p-Cresol m-cresol formaldehyde

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: p-Cresol m-cresol formaldehyde
• 英文别名: formaldehyde;3-methylphenol;4-methylphenol
• 化学式: C15H18O3
• 分子量: 246.3
• InChiKey: AGPSIKNMWWHNRF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.22
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.13
• 拓扑面积：
  57.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  对甲酚 、 间甲酚 、 聚合甲醛 以after-treatments to obtain 38.4 g of p-cresol/m-cresol/formaldehyde polycondensate as slightly white waxy crystals的产率得到p-Cresol m-cresol formaldehyde
  参考文献：
  名称：

  Polymer composition and resist material

  摘要：

  一种聚合物组合物，包括(i)聚合物(a)，其中含有一个单体单元，该单体单元含有一个功能基A，在存在酸的情况下加热后变得碱溶性，(ii)聚合物(b)，其中含有一个单体单元，该单体单元含有一个功能基B，也在存在酸的情况下加热后变得碱溶性，但比功能基A不易变得碱溶性，如果需要，除(i)和(ii)之外或代替(ii)，还包括分子量为300至15,000的酚类化合物，与光酸发生剂一起形成一种适用于形成模式的抗蚀材料，具有极佳的灵敏度、分辨率、掩模线性和其他性能。

  公开号：

  US05976759A1

文献信息

• Polymer and resist material
  申请人：Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

  公开号：US06033826A1

  公开（公告）日：2000-03-07

  A polymer of polyhydroxystyrene derivative containing an acetal or ketal group which can easily be eliminated in the presence of an acid in the molecule and having a very narrow molecular weight distribution gives a resist material suitable for forming ultrafine patterns excellent in resolution, heat resistance, mask linearity, and other properties without causing problems of delay time and the like.

  一种聚羟基苯乙烯衍生物的聚合物，其中含有一个醛缩或环缩基团，在分子中易于在酸的存在下消除，并具有非常窄的分子量分布，可提供适用于形成超细图案的抗蚀材料，具有出色的分辨率、耐热性、掩模线性和其他性能，而不会引起延迟时间等问题。
• LOW METAL ION CONTAINING 4,4'-(1-(4-(1-(4-HYDROXYPHENYL)-1-METHYLETHYL)PHENYL)ETHYLIDENE)BISPHENOL AND PHOTORESIST COMPOSITIONS THEREFROM
  申请人：CLARIANT INTERNATIONAL LTD.

  公开号：EP0854850A1

  公开（公告）日：1998-07-29
• [EN] LOW METAL ION CONTAINING 4,4'-(1-(4-(1-(4-HYDROXYPHENYL)-1-METHYLETHYL)PHENYL)ETHYLIDENE)BISPHENOL AND PHOTORESIST COMPOSITIONS THEREFROM<br/>[FR] 4,4'-(1-(4-(1-(4-HYDROXYPHENYL)-1-METHYLETHYL)PHENYL)ETHYLDIENE)BISPHENOL (TPPA) A FAIBLE NIVEAU D'IONS METALLIQUES ET COMPOSITIONS DERIVEES POUR PHOTORESIST
  申请人：CLARIANT INTERNATIONAL, LTD.

  公开号：WO1997011929A1

  公开（公告）日：1997-04-03

  (EN) The present invention provides methods for producing TPPA having low level of metal ions, utilizing treated ion exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such TPPA for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.(FR) La présente invention concerne un procédé de production de composé TPPA à faible niveau d'ions métalliques, qui utilise des résines échangeuses d'ions traitées. L'invention concerne également un procédé de production d'une composition pour photorésist, qui présente un faible niveau d'ions métaux issus d'un tel composé TPPA et convient à la production de semi-conducteurs à l'aide de ces compositions pour photorésist.