process for Production of Carbonic Acid Ester Using the Compound
  申请人：Shinohata Masaaki

  公开号：US20100292496A1

  公开（公告）日：2010-11-18

  The present invention provides a process for producing: a compound represented by XOR 2 ; a dialkyl tin dialkoxide compound having one tin atom, two Sn—R 1 bonds and two Sn—OR 2 bonds; and/or a tetraalkyl dialkoxy distannoxane compound having one Sn—O—Sn bond, in which each tin atom of the tetraalkyl dialkoxy distannoxane compound has two Sn—R 1 bonds and one Sn—OR 2 bond, the process comprising reacting in the absence of a catalyst at least one alkyl tin compound selected from the group consisting of i) and ii) below: i) a dialkyl tin compound having one tin atom, two Sn—R 1 (wherein R 1 represents an alkyl group) bonds, and two Sn—OX bonds (wherein OX is a group in which HOX that is a conjugate acid of OX is a Bronsted acid having a pKa of from 0 to 6.8); and ii) a tetraalkyl distannoxane compound having one Sn—O—Sn bond, in which each tin atom of the tetraalkyl distannoxane compound has two Sn—R 1 bonds and one Sn—OX bond (wherein OX is a group in which HOX that is a conjugate acid of OX is a Bronsted acid having a pKa of from 0 to 6.8); and a carbonic acid ester represented by R 2 OCOOR 2 (wherein R 2 represents a linear or branched, saturated or unsaturated hydrocarbon group, a hydrocarbon group having a saturated or unsaturated cyclic hydrocarbon substituent, or a Y—CH 2 — group (wherein Y represents an alkyl polyalkylene group, an aromatic group or a cyclic saturated or unsaturated alkylene ether group)), and/or an alcohol represented by R 2 OH (wherein R 2 is the same as defined above).

  本发明提供了一种生产过程：产生一个由XOR表示的化合物；具有一个锡原子、两个Sn—R1键和两个Sn—OR2键的二烷基锡二烷氧化合物；和/或具有一个Sn—O—Sn键的四烷基二烷氧基二锡烷氧化合物，其中四烷基二烷氧基二锡烷氧化合物的每个锡原子具有两个Sn—R1键和一个Sn—OR2键，所述过程包括在缺乏催化剂的情况下反应以下所述组中选择的至少一种烷基锡化合物： i) 具有一个锡原子、两个Sn—R1（其中R1代表烷基基团）键和两个Sn—OX键（其中OX是HOX的共轭酸，HOX是具有从0到6.8的pKa的Bronsted酸的群）的二烷基锡化合物；和 ii) 具有一个Sn—O—Sn键的四烷基二锡烷氧化合物，其中四烷基二锡烷氧化合物的每个锡原子具有两个Sn—R1键和一个Sn—OX键（其中OX是HOX的共轭酸，HOX是具有从0到6.8的pKa的Bronsted酸的群）；和 由R2OCOOR2（其中R2代表线性或支链、饱和或不饱和碳氢基团、具有饱和或不饱和环烃取代基的碳氢基团，或Y—CH2—基团（其中Y代表烷基多聚烯基基团、芳香基团或环状饱和或不饱和烷基醚基团））表示的碳酸酯；和/或 由R2OH（其中R2与上述定义相同）表示的醇。
• SEMICONDUCTOR RESIST COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20200117085A1

  公开（公告）日：2020-04-16

  This disclosure relates to a semiconductor resist composition including an organometallic compound represented by Chemical Formula 1 and a solvent, and to a method of forming patterns using the composition: wherein, in Chemical Formula 1, R 1 is an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or an -alkylene-O-alkyl group, and R 2 to R 4 are each independently selected from —OR a and —OC(═O)R b .

  这份披露涉及一种包括化学式1所代表的有机金属化合物和溶剂的半导体抗蚀组合物，以及使用该组合物形成图案的方法：在化学式1中，R1是脂肪烃基、芳香烃基或-烷基-氧-烷基，R2到R4分别独立地选自—ORa和—OC(═O)Rb。
• SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20210356861A1

  公开（公告）日：2021-11-18

  A semiconductor photoresist composition includes an organometallic compound represented by Chemical Formula 1, an organic acid having a vapor pressure of less than or equal to about 1.0 mmHg at 25° C., and a pKa of about 3 to about 5, and a solvent. A method of forming photoresist patterns utilizes the composition.

  一种半导体光阻组合物包括由化学式1表示的有机金属化合物，具有在25°C时小于或等于约1.0 mmHg的蒸汽压和约3到约5的pKa的有机酸，以及溶剂。利用该组合物形成光阻图案的方法。
• Mechanistic elucidation of monoalkyltin(<scp>iv</scp>)-catalyzed esterification
  作者：Lukas A. Wolzak、Joen J. Hermans、Folkert de Vries、Keimpe J. van den Berg、Joost N. H. Reek、Moniek Tromp、Ties J. Korstanje

  DOI：10.1039/d1cy00184a

  日期：——

  Monoalkyltin(IV) complexes are well-known catalysts for esterification reactions and polyester formation, yet the mode of operation of these Lewis acidic complexes is still unknown. Here, we report on mechanistic studies of n-butylstannoic acid in stoichiometric and catalytic reactions, analyzed by NMR, IR and MS techniques. While the chemistry of n-butyltin(IV) carboxylates is dominated by formation

  单烷基锡( IV )络合物是众所周知的酯化反应和聚酯形成催化剂，但这些路易斯酸性络合物的操作模式仍然未知。在此，我们报告了正丁基锡酸在化学计量和催化反应中的机理研究，并通过 NMR、IR 和 MS 技术进行了分析。虽然正丁基锡( IV )羧酸盐的化学性质主要是形成多核锡组装体，但我们发现在催化相关条件下仅存在单体n -BuSn(OAc) 3和二聚体( n -BuSnOAc 2 OEt) 2 。密度泛函理论 (DFT) 计算为单核机制提供了支持，其中n -BuSn(OAc) 3和二聚体 ( n -BuSnOAc 2 OEt) 2被视为非循环物质，并表明碳-氧键断裂是速率决定步骤。
• SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR PREPARING THEREOF AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20220194968A1

  公开（公告）日：2022-06-23

  A semiconductor photoresist composition includes an organotin compound represented by Chemical Formula 1, and a solvent. A method for preparing the same, and a method of forming patterns utilizing the same are disclosed. Specific details of Chemical Formula 1 are as defined in the specification.

  一种半导体光刻胶组合物，包括由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。公开了制备该组合物的方法以及利用该组合物形成图案的方法。化学式1的具体细节在规范中定义。