2-phenyl-2-(4-tert-butylphenylsulfanyl)propane

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-phenyl-2-(4-tert-butylphenylsulfanyl)propane
• 英文别名: 1-Tert-butyl-4-(2-phenylpropan-2-ylsulfanyl)benzene；1-tert-butyl-4-(2-phenylpropan-2-ylsulfanyl)benzene
• 化学式: C₁₉H₂₄S
• 分子量: 284.466
• InChiKey: RRNMVYUZZOXNDY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.2
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.37
• 拓扑面积：
  25.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  异丁醛 、 2-phenyl-2-(4-tert-butylphenylsulfanyl)propane 在 LDMAN 作用下， 生成 2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷 、 2,4-dimethyl-2-phenylpentan-3-ol
  参考文献：
  名称：

  枯基苯基硫化物在还原锂化作用下形成双枯基而不是枯基锂。SET亲核取代中的噻吩基作为离去基团

  摘要：

  在用芳族自由基阴离子还原后，枯基苯基硫化物（1 S）主要产生双枯基（2）而不是预期的枯基锂（3），尽管此处有文献报道错误地表明产生了阴离子3。汇编了文献中的相关示例。建议的机理涉及从产生的枯基锂（3）到枯基苯基硫化物（1 S）的单电子转移，产生噻吩二氧阴离子和两个枯基，它们主要在溶剂笼中偶联。实验证明了这种被阴离子3取代的噻吩氧化物。对叔苯基或枯基环上的-丁基基团可能通过空间抑制被认为是电子转移所必需的pi络合物而增加了枯基锂与双枯基的比例。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(97)00544-9
• 作为产物：
  描述：

  2-苯基-2-丙醇 、 4-叔丁基苯硫酚 在 zinc(II) iodide 作用下， 以 1,2-二氯乙烷 为溶剂， 反应 1.0h， 以83%的产率得到2-phenyl-2-(4-tert-butylphenylsulfanyl)propane
  参考文献：
  名称：

  枯基苯基硫化物在还原锂化作用下形成双枯基而不是枯基锂。SET亲核取代中的噻吩基作为离去基团

  摘要：

  在用芳族自由基阴离子还原后，枯基苯基硫化物（1 S）主要产生双枯基（2）而不是预期的枯基锂（3），尽管此处有文献报道错误地表明产生了阴离子3。汇编了文献中的相关示例。建议的机理涉及从产生的枯基锂（3）到枯基苯基硫化物（1 S）的单电子转移，产生噻吩二氧阴离子和两个枯基，它们主要在溶剂笼中偶联。实验证明了这种被阴离子3取代的噻吩氧化物。对叔苯基或枯基环上的-丁基基团可能通过空间抑制被认为是电子转移所必需的pi络合物而增加了枯基锂与双枯基的比例。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(97)00544-9

文献信息

• Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US10248019B2

  公开（公告）日：2019-04-02

  A pattern forming, method, includes: (i) forming a film from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that contains (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and decomposing by an action of an acid to decrease a solubility of the compound (A) for an organic solvent; (ii) exposing the film; and (iii) performing development by using a developer containing an organic solvent.

  一种形成图案的方法包括：(i) 使用一种含有（A）一种能够在受到光或辐射照射时生成酸并通过酸的作用分解以降低该化合物（A）对有机溶剂的溶解度的光敏或辐射敏感树脂组合物形成薄膜；(ii) 曝光薄膜；和(iii) 使用含有有机溶剂的显影剂进行显影。
• Pattern forming method, composition kit and resist film, manufacturing method of electronic device using these, and electronic device
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US10031419B2

  公开（公告）日：2018-07-24

  There is provided a pattern forming method comprising (i) forming a film on a substrate using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which contains (A) a resin which decomposes due to an action of an acid to change its solubility with respect to a developer and (C) a specific resin, (ii) forming a top coat layer using a top coat composition which contains a resin (T) on the film, (iii) exposing the film which has the top coat layer to actinic rays or radiation, and (iv) forming a pattern by developing the film which has the top coat layer after the exposing.

  本发明提供了一种图案形成方法，包括(i)使用感光树脂组合物或辐射敏感树脂组合物在基底上形成胶片，该组合物包含(A)由于酸的作用而分解，从而改变其相对于显影剂的溶解度的树脂和(C)特定树脂、(ii) 使用含有树脂 (T) 的表层组合物在胶片上形成表层，(iii) 将具有表层的胶片暴露于放 射线或辐射，(iv) 在暴露后对具有表层的胶片进行显影，形成图案。
• Polyphenylene sulfide block copolymer, method for manufacturing same, and method for manufacturing polyphenylene sulfide porous body
  申请人：TORAY INDUSTRIES, INC.

  公开号：US10040910B2

  公开（公告）日：2018-08-07

  A heat-resistant, chemical-resistant polyphenylene sulfide block copolymer containing polyphenylene sulfide units and aromatic polyester units, wherein the polyphenylene sulfide units have a number average molecular weight in the range of 6,000 to 100,000. Provided is a polyphenylene sulfide block copolymer that overcomes the disadvantages of block copolymers including a low-molecular-weight polyphenylene sulfide segment and having poor heat resistance and chemical resistance.

  一种耐热、耐化学腐蚀的聚苯硫醚嵌段共聚物，含有聚苯硫醚单元和芳香族聚酯单元，其中聚苯硫醚单元的平均分子量在 6,000 至 100,000 之间。本发明提供了一种聚苯硫醚嵌段共聚物，它克服了包含低分子量聚苯硫醚段的嵌段共聚物耐热性和耐化学性差的缺点。
• PATTERN FORMING METHOD, COMPOSITION KIT AND RESIST FILM, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE USING THESE, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US20160048075A1

  公开（公告）日：2016-02-18

  There is provided a pattern forming method comprising (i) forming a film on a substrate using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which contains (A) a resin which decomposes due to an action of an acid to change its solubility with respect to a developer and (C) a specific resin, (ii) forming a top coat layer using a top coat composition which contains a resin (T) on the film, (iii) exposing the film which has the top coat layer to actinic rays or radiation, and (iv) forming a pattern by developing the film which has the top coat layer after the exposing.
• PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, ACTIVE-LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM AND MASK BLANK
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US20170121437A1

  公开（公告）日：2017-05-04

  A pattern forming method includes forming a film using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, exposing the film with active light or radiation, and developing the exposed film using a developer including an organic solvent, in which the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a compound having a partial structure represented by General Formula (I).