silacarbene | 13825-90-6

• 物质功能分类: 无机化工 - 单质
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: silacarbene
• 英文别名: silylene R；silylene
• CAS: 13825-90-6
• 化学式: H₂Si
• 分子量: 30.1014
• InChiKey: XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  1
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silacarbene 在 氢气 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 硅烷
  参考文献：
  名称：

  Absolute rate constants for the reaction of silylene with hydrogen, silane, and disilane

  摘要：

  Absolute rate constants for the reaction of silylene with hydrogen, silane, and disilane have been determined from direct time resolved measurements of silylene removal at room temperature. Silylene was generated and detected using laser resonance absorption flash kinetic spectroscopy. The rate constants are pressure dependent, consistent with expectations for the insertion reactions typical of silylene. The pressure dependence of the overall rate constants has been determined from 1 to 100 Torr for reaction with hydrogen and silane and from 1 to 10 Torr for reaction with disilane. The results for reaction with hydrogen and silane have been successfully modeled using RRKM theory and high pressure bimolecular rate constants have been extracted. The rate constants determined in this work are significantly (10–104 times) faster than those calculated from literature values for the Arrhenius parameters. These findings require a significant upward revision in the heat of formation of silylene, and may require modification of chemical vapor deposition mechanism in which silylene is invoked as a film growth precursor.

  DOI：

  10.1063/1.454146
• 作为产物：
  描述：

  cyclopentasilane 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 silacarbene
  参考文献：
  名称：

  溶液处理氢化非晶硅单结太阳能电池的制备

  摘要：

  氢化非晶硅太阳能电池是使用基于溶液的工艺制造的。pin结的所有硅层通过使用掺杂和非掺杂聚二氢硅烷溶液的旋铸方法堆叠。此外，采用真空条件下的氢自由基处理来降低硅膜中的自旋密度。经过这种处理，硅薄膜的电性能得到改善，太阳能电池在 AM-1.5G（100 mW/cm2）光照条件下的功率转换效率也从 0.01% 提高到 0.30%–0.51%。

  DOI：

  10.1063/1.4730614
• 作为试剂：
  描述：

  甲醚 在 silacarbene 作用下， 167.85 ℃ 、106.66 kPa 条件下， 生成
  参考文献：
  名称：

  甲硅烷与二甲醚气相反应的压力和温度依赖性

  摘要：

  已在 294–441 K 的温度范围内和在 30–850 Torr 范围内的惰性浴气（Ar 或 SF6）总压力下测定了硅烯 SiH2 与二甲醚 CH3OCH3 反应的气相反应速率常数. 二级速率常数与压力有关，甚至高达所研究的最大压力 850 托，并且速率常数随温度升高而降低，表明反应通过形成络合物而进行。在研究的最高温度 (441 K) 下，实验衰减曲线不会回到基线。这归因于系统达到平衡，SiH2 是由配合物的解离产生的，并为配合物的形成提供了直接的实验证据。衰减曲线的分析提供了平衡常数 Keq 在 441 K 的实验测定。通过使用 RRKM/主方程建模的实验数据外推获得的高压速率常数产生 Arrhenius 参数 log (A/cm3分子-1 s-1) = - 7.6 ± 0.4 和 Ea = 9.3 ± 2.8 kJ mol-1。RRKM/主方程建模给出了 87 kJ mol-1 的

  DOI：

  10.1039/b100068n

文献信息

• Absolute rate constants for silylene reactions with diatomic molecules
  作者：J.O. Chu、D.B. Beach、R.D. Estes、J.M. Jasinski

  DOI：10.1016/0009-2614(88)87027-1

  日期：1988.1

  Absolute rate constants have been determined for the reaction of SiH2 with the diatomics HCl, Cl2, NO and O2. Upper limits are reported for rate constants for the reaction of SiH2 with N2 and CO. Comparisons are made between the reactivity of silylene, singlet methylene and halogenated silylenes.

  已经确定了SiH 2与双原子的HCl，Cl 2，NO和O 2的反应的绝对速率常数。报道了SiH 2与N 2和CO反应的速率常数的上限。在甲硅烷基，单线亚甲基和卤代甲硅烷基的反应性之间进行了比较。
• Pressure-dependent isotope effect in the reaction of silylene (SiH2, 1A1) with acetylene and [2H2]acetylene
  作者：Rosa Becerra、H. Monty Frey、Ben P. Masonb、Robin Walsh

  DOI：10.1039/c39930001050

  日期：——

  Direct, time resolved measurements of absolute rate constants for reaction of SiH2(1A1) with C2H2 and C2D2 have revealed a pressure (and temperature) dependent isotope effect characteristic of an association process yielding an intermediate (silirene) which undergoes, amongst other reactions, a degenerate isotopic scrambling process.

  对 SiH2(1A1)与 C2H2 和 C2D2 反应的绝对速率常数进行的直接时间分辨测量显示，在产生中间体（硅烯）的关联过程中，存在着一种与压力（和温度）相关的同位素效应，该中间体除其他反应外，还经历了一个退化的同位素扰乱过程。
• Reactions of SiH2(X̄1A1) with H2, CH4, C2H4, SiH4 and Si2H6 at 298 K
  作者：Gen Inoue、M. Suzuki

  DOI：10.1016/0009-2614(85)80237-2

  日期：1985.12

  Reaction rate constants of SiH2(X̄1A1) have been directly measured for the first time using the laser photolysis—laser-induced fluorescence method. The preparation of SiH2 radical in the laser photolysis (193 nm) of phenylsilane and the concentration of the radical is demonstrated by a dye laser at 580.1 nm (X̄1A1-Ā1B1). The reaction rate constants of SiH2(X̄1A1) with H2, CH4, C2H4, SiH4 and Si2H6

  的SiH的反应速率常数2（X 1阿1）已直接用于使用激光光解激光诱导荧光法的第一次测定。的SiH的制备2在苯基硅烷的激光光解（193纳米）和自由基的浓度的自由基是由染料激光器在580.1纳米（X证明1阿1 -A 1乙1）。的SiH的反应速率常数2（X 1阿1）用H 2，CH 4，C 2 H ^ 4，的SiH 4和Si 2 H ^图6的分子分别是0.001、0.01、0.97、1.1和5.7×10 -10 cm 3分子-1 s -1。对于的SiH 2（A 1个乙1（0.2,0））时，无碰撞的寿命为0.6微秒，对于他淬火速率常数是3.8×10 -10厘米3分子-1小号-1。
• State-selective spectroscopic detection of reaction products (SiH2, Si) in the IR laser decomposition of SiH4
  作者：Elisabetta Borsella、Roberta Fantoni

  DOI：10.1016/0009-2614(88)87244-0

  日期：1988.9

  The decomposition mechanism of SiH2(1B1) formed after IR multiple-photon dissociation of SiH4 has been investigated by simultaneous acquisition of spontaneous chemiluminescence of SiH2 radicals and state-selective two-photon laser-induced fluorescence spectra of the atomic silicon produced. Evidence for the opening of an efficient dissociation channel leading to Si(1D2) + H2(1Σg+) from high vibrational

  通过同时获取SiH 2自由基的自发化学发光和状态选择双光子激光诱导原子硅的荧光光谱，研究了SiH 4的IR多光子离解后形成的SiH 2（1 B 1）的分解机理。生产的。证据对于有效的解离导致的信道与Si（的开口1 d 2）+ H 2（1 Σ克+）从所述的SiH的高振动能级2（1乙1给出）的状态和讨论。
• Detection of the SiH2 radical by intracavity laser absorption spectroscopy
  作者：J.J. O'Brien、G.H. Atkinson

  DOI：10.1016/0009-2614(86)80477-8

  日期：1986.10

  radical, SiH2, has been detected directly by absorption using intracavity laser spectroscopy under silane discharge conditions that produce silicon deposits. Rotationally resolved absorption spectra of the (020)+(000) and (010)-(000) vibronic bands in the à 1B1 ← X̃ 1A1 transition of SiH2 have been identified. The pressure of SiH2 in these experiments approaches 20 mTorr. Other absorption lines have

  在腔室内激光光谱法中，在产生硅沉积物的硅烷放电条件下，通过腔内激光光谱吸收法直接检测出了亚甲硅烷基自由基SiH 2。旋转地解决了（020）的吸收光谱+（000）和（010） - （000）在电子振动频带1乙1 ←X 1阿1的SiH的过渡2已经确定。在这些实验中，SiH 2的压力接近20 mTorr。还观察到其他吸收线，包括与用于维持放电的氩气的Ar I和Ar II跃迁有关的吸收谱线以及H 2的几种电子激发态的跃迁 在硅烷分解中作为产物形成。