(4-tert-butoxyphenyl)diphenylsulfonium chloride | 199733-54-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: (4-tert-butoxyphenyl)diphenylsulfonium chloride
• 英文别名: (4-tert-Butoxyphenyl)(diphenyl)sulfanium chloride；[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-diphenylsulfanium;chloride
• CAS: 199733-54-5
• 化学式: C₂₂H₂₃OS*Cl
• 分子量: 370.943
• InChiKey: CMCBUFLPSKGYGI-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.96
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.18
• 拓扑面积：
  10.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (4-tert-butoxyphenyl)diphenylsulfonium chloride 、 Sodium benzenesulfonyloxybenzenesulfonate 生成 4-Tert-butoxyphenyldiphenylsulfonium benzenesulfonyloxybenzenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Onium salts, photoacid generators for resist compositions, resist compositions, and patterning process

  摘要：

  公式（1）的Onium盐是新颖的。其中，R1是C1-10烷基或C6-14芳基，R2是H或C1-6烷基，p是1至5的整数，q是0至4的整数，p+q=5，R3是C1-10烷基或C6-14芳基，M是硫或碘原子，“a”等于3或2。包含该Onium盐作为光酸发生剂的化学增强型光刻胶组合物非常适合微细加工，特别是通过深紫外光刻技术，因为具有许多优点，包括提高分辨率，最小化线宽变化或形状退化，即使在长期PED后，涂层、开发和剥离后最小化缺陷，并在开发后改善图案轮廓。

  公开号：

  US06440634B1
• 作为产物：
  描述：

  二苯基亚砜 、 三乙胺 、 三甲基氯硅烷 、 、 对氯苯基叔丁基醚 、 镁 、 氯化铵 在 ice 、 水 作用下， 以 二氯甲烷 、 氯仿 、 四氢呋喃 为溶剂， 反应 0.75h， 以isolating 26.6 g (yield 72%) of (4-tert-butoxyphenyl)diphenylsulfonium chloride with 98% purity的产率得到(4-tert-butoxyphenyl)diphenylsulfonium chloride
  参考文献：
  名称：

  Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions

  摘要：

  本发明提供了一种新型的磺隆盐，其中分子中的苯基上至少有一个酸不稳定基团，以及一种正常的、支链的或环状的C.sub.1-C.sub.20烷基磺酸盐阴离子。该新型磺隆盐能够有效地增加暴露和未暴露区域之间的溶解对比度。在暴露时，它会产生一种烷基磺酸，这是一种弱酸，最大程度地减少了PEB步骤中的副反应和失活的影响。该磺隆盐对于化学放大正向抗蚀剂组成物是有用的，它适用于精细图案，并具有高分辨率。

  公开号：

  US05880169A1

文献信息

• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100099042A1

  公开（公告）日：2010-04-22

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 2 -C 20 hydrocarbon group having cyclic structure, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为具有环状结构的C2-C20烃基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了一种包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100143830A1

  公开（公告）日：2010-06-10

  A sulfonium salt has formula (1) wherein R 1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R 2 , R 3 , and R 4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。