10-phenylphenoxathiinium chloride

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 10-phenylphenoxathiinium chloride
• 英文别名: 10-Phenylphenoxathiin-5-ium;chloride；10-phenylphenoxathiin-5-ium;chloride
• 化学式: C₁₈H₁₃OS*Cl
• 分子量: 312.82
• InChiKey: MYLJFIVABIWTAJ-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.89
• 重原子数：
  21.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  9.23
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  10-phenylphenoxathiinium chloride 在 盐酸 、 硫酸 作用下， 以 水 、 氯苯 为溶剂， 反应 8.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  Salt and photoresist composition containing the same

  摘要：

  一种由化学式（X）表示的盐：其中Q1和Q2分别独立表示氟原子等，L1和L2分别独立表示C1-C17二价饱和碳氢化合物基团，环W1表示C3-C36饱和碳氢化合物环，R2在每次出现时独立表示一个羟基等，s表示0到2的整数，Z+表示有机对离子，W10表示由化学式（X-1）表示的基团：其中环W2表示一个C4-C36饱和碳氢化合物环，其中一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-替代，但至少一个C4-C36饱和碳氢化合物环中的-CH2-被-CO-替代，R3在每次出现时独立表示C1-C6烷基基团等，t表示0到2的整数，或由化学式（X-2）表示的基团：其中环W3表示一个C3-C36饱和碳氢化合物环，R4在每次出现时独立表示一个羟基等，R5在每次出现时独立表示一个C1-C6烷基基团等，v表示1到3的整数，w表示0到2的整数。

  公开号：

  US09346750B2
• 作为产物：
  描述：

  吩恶噻 在 三甲基氯硅烷 、 双氧水 、 溶剂黄146 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 17.0h， 生成 10-phenylphenoxathiinium chloride
  参考文献：
  名称：

  Salt and photoresist composition containing the same

  摘要：

  一种由化学式（X）表示的盐：其中Q1和Q2分别独立表示氟原子等，L1和L2分别独立表示C1-C17二价饱和碳氢化合物基团，环W1表示C3-C36饱和碳氢化合物环，R2在每次出现时独立表示一个羟基等，s表示0到2的整数，Z+表示有机对离子，W10表示由化学式（X-1）表示的基团：其中环W2表示一个C4-C36饱和碳氢化合物环，其中一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-替代，但至少一个C4-C36饱和碳氢化合物环中的-CH2-被-CO-替代，R3在每次出现时独立表示C1-C6烷基基团等，t表示0到2的整数，或由化学式（X-2）表示的基团：其中环W3表示一个C3-C36饱和碳氢化合物环，R4在每次出现时独立表示一个羟基等，R5在每次出现时独立表示一个C1-C6烷基基团等，v表示1到3的整数，w表示0到2的整数。

  公开号：

  US09346750B2

文献信息

• SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20160090355A1

  公开（公告）日：2016-03-31

  A sulfonium salt of formula (0-1) is provided wherein W is alkylene or arylene, R 01 is a monovalent hydrocarbon group, m is 0, 1 or 2, k is an integer: 0≦k≦5+4m, R 101 , R 102 and R 103 are a monovalent hydrocarbon group, or at least two of R 101 , R 102 and R 103 may bond together to form a ring with the sulfur atom, and L is a single bond, ester, sulfonic acid ester, carbonate or carbamate bond. A resist composition comprising the sulfonium salt as PAG exhibits a very high resolution when processed by EB and EUV lithography. A pattern with minimal LER is obtainable.

  提供一种化学式为（0-1）的磺鎓盐，其中W是烷基或芳基，R01是一价碳氢基团，m为0、1或2，k为整数：0≦k≦5+4m，R101、R102和R103是一价碳氢基团，或者R101、R102和R103中至少两个可以相互结合形成与硫原子的环，L是单键、酯、磺酸酯、碳酸酯或氨基甲酸酯键。包含磺鎓盐作为PAG的抗蚀组成物在经过电子束或极紫外光刻过程时表现出非常高的分辨率。可获得具有最小LER的图案。
• オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  申请人：信越化学工業株式会社

  公开号：JP2020066600A

  公开（公告）日：2020-04-30

  【課題】パターン形成時の解像性を向上し、かつ、ＬＥＲの低減されたパターンを得ることができるネガ型レジスト組成物を与えるクエンチャーとして有用な化合物、これを含むネガ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】下記式（Ａ）で表されるオニウム塩、及び該オニウム塩とベースポリマーとを含むネガ型レジスト組成物。［式中、Ｒ1は、ヘテロ原子を含んでいてもよい１価炭化水素基である。環Ｒは、下記式（Ａ１）で表される基、又は脂環式構造を有する基であり、該脂環式構造を有する基の炭素原子の一部が、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子を含む基で置換されていてもよい。Ｚ+は、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。］【選択図】なし

  本发明提供了一种有用的化合物作为淬灭剂，可以提高模式形成时的分辨率，并获得低LER的负型光阻组合物，以及包含该化合物的负型光阻组合物和制备光阻模式的方法。所述淬灭剂包括下式（A）所示的硫酸盐，并且所述负型光阻组合物包括所述硫酸盐和基础聚合物。其中，R1是可以包含杂原子的一价碳化氢基。环R表示下式（A1）所示的基或具有脂环式结构的基，其中脂环式结构的一部分碳原子可以被包含硫、氧或氮原子的基所取代。Z+是亚砜盐离子或碘盐离子。【选图】无
• POLYMER COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION, LAMINATE, AND RESIST PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3127928A1

  公开（公告）日：2017-02-08

  The present invention provides a polymer compound containing a repeating unit shown by the formula (1c) and one or more repeating units selected from a repeating unit shown by the formula (2) and a repeating unit shown by the formula (3), wherein Mb+ represents a sulfonium cation shown by the formula (a) or an iodonium cation shown by the formula (b), This polymer compound is suitable as a base resin of a resist composition capable of forming a resist film that allows pattern formation with extremely high resolution, small LER, and excellent rectangularity.

  本发明提供了一种聚合物化合物，它含有式（1c）所示的重复单元和一个或多个重复单元，这些重复单元选自式（2）所示的重复单元和式（3）所示的重复单元、 其中 Mb+ 代表式（a）所示的锍阳离子或式（b）所示的碘阳离子、 这种聚合物化合物适合用作抗蚀剂组合物的基体树脂，这种抗蚀剂组合物能够形成具有极高分辨率、极小 LER 和极佳矩形度的抗蚀剂薄膜。
• ONIUM SALT, NEGATIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3644122A1

  公开（公告）日：2020-04-29

  A negative resist composition comprising an onium salt having formula (A) and a base polymer is provided. The resist composition exhibits a high resolution during pattern formation and forms a pattern with minimal LER.

  提供了一种由具有式（A）的鎓盐和基质聚合物组成的负性抗蚀剂组合物。这种抗蚀剂组合物在图案形成过程中具有高分辨率，并能形成具有最小 LER 的图案。
• Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US11036136B2

  公开（公告）日：2021-06-15

  An onium salt of arenesulfonic acid having a bridged ring-containing group generates a bulky acid having an appropriate strength and controlled diffusion. When a positive resist composition comprising the onium salt and a base polymer is processed by lithography, a pattern of rectangular profile having high resolution and reduced LER is formed.

  具有桥接含环基团的壬磺酸鎓盐可生成具有适当强度和可控扩散的笨重酸。当使用光刻法加工由鎓盐和基质聚合物组成的正抗蚀剂组合物时，可形成具有高分辨率和较低 LER 的矩形轮廓图案。