3-((4-(tert-butyl)phenyl)sulfonyl)propanoic acid

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 3-((4-(tert-butyl)phenyl)sulfonyl)propanoic acid
• 英文别名: 3-[(4-Tert-butylphenyl)sulfonyl]propanoic acid；3-(4-tert-butylphenyl)sulfonylpropanoic acid
• 化学式: C₁₃H₁₈O₄S
• mdl: MFCD09893533
• 分子量: 270.35
• InChiKey: TZZBSJCFURDXGQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.461
• 拓扑面积：
  79.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  对叔丁基苯磺酰氯 在 一水合肼 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 8.5h， 生成 3-((4-(tert-butyl)phenyl)sulfonyl)propanoic acid
  参考文献：
  名称：

  磺酰肼与 α, β-不饱和丙酸的水促进迈克尔加成反应生成 3-砜丙酸

  摘要：

  水促进磺酰肼与α,β不饱和丙酸发生迈克尔加成反应，得到高收率的3-磺基丙酸化合物。该反应可以在环保条件下顺利进行，所有催化剂、配体或有机溶剂均可完全被水替代。该反应结晶纯化工艺简单、高效、易得3-亚砜丙酸。

  DOI：

  10.1002/ejoc.202101456

文献信息

• 一种3-磺酰基丙酸类化合物的合成方法
  申请人：济南大学

  公开号：CN106631927B

  公开（公告）日：2019-02-19

  本发明公开了一种3‑磺酰基丙酸的合成方法，以取代磺酰肼和α，β‑不饱和羧酸类化合物为原料，水做溶剂，反应即生成3‑磺酰基丙酸，反应结束后，经简单的分离即可得到3‑磺酰基丙酸。该方法一步反应即可得到3‑磺酰基丙酸，溶剂绿色，产率高。一步直接合成得到的丙酸类化合物是重要的医药中间体，为化工合成领域提供了新的合成磺酰基基取代羧酸化合物的方法手段。
• Visible Light‐Driven, Persulfate‐Mediated Hydrocarboxylation of Vinylsulfones
  作者：Ádám Márk Pálvölgyi、Fabian Scharinger、Thomas Bauhoff、Katharina Bica‐Schröder

  DOI：10.1002/adsc.202300654

  日期：2023.9.19

  accessible sodium formate as C1-source and K2S2O8 as reagent, a set of vinylsulfone substrates could be efficiently hydrocarboxylated in aqueous medium without any additional catalyst or reagent; and the concept could be also applied for direct hydroacylations, hydroalkylations and hydrophosphorylations. The control experiments clearly indicated that the reaction proceeds via radical mechanism without

  我们报告了一种可见光介导的乙烯砜衍生物自由基加氢羧化方法。使用廉价易得的甲酸钠作为C1源，K 2 S 2 O 8作为试剂，一组乙烯基砜底物可以在水介质中有效地加氢羧化，无需任何额外的催化剂或试剂；该概念也可应用于直接加氢酰化、加氢烷基化和加氢磷酸化。对照实验清楚地表明该反应通过自由基机制进行，没有生成电子供体-受体（EDA）复合物；支持K 2 S 2 O 8原位引发的工作模型形成CO 2自由基阴离子。
• RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20170045820A1

  公开（公告）日：2017-02-16

  A composition for forming a resist underlayer film which make possible to form a desired high-adhesion resist pattern. A resist underlayer film-forming composition for lithography containing a polymer having the following structure Formula (1) or (2) at a terminal of a polymer chain, crosslinker, compound promoting crosslinking reaction, and organic solvent. (wherein R 1 is a C 1-6 alkyl group optionally having a substituent, phenyl group, pyridyl group, halogeno group, or hydroxy group, R 2 is a hydrogen atom, a C 1-6 alkyl group, hydroxy group, halogeno group, or ester group of —C(═O)O—X wherein X is a C 1-6 alkyl group optionally having a substituent, R 3 is a hydrogen atom, a C 1-6 alkyl group, hydroxy group, or halogeno group, R 4 is a direct bond or divalent C 1-8 organic group, R 5 is a divalent C 1-8 organic group, A is an aromatic ring or heteroaromatic ring, t is 0 or 1, and u is 1 or 2.)
• US9910354B2
  申请人：——

  公开号：US9910354B2

  公开（公告）日：2018-03-06