3-Aethyl-4-methyl-hexanol-3 | 51200-80-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 3-Aethyl-4-methyl-hexanol-3
• 英文别名: 3-ethyl-4-methyl-hexan-3-ol；3-Aethyl-4-methyl-hexan-3-ol；3-Ethyl-4-methylhexan-3-ol
• CAS: 51200-80-7
• 化学式: C₉H₂₀O
• 分子量: 144.257
• InChiKey: YOCLWWFBEJQTBM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-Aethyl-4-methyl-hexanol-3 生成 3-乙基-4-甲基己烷
  参考文献：
  名称：

  metacycloprodigiosin的结构

  摘要：

  Metacycloprodigiosin，prodigiosin的类似物，是从长链霉菌（Streptomyces longisporus ruber）分离得到的，具有结构1。有助于阐明1的结构的穷举还原技术通常已用于烷基吡咯的还原。讨论了烷基吡咯和其他杂环系统的质谱裂解模式中的新颖特征。

  DOI：

  10.1016/0040-4020(76)85186-1
• 作为产物：
  描述：

  2-甲基丁酸 在 硫酸 作用下， 生成 3-Aethyl-4-methyl-hexanol-3
  参考文献：
  名称：

  Vasi,I.G.; Thaker,K.A., Journal of the Indian Chemical Society, 1970, vol. 47, # 2, p. 173 - 175

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR SELECTING HEATING TEMPERATURE IN PATTERN FORMING METHOD, EXTREME ULTRAVIOLET-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE<br/>[FR] PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF, PROCÉDÉ DE SÉLECTION D'UNE TEMPÉRATURE DE CHAUFFAGE AU COURS DU PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À L'ULTRAVIOLET EXTRÊME, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ASSOCIÉ ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
  申请人：FUJIFILM CORP

  公开号：WO2013147325A1

  公开（公告）日：2013-10-03

  There is provided a pattern forming method comprising, in order: (i) a step of forming a film by using an extreme ultraviolet-sensitive resin composition containing (A) a resin having an acid-decomposable group; (ii) a step of exposing the film by using an extreme ultraviolet ray; (iii) a step of heating the film; and (iv) a step of developing the film to form a pattern, wherein in the step (ii), an optical image formed by exposure on the surface of the film is an optical image having a line part with a line width of 20 nm or less as an exposed area or an unexposed area, and, the heating temperature TPEB (°C) in the step (iii) satisfies the specific formula.