使用
金属有机
化学气相沉积 (MOCVD) 在 525 °C 下成功地在 RuO2/SiO2/(001)Si 上生长了高度取向的多晶 Pb(Zr0.5Ti0.5)O3 (
PZT) 薄膜。
PZT 薄膜的取向是通过使用 MOCVD 沉积的高度织构的 RuO2 底部电极来控制的。观察到 (001) 取向的
PZT 薄膜在 (101) 织构的 RuO2 上生长。相比之下,对于(110)RuO2,(001)
PZT 的生长受到极大抑制,而(110)和(111)两者的生长都得到增强,导致(001)织构较差的多晶薄膜。生长的
PZT 薄膜表现出致密的柱状微观结构,平均晶粒尺寸为 150-250 nm。两种
PZT 薄膜均表现出优异的
铁电性能,无需任何生长后退火。(001) 高度取向的
PZT 薄膜显示出显着更高的剩余极化值 (Pr=49. 7 μC/cm2) 和饱和极化 (Ps=82.5 μC/cm2)。相比之下,对于在