strontium diisopropoxide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物 - 有机氧化物
• 英文名称: strontium diisopropoxide
• 英文别名: strontium isopropoxide；Sr(O-isoC3H7)2；Sr(O-iPr)2；Sr(Oi-Pr)2；Sr(OiPr)2；Sr isopropoxide
• 化学式: C₆H₁₄O₂Sr
• 分子量: 205.796
• InChiKey: HVVYSMCUYPAIKL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.63
• 重原子数：
  5.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  23.06
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  strontium diisopropoxide 、 aluminum isopropoxide 在 H₂O 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  系统中的新化合物 SrO-Al2O3

  摘要：

  一种新的化合物，12SrO·7Al2O3，是由锶和铝的醇盐同时水解制备的无定形材料形成的。它有一个立方晶胞，a = 1.2325 nm。该结构包含四面体AlO4基团和八面体AlO6基团。该化合物在较高温度下分解为 3SrO·Al2O3 和 SrO·Al2O3。

  DOI：

  10.1111/j.1151-2916.1986.tb04732.x
• 作为产物：
  描述：

  异丙醇 在 氢化锶 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 生成 strontium diisopropoxide
  参考文献：
  名称：

  硅脂对金属醇盐的不寻常反应性：结构化学的偶然性

  摘要：

  对湿气敏感的金属醇盐的受控合成需要使用硅脂，以使用玻璃设备对原料进行惰性合成操作，以避免偶然水解。硅氧烷单元（-OSi（Me 3）2）n）与合成醇盐的自发反应通常会导致基于分子金属醇盐的硅氧烷骨架。硅氧烷单元自发地掺入均金属和杂金属醇盐结构单元中会产生新的多核均金属和杂金属醇盐-氧化硅化合物[Ce 2（O t Bu）4 {Me 2 Si（O t Bu）O} 2（NO 3）2 ]（1），[Zr {（O i Pr）2 {Me 2 SiO 2 } Sr {Zr 2（O i Pr）8 }} 2 ]（2）和[Sn 2 In 2 O 2 {Me 2 Si （O i Pr）O}（O i Pr）5 ] 2（3）。这些硅氧烷单元的多功能配位性能使分子方法可以合成要求潜在的MO x -SiO x纳米复合材料的多金属配合物。

  DOI：

  10.1002/zaac.202000474
• 作为试剂：
  描述：

  氢氰酸 、 (E)-3,4-dimethyl-1-phenylpent-2-en-1-one 在 strontium diisopropoxide 、 (1R,2R,6S)-6-(di-para-tolyl(2-methyl-1-propyloxy)methyl)-2-(2'-hydroxyphenoxy)cyclohexanol 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 4.0h， 以100%的产率得到(R)-2-methyl-2-(1-methylethyl)-4-oxo-4-phenylbutanenitrile
  参考文献：
  名称：

  通过氰化物与β,β-二取代α,β-不饱和羰基化合物的共轭加成催化对映选择性构建β-季碳

  摘要：

  使用衍生自 Sr(O(i)Pr)(2) 和新手性配体 5 的锶催化剂，开发了第一个通用催化对映选择性共轭加成氰化物到 β、β-二取代 α、β-不饱和酮和 N-酰基吡咯。该反应表现出优异的对映选择性和广泛的底物范围，使用 0.5-10 mol% 的催化剂。含有 β-季碳的 1,4-加合物仅在 1,2-加合物上产生。锶催化剂的 ESI-MS 分析表明活性催化剂是三金属 Sr/5 = 3:5 配合物。独特的 1,4-选择性部分是由于锶络合物能够促进 1,2-加合物的逆氰化反应和高度对映选择性的共轭氰化反应。

  DOI：

  10.1021/ja1035286

文献信息

• Preparation and characterization of some volatile double isopropoxides of aluminum with alkaline earth metals
  作者：R.C. Mehrotra、Sarla Goel、A.B. Goel、R.B. King、K.C. Nainan

  DOI：10.1016/s0020-1693(00)89637-1

  日期：1978.1

  Abstract Reactions of the alkaline earth metal (Mg, Ca, Sr, Ba) with aluminum isopropoxide in boiling isopropanol in the presence of a mercuric chloride catalyst give the corresponding double alkoxides [M[Al(OPri)4]2]n (n = 1, M =Mg; n = 2, N = Ca, Sr, and Ba) which can be isolated by vacuum distillation or sublimation. Treatment of these double alkoxides with excess of the teritary alcohols tert-butyl

  摘要在氯化汞催化剂存在下，碱土金属（Mg，Ca，Sr，Ba）与异丙醇铝在沸腾的异丙醇中的反应生成相应的双醇盐[M [Al（OPri）4] 2] n（n = 1，M ＝ Mg； n ＝ 2，N ＝ Ca，Sr和Ba），可以通过真空蒸馏或升华将其分离。在沸腾的苯中用过量的叔醇或叔戊醇对这些双醇盐进行处理会导致异丙氧基的部分醇解，从而得到M [Al（OPri）（OR）3] 2（M = Mg， Ca和Sr）或Ba [Al（OPri）2（OR）2] 2（R =叔丁基和叔戊基），它们是挥发性的和单体的。这些双异丙醇中某些质子的质子和碳13 nmr光谱表明，桥接和末端异丙氧基快速交换。
• Effect of Zn, Sr, and Y Addition on Electrical Properties of PZT Thin Films
  作者：Abhishek Dalakoti、Amit Bandyopadhyay、Susmita Bose

  DOI：10.1111/j.1551-2916.2005.00839.x

  日期：2006.3

  We have investigated methods to increase the efficiency of piezoelectric micromachined ultrasonic transducers (pMUTs). pMUTs are driven by a thin piezoelectric layer on a Si membrane. The efficiency of pMUTs can be increased using a film with better ferroelectric properties. We have used Zn, Sr, and Y doping on PZT‐based thin films along the morphotropic phase boundary (MPB) composition to increase their piezoelectric properties. The results obtained were then extended to compositions on both sides of the MPB. The sol–gel method was used to prepare precursor solutions, which were then spin coated on a Pt(100)/Ti/SiO2/Si substrate to prepare the PZT thin films. It was found that Zn and Sr together had the most significant effect on the ferroelectric properties in which a saturation polarization of 108 μC/cm2 and remanent polarization of 54 μC/cm2 were achieved.

  我们研究了提高压电微机械超声换能器 (pMUT) 效率的方法。pMUT 通过 Si 膜上的压电薄层驱动。通过使用具有更好铁电特性的薄膜，可以提高 pMUT 的效率。我们在沿着相界（MPB）组成的 PZT 基薄膜中加入了锌、锶和钇的掺杂，以提高其压电特性。然后将获得的结果扩展到相界的两侧。使用溶胶-凝胶法准备前体溶液，并将其旋涂到 Pt(100)/Ti/SiO₂/Si 基底上以制备 PZT 薄膜。发现锌和锶一起对铁电特性有最显著的影响，其中实现了 108 μC/cm² 的饱和极化和 54 μC/cm² 的剩余极化。
• Group 2 Metal Precursors For Deposition Of Group 2 Metal Oxide Films
  申请人：Lei Xinjian

  公开号：US20100119726A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  This invention is related to Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors and compositions comprising Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors, wherein the polydentate β-ketoiminate precursors incorporate an alkoxy group in the imino portion of the molecule. The compounds and compositions are useful for fabricating metal containing films on substrates such as silicon, metal nitride, metal oxide and other metal layers via chemical vapor deposition (CVD) processes.

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组成物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组成物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基底上如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层上制造含金属的薄膜。
• Electromechanical properties of SrBi2Ta2O9 thin films
  作者：A. L. Kholkin、K. G. Brooks、N. Setter

  DOI：10.1063/1.119782

  日期：1997.10.6

  Weak field piezoelectric coefficient and strain were investigated in ferroelectric SrBi2Ta2O9 (SBT) thin films by means of optical interferometry. Though the maximum polarization and dielectric constant were small enough (7 μC/cm2 and 150, respectively), the piezoelectric coefficient attained 17 pm/V under the dc electric field. This value is comparable with the piezoelectric coefficients reported

  通过光学干涉法研究了铁电 SrBi2Ta2O9 (SBT) 薄膜中的弱场压电系数和应变。尽管最大极化和介电常数足够小（分别为 7 μC/cm2 和 150），但在直流电场下压电系数达到 17 pm/V。该值与先前报道的极化 SBT 陶瓷的压电系数相当。使用 300 kV/cm 的双极驱动场观察到 5⋅10−4 的电致应变。直到 109 个开关脉冲才发现压电疲劳，与极化数据一致。通过使用有效电致伸缩系数为 0.1 m4/C2 的简单电致伸缩方程成功地描述了压电特性和应变。
• Revisiting SrTiO₃as a photoanode for water splitting: development of thin films with enhanced charge separation under standard solar irradiation
  作者：Antonio N. Pinheiro、Edney G. S. Firmiano、Adriano C. Rabelo、Cleocir J. Dalmaschio、Edson R. Leite

  DOI：10.1039/c3ra45066j

  日期：——

  Strontium titanate (SrTiO3) is an n-type semiconductor with high chemical and photochemical stability. This wide band gap oxide has a band gap energy of about 3.2 eV as well as a favorable energy for photocatalysis. In this study, we demonstrate an alternative and superior method to produce Nb-doped and undoped SrTiO3 photoanode thin films based on a colloidal deposition process which possess good

  钛酸锶（SrTiO 3）是具有高化学和光化学稳定性的n型半导体。该宽带隙氧化物具有约3.2eV的带隙能量以及用于光催化的有利能量。在这项研究中，我们演示了一种替代的，优越的方法来生产Nb掺杂和未掺杂的SrTiO 3基于胶体沉积工艺的光阳极薄膜，在标准的日光照射条件下具有良好的活性。甲醇被用作“空穴清除剂”，结果表明，半导体-液体结（SCLJ）的电荷积累并不是控制光电流密度和超电势的重要机制。另外，实验结果表明，光电流密度的优势由掺Nb的SrTiO 3的表面空间电荷层上的电势和非掺杂的氧化物的耗尽层上的复合来控制。