silicon dicarbide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物
• 英文名称: silicon dicarbide
• 化学式: C₂Si
• 分子量: 52.1075
• InChiKey: YXAAJYOVRIZQLN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.38
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon dicarbide 在 氢气 作用下， 生成 1-silacyclopropenylidene
  参考文献：
  名称：

  Maier, Guenther; Reisenauer, Hans Peter; Pacl, Harald, Angewandte Chemie, 1994, vol. 106, # 12, p. 1347 - 1349

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  苯硅烷 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 silicon dicarbide 、 silacarbene
  参考文献：
  名称：

  苯硅烷在193 nm光解中SiC 2自由基的形成和衰减

  摘要：

  发现在细胞和分子束条件下，苯硅烷的193 nm光解均易于形成SiC 2自由基。基态的自由基的反应性很低。即使在电子激发状态下，它对饱和烃也是惰性的。发现由不饱和烃C 2 H 4淬灭的速率为9.6×10 -11 cm 3分子-1 s -1。

  DOI：

  10.1016/0009-2614(93)89205-v

文献信息

• Rate coefficients for the reactions of Si(3PJ) with C2H2 and C2H4: Experimental results down to 15 K
  作者：A. Canosa、S. D. Le Picard、S. Gougeon、C. Rebrion-Rowe、D. Travers、B. R. Rowe

  DOI：10.1063/1.1396855

  日期：2001.10.8

  hence determine the rate coefficients. Both reactions are found to be fast, and the reaction rates show a very mild dependence on temperature. The rate coefficients match the expressions k(Si+C2H2)=(2.6±0.6)10−10(T/300)−(0.71±0.24) exp(−(29±10)/T) cm3 molecule−1 s−1 and k(Si+C2H4)=(3.7±0.3)10−10(T/300)−(0.34±0.10) exp(−(16±4)/T) cm3 molecule−1 s−1 in the temperature range 15–300 K. The nature of the

  基态硅原子 Si(3PJ) 与乙炔和乙烯反应的速率系数已在低至 15 K 的温度下测量。实验已在连续流动 CRESU（Cinetique de Reaction en Ecoulement Supersonique Uniforme）设备中进行，使用Si(CH3)4 的脉冲激光光解产生 Si(3PJ) 原子和激光诱导荧光观察原子的动力学衰减，从而确定速率系数。发现这两种反应都很快，并且反应速率显示出对温度的非常温和的依赖性。速率系数匹配表达式 k(Si+C2H2)=(2.6±0.6)10-10(T/300)-(0.71±0.24) exp(-(29±10)/T) cm3 分子-1 s-1和 k(Si+C2H4)=(3.7±0.3)10−10(T/300)−(0.34±0.10) exp(−(16±4)/T) cm3 分子−1 s−1 在温度范围 15 –300 K。
• Maier, Guenther; Reisenauer, Hans Peter; Pacl, Harald, Angewandte Chemie, 1994, vol. 106, # 12, p. 1347 - 1349
  作者：Maier, Guenther、Reisenauer, Hans Peter、Pacl, Harald

  DOI：——

  日期：——
• Formation and decay of SiC2 radicals on the 193 nm photolysis of phenylsilane
  作者：Haruki Ishikawa、Okitsugu Kajimoto

  DOI：10.1016/0009-2614(93)89205-v

  日期：1993.3

  The SiC2 radical was found to be formed easily by the 193 nm photolysis of phenylsilane, both in cell and molecular beam conditions. The reactivity of the radical in the ground state was quite low. Even in the electronically excited à state, it is inert towards saturated hydrocarbons. The rate of quenching by an unsaturated hydrocarbon, C2H4, is found to be 9.6 × 10−11 cm3 molecule−1 s−1.

  发现在细胞和分子束条件下，苯硅烷的193 nm光解均易于形成SiC 2自由基。基态的自由基的反应性很低。即使在电子激发状态下，它对饱和烃也是惰性的。发现由不饱和烃C 2 H 4淬灭的速率为9.6×10 -11 cm 3分子-1 s -1。