三甲基硅烷基自由基 | 16571-41-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物衍生物
• 中文名称: 三甲基硅烷基自由基
• 中文别名: 三甲基甲硅烷基自由基
• 英文名称: trimethylsilyl radical
• 英文别名: Trimethylsilyl-Radikal；trimethylsilyl
• CAS: 16571-41-8
• 化学式: C₃H₉Si
• 分子量: 73.19
• InChiKey: DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 保留指数：
  408

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.37
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三甲基硅烷基自由基 在 1-氯戊烷 作用下， 生成 三甲基氯硅烷
  参考文献：
  名称：

  Absolute rate constants for some reactions involving triethylsilyl radicals in solution

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja00401a060
• 作为产物：
  描述：

  三甲基硅烷 在 二叔丁基过氧化物 、 xenon 、 环丙烷 作用下， 生成 三甲基硅烷基自由基
  参考文献：
  名称：

  液态氙作为ESR研究的溶剂

  摘要：

  液态氙是用于研究反应性自由基的有用的惰性溶剂。氙中许多类型自由基的g因子与普通溶剂中的g因子不同。

  DOI：

  10.1039/c39830000264
• 作为试剂：
  描述：

  [环丙基(苯基)甲氧基]-三甲基硅烷 在 三甲基硅烷基自由基 、 仲丁基锂 作用下， 反应 2.0h， 生成 苯丁酮 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid
  参考文献：
  名称：

  α-环丙基苄醇转化为γ-三甲基甲硅烷基丁苯酮的新机理

  摘要：

  α-环丙基苄醇与甲基锂然后六甲基二硅烷反应的机理研究表明，中间体（4）与三甲基甲硅烷基阴离子作为催化剂的歧化反应提供了环丙基苯基酮。在后一种化合物中原位1,4-加成三甲基甲硅烷基阴离子可得到主要产物γ-三甲基甲硅烷基丁苯酮（2）。

  DOI：

  10.1039/c39850000452

文献信息

• Thermal decomposition of tetramethylsilane and tetramethylgermane by flash pyrolysis vacuum ultraviolet photoionization time-of-flight mass spectrometry
  作者：Jessy M. Lemieux、Jingsong Zhang

  DOI：10.1016/j.ijms.2014.09.006

  日期：2014.11

  process in TMS involving loss of H atom from Si(CH 3 ) 3 followed by elimination of H 2 to form SiC 3 H 8 , SiC 3 H 6 , and SiC 3 H 4 was also identified. Sequential loss of the third and fourth methyl radical with significant formation of Ge and Ge 2 was observed in the TMG pyrolysis. Loss of a third methyl radical in the TMS pyrolysis was not significant, while Si and SiC products were possibly produced

  摘要 使用快速热解真空紫外单光子电离飞行时间质谱 (VUV-SPI-TOFMS) 在 20-100 μs 的短时间尺度上研究了四甲基硅烷 (TMS) 和四甲基锗烷 (TMG) 的热分解。TMS 和 TMG 的初级分解通过失去甲基自由基而发生，分别形成 Si(CH 3 ) 3 和 Ge(CH 3 ) 3 。Si(CH 3 ) 3 和Ge(CH 3 ) 3 自由基都经历了第二个甲基自由基的二次损失，分别形成:Si(CH 3 ) 2 和:Ge(CH 3 ) 2 。之前未观察到的 TMS 二次分解过程包括从 Si(CH 3 ) 3 失去 H 原子，然后消除 H 2 以形成 SiC 3 H 8 、SiC 3 H 6 和 SiC 3 H 4 。在 TMG 热解中观察到第三个和第四个甲基自由基的连续损失以及 Ge 和 Ge 2 的显着形成。TMS 热解中第三个甲基自由基的损失并不显着，而可能会产生 Si
• Investigation of the gas-phase reaction of trimethylsilyl radicals with hydrogen bromide: measurement of the trimethylsilyl-hydrogen bond strength
  作者：A. Goumri、W. J. Yuan、Paul Marshall

  DOI：10.1021/ja00059a076

  日期：1993.3

  Article on an investigation of the gas-phase reaction of trimethylsilyl radicals with HBr and measurement of the (CH₃)₃ Si-H bond strength.

  关于三甲基甲硅烷基自由基与 HBr 的气相反应的研究以及 (CH₃)₃ Si-H 键强度测量的文章。
• Pyrolytic, kinetic, and theoretical studies on the isomerization of Me2HSiCH2.bul. to Me3Si.bul.
  作者：Thomas J. Barton、Anthony. Revis、Iain M. T. Davidson、S. Ijadi-Maghsoodi、Kevin J. Hughes、Mark S. Gordon

  DOI：10.1021/ja00274a028

  日期：1986.7

  4-(dimethylsilyl)-1-butene which decomposes through loss of the allyl radical to produce 'CH2SiHMe2• Rearrangement to Me3Si' was established by product analysis and trapping with methyl chloride. Kinetic analysis afforded a barrier of ca. 41 kcal/mol in excellent agreement with a calculated barrier of 42.6 kcaljmol achieved with fourth-order perturbation theory corrections (MP4) and addition of zero-point vibrational

  通过对 4-(二甲基甲硅烷基)-1-丁烯的热解研究获得了“CH2SiHMe2 通过氢的 1,2-迁移异构化为 Me3Si”的证据，4-(二甲基甲硅烷基)-1-丁烯通过失去烯丙基而分解生成“CH2SiHMe2• 重排为Me3Si' 是通过产物分析和用氯甲烷捕集建立的。动力学分析提供了大约的障碍。41 kcal/mol 与通过四阶微扰理论校正 (MP4) 和零点振动校正实现的 42.6 kcaljmol 计算势垒非常一致。尽管以硅为中心的自由基明显比非共振稳定的以碳为中心的自由基更稳定，1 仅在爱荷华州立大学。t 道康宁博士前少数民族研究员，1981-1983。1 大学。.L 北达科他州立大学。0002-7863/86/1508-4022$01.50/0 已经报道了两个 R3Si-R' 2 重排为 R2Si-CR' 2R 的例子，并且这两个例子都以硅作为迁移基团 R。广泛研究的六甲基乙硅烷 2
• Low pressure pyrolysis of hexamethyldisilane: Electron spin resonance identification of radical intermediates
  作者：Karel Mach、Graham P. Mills、J.Barrie Raynor

  DOI：10.1016/s0022-328x(96)06765-4

  日期：1997.4

  Radicals produced in the pyrolysis of hexamethyldisilane at pressures below 1.5 Torr have been trapped in an adamantane matrix at 77 K and characterised by electron spin resonance spectroscopy. At 1 Torr, results were consistent with mechanisms proposed from gas-phase kinetic studies. At lower pressures the results suggest surface decomposition predominates, and they reveal a surprising feature of

  六甲基乙硅烷在低于1.5 Torr的压力下热解产生的自由基已被捕集在77 K的金刚烷基质中，并通过电子自旋共振光谱进行了表征。在1 Torr时，结果与气相动力学研究提出的机理一致。在较低的压力下，结果表明表面分解占主导地位，并且它们揭示了该机理的令人惊讶的特征，而早期热解研究中所使用的方法无法检测到该特征。
• Homolytic cleavage of C–Si bond of p-trimethylsilylmethylacetophenone upon stepwise two-photon excitation using two-color two-laser flash photolysis
  作者：Xichen Cai、Masanori Sakamoto、Michihiro Hara、Susumu Inomata、Minoru Yamaji、Sachiko Tojo、Kiyohiko Kawai、Masayuki Endo、Mamoru Fujitsuka、Tetsuro Majima

  DOI：10.1016/j.cplett.2005.03.127

  日期：2005.5

  occurred in a higher triplet excited state (Tn), giving mainly p-acetylbenzyl radical with the transient absorption in the region of 295–360 nm, with a quantum yield of 0.046 ± 0.008 using the two-color two-laser photolysis techniques. In contrast, the C–Si bond cleavage of p-trimethylsilylmethylbenzophenone(2) was absent in the Tn state whose energy is larger than the C–Si bond cleavage energy. The results

  对-三甲基甲硅烷基甲基苯乙酮（1）的C-Si键裂解发生在更高的三重激发态（T n），主要产生对乙酰基苄基，其瞬态吸收在295-360 nm范围内，量子产率为0.046± 0.008使用两色两激光光解技术。与此相反，的C-Si键裂解p -trimethylsilylmethylbenzophenone（2）是在T缺席Ñ状态其能量比C-Si键裂解的能量大。结果可T形电位表面之间解释键裂交叉的存在Ñ状态和C-Si键的用于离解状态1，但不是2。