polycarbosilane | 38063-40-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物衍生物
• 英文名称: polycarbosilane
• 英文别名: Si-Methylsilaethene；methyl(methylidene)silane
• CAS: 38063-40-0
• 化学式: C₂H₆Si
• 分子量: 58.1551
• InChiKey: OLOIFBKXGHJOIV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.1
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  polycarbosilane 生成 dimethylsilylene
  参考文献：
  名称：

  Kinetics of the isomerization of 1-methylsilene to dimethylsilylene

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja00264a044
• 作为产物：
  描述：

  dimethylsilylene 生成 polycarbosilane
  参考文献：
  名称：

  基质分离的二甲基亚甲硅烷基和 1-甲基甲硅烷基中的 IR 跃迁矩方向

  摘要：

  基质分离的二甲基二叠氮硅烷的辐照产生二甲基亚甲硅烷基 (1) 作为主要产物。在 1 的 450 nm 吸收带上进行光选择，偏振 488 nm 光将 1 转化为 1-甲基硅烷 (2)，允许将 1 的 6 个 IR 跃迁和 2 的 12 个 IR 跃迁指定为面内或面外面外极化。使用偏振 248 nm 光在 2 的 260 nm 吸收带上进行光选择，将 2 转换回 1，允许确定相对于 ..pi 的 7 个平面内偏振 IR 跃迁的偏振角绝对值pi..* 过渡时刻。由此产生的 1 分子中 IR 跃迁矩方向图为所涉及的振动运动性质的详细分配提供了强有力的支持。连同其他数据，

  DOI：

  10.1021/ja00264a017

文献信息

• Substituent Effects on the Reactivity of the Silicon−Carbon Double Bond. Resonance, Inductive, and Steric Effects of Substituents at Silicon on the Reactivity of Simple 1-Methylsilenes
  作者：William J. Leigh、Rabah Boukherroub、Corinna Kerst

  DOI：10.1021/ja981435d

  日期：1998.9.1

  -diazomethanes leads to the formation of reactive silenes which can be detected directly in solution, allowing detailed studies of the kinetics and mechanisms of their reactions with nucleophiles. Over 30 transient silenes have now been studied by these methods, providing the opportunity to systematically assess the effects of substituents at silicon and carbon on the reactivity of the Si=C bond.

  各种有机硅化合物（例如芳基、乙烯基和炔基乙硅烷、硅杂环丁烷和硅杂环丁烯以及 α-甲硅烷基烯酮和 -重氮甲烷）的激光闪光光解导致形成可直接在溶液中检测到的反应性硅烯，从而可以对动力学进行详细研究以及它们与亲核试剂的反应机制。现在已经通过这些方法研究了 30 多种瞬态硅烯，提供了系统评估硅和碳上的取代基对 Si=C 键反应性的影响的机会。
• Oxidation of methylsilenes with molecular oxygen. A matrix isolation study
  作者：Martin Trommer、Wolfram Sander、Andreas Patyk

  DOI：10.1021/ja00078a016

  日期：1993.12

  investigated in O 2 -doped argon matrices. All silenes 1 are easily photooxidized in matrices containing more than 1% O 2 , but trimethylsilene (1c) is the only silene that exhibits thermal reactivity toward oxygen at temperatures as low as 20-40 K. The photochemical reactivity increases from 1a to 1c with increasing number of methyl groups at the double bond and decreasing ionization potential. Key intermediates

  已在 O 2 掺杂的氩基质中研究了 1-甲基硅烯（2-硅丙烯）（1a）、1,1-二甲基硅烯（1b）和 1,1,2-三甲基硅烯（1c）的光化学和热氧化。所有 silene 1 在含有超过 1% O 2 的基质中很容易被光氧化，但三甲基硅烷 (1c) 是唯一一种在低至 20-40 K 的温度下对氧气表现出热反应性的 silene。光化学反应性从 1a 增加到 1c双键上的甲基数量增加，电离电位降低。1 的光化学和热氧化的关键中间体是硅二氧杂环丁烷 9
• Polarized infrared spectroscopy of matrix-isolated dimethylsilylene and 1-methylsilene
  作者：Charles A. Arrington、Kenneth A. Klingensmith、Robert West、Josef Michl

  DOI：10.1021/ja00315a010

  日期：1984.2

  Attribution des spectres IR du dimethylsilylene et du methyl-1 silene basee sur une comparaison avec des spectres calcules a l'aide de la methode MNDO, et avec des spectres de molecules semblables

  Attribution des specters IR du dimethylsilylene et dumethyl-1 silene basee sur une 比较 avec des specters calcules a l'aide de la methode MNDO, et avec des specters de分子 semblables
• Inorganic polymer-derived tubular SiC arrays from sacrificial alumina templates
  作者：Hao Wang、Xiao-Dong Li、Taek-Soo Kim、Dong-Pyo Kim

  DOI：10.1063/1.1915510

  日期：2005.4.25

  An inorganic polymer-derived SiC array with a well-aligned tubular structure, tailored diameter, and wall thickness were prepared by using sacrificial alumina membrane as a template. After being pyrolyzed at 1250 °C, the template was etched away by treating with HF solution. The SiC tubes displayed a series of properties, such as high adsorption, high-temperature resistance, and electrically semiconductor

  通过使用牺牲氧化铝膜作为模板，制备了具有良好排列的管状结构、定制的直径和壁厚的无机聚合物衍生的 SiC 阵列。在 1250°C 下热解后，通过用 HF 溶液处理蚀刻掉模板。碳化硅管显示出一系列性能，如高吸附性、耐高温性和电半导体。通过本方法制备的 SiC 阵列由于其固有特性而在光学领域和作为催化剂载体具有潜在应用。
• Synthesis, Structures, and Properties of Bulk Si(O)C Ceramics from Polycarbosilane
  作者：Ya-Li Li、Hua Fan、Dong Su、Claudia Fasel、Ralf Riedel

  DOI：10.1111/j.1551-2916.2009.03184.x

  日期：2009.10

  Bulk Si(O)C ceramics are fabricated from polycarbosilane (PCS) by bulk pyrolysis along the route of cross linking, warm‐pressing, and pyrolysis. The PCS was thermally oxidized for cross linking at various temperatures as a critical step toward the bulk transformation of PCS into bulk Si(O)C ceramics. The degree of cross linking of PSC affects the densities and bonding qualities of the warm‐pressed powder compacts and, hence, the resultant ceramics. Under optimized processing conditions, crack‐free bulk Si(O)C ceramics are obtained with a bulk density attaining 2.2 g/cm3. Despite the existence of a considerable amount of oxygen in the ceramics (16.08 wt%), resulting from the thermal oxidation processing, the ceramics show the characteristics of structures and properties of SiC‐based ceramics. 29Si‐solid state nuclear magnetic resonance spectra (NMR) reveal that the as‐pyrolyzed X‐ray amorphous Si(O)C phase consists mainly of SiC4 coordination units in the ceramic network, with the remainder being silicon‐coordinated carbon and oxygen. Microhardness tests show that the as‐pyrolyzed amorphous Si(O)C ceramics have a high hardness, attaining 24.91 GPa at a load of 2 N, and 19.82 GPa at a load of 10 N. Upon annealing at 1300°C in argon, the amorphous ceramics crystallized into nanophase β‐SiC ceramics, and the ceramics kept the bulk nature of the amorphous ceramics with an increased density. The 29Si‐solid state NMR spectrum indicates that the nanophase β‐SiC ceramics consist of SiC4 units together with some mixed coordination units, namely SiO2C2 and SiOC3. The hardness of the crystallized nanophase Si(O)C ceramics attains 23.20 GPa at a load of 10 N. The present study demonstrates the possibility of fabricating bulk Si(O)C ceramics via the polymer‐processing route, resulting in ceramics with promising structural and mechanical properties.

  块状Si(O)C陶瓷通过聚碳硅烷（PCS）的块状热解工艺制成，工艺步骤包括交联、热压和热解。PCS在不同温度下进行热氧化交联，这是PCS转化为块状Si(O)C陶瓷的关键步骤。PCS的交联程度影响热压粉末坯体的密度和结合性能，从而影响最终的陶瓷性能。在最优工艺条件下，获得无裂纹的块状Si(O)C陶瓷，其总体密度达到2.2 g/cm³。尽管由于热氧化工艺的存在，陶瓷中含有相当数量的氧（16.08 wt%），但陶瓷仍显示出SiC基陶瓷的结构和性能特点。通过²⁹Si固体核磁共振（NMR）谱发现，热解后X射线无定形的Si(O)C相主要由陶瓷网络中的SiC₄配位单元组成，其余部分为硅配位的碳和氧。微硬度测试表明，热解后无定形Si(O)C陶瓷具有高硬度，在2 N载荷下达到24.91 GPa，在10 N载荷下达到19.82 GPa。在氩气中1300°C退火后，无定形陶瓷结晶为纳米晶β-SiC陶瓷，陶瓷保持无定形陶瓷的块状特性，并且密度增加。通过²⁹Si固体核磁共振谱分析，纳米晶β-SiC陶瓷由SiC₄单元以及一些混合配位单元（如SiO₂C₂和SiOC₃）组成。结晶后纳米晶Si(O)C陶瓷的硬度在10 N载荷下达到23.20 GPa。本研究证明了通过聚合物加工路线制备块状Si(O)C陶瓷的可能性，所得陶瓷具有良好的结构和力学性能。