N,N''-(4-甲基-1,3-亚苯基)二[N'-甲基脲] | 60903-51-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: N,N''-(4-甲基-1,3-亚苯基)二[N'-甲基脲]
• 英文名称: 1,1'-(4-methyl-1,3-phenylene)bis(3-methylurea)
• 英文别名: N,N''-(4-Methyl-1,3-phenylene)bis[N'-methylurea]；1-methyl-3-[2-methyl-5-(methylcarbamoylamino)phenyl]urea
• CAS: 60903-51-7
• 化学式: C₁₁H₁₆N₄O₂
• 分子量: 236.274
• InChiKey: ZHNZOYGZVBMVGZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  315-320 °C(Solv: N,N-dimethylformamide (68-12-2))
• 沸点：
  344.6±42.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.246±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.27
• 拓扑面积：
  82.3
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  2

安全信息

• 海关编码：
  2924299090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N''-(4-甲基-1,3-亚苯基)二[N'-甲基脲] 在 potassium tert-butylate 、 氢气 、 C₂₄H₃₂ClN₂OPRu 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 120.0 ℃ 、5.0 MPa 条件下， 反应 22.0h， 以48%的产率得到2,4-二氨基甲苯
  参考文献：
  名称：

  工业级聚酰胺66和聚氨酯材料加氢解聚

  摘要：

  化学回收为利用塑料废物提供了一种有前景的解决方案。在这里，开发了聚酰胺 66 (PA 66) 和聚氨酯 (PU) 的催化氢化解聚。该系统在 THF 溶液中在高温（200°C）下使用 Ru 钳形配合物，即使是工业级聚合物也可以在这些条件下以令人满意的产率氢化。该系统与一些已知的多相催化剂的比较以及催化剂中毒测试支持了系统的均质性。这些结果证明了化学回收利用重新获得聚合物构建块的潜力，并且对聚合物氢化的进一步发展具有重要意义。

  DOI：

  10.1002/cssc.202002465
• 作为产物：
  描述：

  钝叶扁柏氨基甲酸酯 A; 4-甲基苯-1,3-二氨基甲酸二甲酯 在 montmorillonite K₁₀ Clay 作用下， 以 N-甲基吡咯烷酮 为溶剂， 反应 0.5h， 生成 N,N''-(4-甲基-1,3-亚苯基)二[N'-甲基脲]
  参考文献：
  名称：

  钝氨基甲酸酯A衍生物的合成及镇咳作用

  摘要：

  摘要 Obtucarbamate A 是从广州市 Disporum cantoniense 中纯化得到的，具有良好的镇咳作用。在目前的工作中，以obtucarbamate A为原料，通过微波法设计合成了一系列obtucarbamate A衍生物，并对其镇咳活性进行了评价。结果表明，采用简单的方法，以1-甲基-2-吡咯烷酮为溶剂，温度为190 ℃，微波60 W功率照射30 min，得到甲苯二异氰酸酯，产率95.1%。所有化合物均具有良好的镇咳活性，酯链和氨基的空间位阻小不饱和基团有利于活性。首次报道了钝氨基甲酸酯衍生物用作镇咳药，该结果为钝氨基甲酸酯衍生物作为新型镇咳药的应用提供了依据。图形概要

  DOI：

  10.1080/00397911.2020.1762093

文献信息

• Cleaning agent for semiconductor device and cleaning method using the same
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：EP2045318A1

  公开（公告）日：2009-04-08

  The present invention provides a cleaning agent for cleaning a semiconductor device having copper wiring on the surface thereof following a chemical mechanical polishing process in a production process of a semiconductor device, including a compound represented by the following formula (I):         X1-L-X2     formula (I) wherein, in formula (I), X1 and X2 each independently represent a monovalent substituent formed by removing one hydrogen atom from a heterocycle containing at least one nitrogen atom, and L represents a divalent linking group; and provides a cleaning method using the cleaning agent.

  本发明提供了一种清洁剂，用于在半导体器件的生产过程中经过化学机械抛光工序后清洁表面有铜线的半导体器件，包括由下式(I)表示的化合物： X1-L-X2 式（I） 其中，在式(I)中，X1 和 X2 各自独立地代表通过从含有至少一个氮原子的杂环中移除一个氢原子而形成的一价取代基，L 代表二价连接基团；并提供一种使用该清洗剂的清洗方法。
• IVANOV N. A.; VLASOVA R. V.; GONCHAROVA V. A.; SMIRNOV L. N., IZV. VYSSH. UCHEB. ZAVEDENIJ. XIMIYA I XIM. TEXNOL. <IVUK-AR>, 1976, 19, +
  作者：IVANOV N. A.、 VLASOVA R. V.、 GONCHAROVA V. A.、 SMIRNOV L. N.

  DOI：——

  日期：——
• CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND CLEANING METHOD USING THE SAME
  申请人：NISHIWAKI Yoshinori

  公开号：US20090088361A1

  公开（公告）日：2009-04-02

  The present invention provides a cleaning agent for cleaning a semiconductor device having copper wiring on the surface thereof following a chemical mechanical polishing process in a production process of a semiconductor device, including a compound represented by the following formula (I): X 1 -L—X 2 formula (I) wherein, in formula (I), X 1 and X 2 each independently represent a monovalent substituent formed by removing one hydrogen atom from a heterocycle containing at least one nitrogen atom, and L represents a divalent linking group; and provides a cleaning method using the cleaning agent.
• POLISHING LIQUID FOR METAL AND POLISHING METHOD USING THE SAME
  申请人：TOMIGA Takamitsu

  公开号：US20090239380A1

  公开（公告）日：2009-09-24

  A liquid for polishing a metal is provided that is used for chemically and mechanically polishing a conductor film including copper or a copper alloy in production of a semiconductor device, and a polishing method using the metal-polishing liquid is also provided. The liquid includes: (a) colloidal silica particles having an average primary particle size of from 10 nm to 25 nm and an average secondary particle size of from 50 nm to 70 nm; (b) a metal anticorrosive agent; (c) at least one compound selected from the group consisting of a surfactant and a water-soluble polymer compound; (d) an oxidizing agent; and (e) an organic acid.
• Metal polishing slurry and chemical mechanical polishing method
  申请人：Yoshikawa Masaru

  公开号：US20100075500A1

  公开（公告）日：2010-03-25

  The invention provides a metal polishing slurry containing a compound represented by the general formula (1): (X 1 ) n -L wherein X 1 represents a heterocycle containing at least one nitrogen atom, n represents an integer of 2 or more, and L represents a linking group having a valence of 2 or more, provided that X 1 s whose number is n may be the same or different, an oxidizer and an organic acid; and a method of chemical mechanical polishing using such slurry. The metal polishing slurry and the chemical mechanical polishing method are used in chemical mechanical polishing in the step of manufacturing semiconductor devices and enable a high polishing rate to be achieved while causing minimal dishing in polishing an object (wafer).