dimethylsilylene | 6376-86-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物衍生物
• 英文名称: dimethylsilylene
• 英文别名: Dimethylsilylen；dimethylsilene；Silane, dimethyl-
• CAS: 6376-86-9
• 化学式: C₂H₆Si
• 分子量: 58.1551
• InChiKey: JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 保留指数：
  300

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.79
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dimethylsilylene 生成 polycarbosilane
  参考文献：
  名称：

  基质分离的二甲基亚甲硅烷基和 1-甲基甲硅烷基中的 IR 跃迁矩方向

  摘要：

  基质分离的二甲基二叠氮硅烷的辐照产生二甲基亚甲硅烷基 (1) 作为主要产物。在 1 的 450 nm 吸收带上进行光选择，偏振 488 nm 光将 1 转化为 1-甲基硅烷 (2)，允许将 1 的 6 个 IR 跃迁和 2 的 12 个 IR 跃迁指定为面内或面外面外极化。使用偏振 248 nm 光在 2 的 260 nm 吸收带上进行光选择，将 2 转换回 1，允许确定相对于 ..pi 的 7 个平面内偏振 IR 跃迁的偏振角绝对值pi..* 过渡时刻。由此产生的 1 分子中 IR 跃迁矩方向图为所涉及的振动运动性质的详细分配提供了强有力的支持。连同其他数据，

  DOI：

  10.1021/ja00264a017
• 作为产物：
  描述：

  十二甲基环己硅烷 以 正己烷 为溶剂， 生成 dimethylsilylene
  参考文献：
  名称：

  来自瞬态亚硅烷与环氧乙烷和硫杂丙烷在溶液中反应的硅烷酮和硅烷硫酮。二苯基硅烷硫酮的直接检测。

  摘要：

  瞬态亚硅烷 SiMe(2) 和 SiPh(2) 与环己烯氧化物 (CHO)、环氧丙烷 (PrO) 和硫化丙烯 (PrS) 在烃溶剂中反应，形成与相应瞬态硅烷酮和硅烷硫酮的形成一致的产物，分别。激光闪光光解研究表明，这些反应通过多步序列进行，涉及相应的亚甲硅烷-环氧乙烷或硫杂丙环配合物的中间体，这些配合物在所有情况下都以接近扩散极限的速率常数形成，并表现出类似于与非反应性 O-和 S-供体、四氢呋喃和四氢噻吩的相应配合物。SiMe(2)-PrO 和 SiPh(2)-PrO 复合物的寿命都为约。300 ns，比相应的 CHO 复合物寿命更长，两者都在 230-240 ns 的范围内。另一方面，亚甲硅烷基-PrS 配合物的寿命要短得多，并且随甲硅烷基取代基而变化；SiMe(2)-PrS 复合物随激发激光脉冲衰减 (即 τ ≤ 25 ns)，而 SiPh(2)-PrS 复合物的 τ = 48 ± 3

  DOI：

  10.1021/ja107881p
• 作为试剂：
  描述：

  2-氯乙醛缩二甲醇 、 1,4-丁二醇 、 L-青霉胺 在 氮气 、 dimethylsilylene 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 以The product 2-chloromethyl-1,3-dioxepane was isolated from the crude mixture by fractional distillation in an Oldershaw column under partial vacuum的产率得到2-Chloromethyl-1,3-dioxepane
  参考文献：
  名称：

  Purification of cyclic ketene acetals

  摘要：

  提供了一种改进的过程，用于纯化环状酮醇缩醛，例如2-亚甲基-1,3-二氧杂环庚烷。该过程包括在溶剂和胺的存在下通过蒸馏来纯化环状酮醇缩醛。

  公开号：

  US05164516A1

文献信息

• Thermal decomposition of tetramethylsilane and tetramethylgermane by flash pyrolysis vacuum ultraviolet photoionization time-of-flight mass spectrometry
  作者：Jessy M. Lemieux、Jingsong Zhang

  DOI：10.1016/j.ijms.2014.09.006

  日期：2014.11

  process in TMS involving loss of H atom from Si(CH 3 ) 3 followed by elimination of H 2 to form SiC 3 H 8 , SiC 3 H 6 , and SiC 3 H 4 was also identified. Sequential loss of the third and fourth methyl radical with significant formation of Ge and Ge 2 was observed in the TMG pyrolysis. Loss of a third methyl radical in the TMS pyrolysis was not significant, while Si and SiC products were possibly produced

  摘要 使用快速热解真空紫外单光子电离飞行时间质谱 (VUV-SPI-TOFMS) 在 20-100 μs 的短时间尺度上研究了四甲基硅烷 (TMS) 和四甲基锗烷 (TMG) 的热分解。TMS 和 TMG 的初级分解通过失去甲基自由基而发生，分别形成 Si(CH 3 ) 3 和 Ge(CH 3 ) 3 。Si(CH 3 ) 3 和Ge(CH 3 ) 3 自由基都经历了第二个甲基自由基的二次损失，分别形成:Si(CH 3 ) 2 和:Ge(CH 3 ) 2 。之前未观察到的 TMS 二次分解过程包括从 Si(CH 3 ) 3 失去 H 原子，然后消除 H 2 以形成 SiC 3 H 8 、SiC 3 H 6 和 SiC 3 H 4 。在 TMG 热解中观察到第三个和第四个甲基自由基的连续损失以及 Ge 和 Ge 2 的显着形成。TMS 热解中第三个甲基自由基的损失并不显着，而可能会产生 Si
• Decomposition of 1,1-dimethyl-1-silacyclobutane on a tungsten filament-evidence of both ring CC and ring SiC bond cleavages
  作者：L. Tong、Y. J. Shi

  DOI：10.1002/jms.1712

  日期：2010.2

  W filament to form ethene and 1,1‐dimethylsilene is a catalytic process. In addition, two other decomposition channels exist to produce methyl radicals via the SiCH3 bond cleavage and to form propene (or cyclopropane)/dimethylsilylene. It has been demonstrated that both the formation of ethene and that of propene are stepwise processes initiated by the cleavage of a ring CC bond and a ring SiC bond

  使用真空紫外激光单光子电离飞行时间质谱技术研究了加热的钨丝上1,1–二甲基-1-硅油基环丁烷（DMSCB）的分解。发现W丝上DMSCB的分解形成乙烯和1,1-二甲基硅烷是一个催化过程。此外，另两个通道分解存在通过在Si，以产生甲基自由基 CH 3键断裂，并形成丙烯（或环丙烷）/二甲基亚甲硅基。已经证明，乙烯和丙烯的形成都是由环CC键和环Si裂解引发的逐步过程。C键分别形成双自由基中间体，然后破坏双自由基中剩余的中心键。通过环C的初始裂解乙烯的形成 C键通过环Si的初始裂解是在该丙烯的主导 C键。当无碰撞条件无效时，气相中的次级反应会产生各种甲基取代的1,3-二硅杂环丁烷分子。发现所有物质中最主要的是1,1,3,3-四甲基-1,3-二硅环丁烷，其源自1,1-二甲基硅的二聚作用。版权所有©2010 John Wiley＆Sons，Ltd.
• Gas-phase photochemical reactions of dodecamethylcyclohexasilane with silicon compounds. kinetics of some insertion reactions of dimethylsilylene
  作者：Iain M.T. Davidson、Naaman A. Ostah

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)83467-1

  日期：1981.2

  Attempts to measure the kinetics of gas-phase insertion reactions of dimethylsilylene, generated by photolysis of dodecamethylcyclohexasilane, are described. Insertion of dimethylsilylene into silicon—hydrogen bonds was the main reaction with trimethylsilane, pentamethyldisilane, and sym-tetramethyldisilane; in all cases the activation energy for insertion was zero, and the rate constants were in the

  描述了尝试测量由十二甲基环己硅烷的光解所产生的二甲基甲硅烷基的气相插入反应的动力学的尝试。二甲基亚甲硅进-氢键的插入是用三甲基硅烷主反应，pentamethyldisilane，和符号-tetramethyldisilane; 在所有情况下，插入的活化能均为零，速率常数的比率为1：3.1：4.3。二甲基亚甲硅烷基也以28 kJ mol -1的活化能干净地插入氯化氢中。与甲基氯硅烷的光化学反应要复杂得多，几乎不涉及或不涉及甲硅烷基化学。这样发生的反应似乎几乎完全是通过根本机理进行的。
• Time-resolved studies of the temperature dependence of the gas-phase reactions of methylsilylene with silane and the methylsilanes
  作者：Rosa Becerra、H. Monty Frey、Ben P. Mason、Robin Walsh

  DOI：10.1039/ft9938900411

  日期：——

  initio theory (for the reaction of SiH2 with SiH4) these show that the electrophilic interaction probably precedes the nucleophilic interaction, although the latter is important in the rate-determining (second) step for the insertion reactions of both MeSiH and SiMe2. Combination of MeSiH insertion rate constants with the reverse unimolecular decomposition rate constants of the product disilanes enable the

  业已发现，气相1,2-二甲基乙硅烷的193 nm激光闪光光解能在454-515 nm波长范围内提供宽带吸收，这可能是由于瞬态物质甲基亚甲硅烷基MeSiH所致。通过进行标题研究，对MeSiH进行了首次直接动力学研究，获得了MeSiH与SiH 4，MeSiH 3，Me 2 SiH 2和Me 3 SiH在温度范围为360-580的反应的二级速率常数。K.反应很快，但显示出负活化能，从SiH 4的–7.5 kJ mol –1增加到Me 3的–18.4 kJ mol –1。SiH。数据被解释为是通过一个中间复合物进行的，该中间复合物的重排在较高温度下决定了速率。MeSiH与其他甲硅烷基的反应活性的比较揭示了这些配合物的甲基取代基作用的一般模式。结合从头算理论（对于SiH 2与SiH 4的反应），这些表明亲电相互作用可能先于亲核相互作用，尽管后者在速率确定（第二步）对于两个MeSiH的插入反应均很重要和SiMe
• Dimethylsilylene: trisilane and a geminal diazide as new photochemical precursors. Evidence for an absorption maximum near 450 nm
  作者：Hrvoj Vancik、Gerhard Raabe、Michael J. Michalczyk、Robert West、Josef Michl

  DOI：10.1021/ja00299a067

  日期：1985.6

  Le diazidodimethylsilane et le diphenyl-1,3 hexamethyltrisilane sont consideres comme de nouveaux precurseurs du dimethylsilylene

  Le diazido二甲基硅烷 et le diphenyl-1,3 hexamethyltrisia sont comme de nouveaux precurseurs du dimethylsilylene