n-butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: n-butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate
• 英文别名: tert-butyldimethylsilyl triflate；TBSOTf；butyldimethylsilyl triflate；trifluoromethylsulfonyloxy--butyldimethylsilane；Butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate；[butyl(dimethyl)silyl] trifluoromethanesulfonate
• 化学式: C₇H₁₅F₃O₃SSi
• 分子量: 264.341
• InChiKey: OEGAMYZOUWNLEO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.86
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  51.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  n-butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate 在 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯 、 tris-(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) 、 正丁基锂 、 lithium tert-butoxide 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 24.5h， 生成 (E)-butyl(methyl)(naphthalen-1-yl)(styryl)silane
  参考文献：
  名称：

  乙烯基，苄基和硼烷基硅烷的不同合成：芳基到烷基1,5-钯的迁移/偶联序列。

  摘要：

  有机硅化合物已广泛用于工业和学术界。关于多种有机硅烷的合成的研究非常吸引人。穿越空间的金属/氢转移可在远程位置实现CH键的功能化，否则很难实现。但是，到目前为止，似乎还没有出现过芳基到烷基1,5-钯的迁移过程。本文报道的是硅上甲基的远程烯烃化，芳基化和硼化，以访问各种乙烯基硅烷，苄基硅烷和硼烷基硅烷，构成基于1,5-钯迁移过程的独特C（sp 3）-H转化。

  DOI：

  10.1002/anie.201914740
• 作为产物：
  描述：

  叔丁基三甲基氯硅烷 、 三氟甲磺酸 反应 24.0h， 生成 n-butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  乙烯基，苄基和硼烷基硅烷的不同合成：芳基到烷基1,5-钯的迁移/偶联序列。

  摘要：

  有机硅化合物已广泛用于工业和学术界。关于多种有机硅烷的合成的研究非常吸引人。穿越空间的金属/氢转移可在远程位置实现CH键的功能化，否则很难实现。但是，到目前为止，似乎还没有出现过芳基到烷基1,5-钯的迁移过程。本文报道的是硅上甲基的远程烯烃化，芳基化和硼化，以访问各种乙烯基硅烷，苄基硅烷和硼烷基硅烷，构成基于1,5-钯迁移过程的独特C（sp 3）-H转化。

  DOI：

  10.1002/anie.201914740

文献信息

• Total Synthesis of Dermostatin A
  作者：Yingchao Zhang、Carolynn C. Arpin、Aaron J. Cullen、Mark J. Mitton-Fry、Tarek Sammakia

  DOI：10.1021/jo2012658

  日期：2011.10.7

  The concise total synthesis of dermostatin A is described. Highlights include a two-directional application of the asymmetric acetate aldol method developed in our lab, a novel diastereotopic-group-selective acetal isomerization for terminus differentiation, and a selective cross-metathesis reaction between a terminal olefin and a trienal. A study of the scope and viability of similar cross-metathesis

  描述了dermostatin A的简明全合成。重点包括在我们实验室中开发的不对称乙酸羟醛方法的双向应用，用于末端区分的新型非对映异构基团选择性乙缩醛异构化以及末端烯烃与三烯醛之间的选择性交叉复分解反应。还描述了对类似的交叉易位反应的范围和生存能力的研究。合成是收敛的，并利用了大致相等复杂性的片段。
• PROCESS FOR CLEANING WAFERS
  申请人：KUMON Soichi

  公开号：US20120211025A1

  公开（公告）日：2012-08-23

  A process for cleaning a wafer having an uneven pattern at its surface. The process includes at least the steps of: cleaning the wafer with a cleaning liquid; substituting the cleaning liquid retained in recessed portions of the wafer with a water-repellent liquid chemical after cleaning; and drying the wafer, wherein the cleaning liquid contains 80 mass % or greater of a solvent having a boiling point of 55 to 200° C., and wherein the water-repellent liquid chemical supplied in the substitution step has a temperature of not lower than 40° C. and lower than a boiling point of the water-repellent liquid chemical thereby imparting water repellency at least to surfaces of the recessed portions.

  一种清洗具有不平整表面的晶圆的方法。该方法至少包括以下步骤：使用清洗液清洗晶圆；在清洗后，用一种防水液体化学物质替换晶圆凹陷部分中保留的清洗液；并将晶圆干燥，其中，清洗液含有80质量%或更多沸点在55至200℃之间的溶剂，替换步骤中提供的防水液体化学物质的温度不低于40℃且低于防水液体化学物质的沸点，从而至少赋予凹陷部分表面防水性。
• Liquid Chemical for Forming Protecting Film
  申请人：KUMON Soichi

  公开号：US20120017934A1

  公开（公告）日：2012-01-26

  Disclosed is a liquid chemical for forming a water-repellent protecting film at least on a surface of a recessed portion of an uneven pattern at the time of cleaning a wafer having a finely uneven pattern at its surface and containing silicon at least a part of the uneven pattern. This liquid chemical contains a silicon compound A represented by the general formula: R 1 a Si(H) b X 4-a-b and an acid A, the acid A being at least one selected from the group consisting of trimethylsilyl trifluoroactate, trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, dimethylsilyl trifluoroactate, dimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, butyldimethylsilyl trifluoroactate, butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, hexyldimethylsilyl trifluoroacetate, hexyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, octyldimethylsilyl trifluoroactate, octyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, decyldimethylsilyl trifluoroacetate and decyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate.

  本发明涉及一种液体化学品，用于在清洗具有表面细微不平整图案并且至少包含硅不平整图案的晶圆时，在凹陷部分的表面上形成防水保护膜。该液体化学品包含一种由通式表示的硅化合物A：R1aSi(H)bX4-a-b和一种酸A，其中酸A至少选择自甲基三氟乙酸基硅烷、甲基三氟甲烷磺酸基硅烷、二甲基三氟乙酸基硅烷、二甲基三氟甲烷磺酸基硅烷、丁基二甲基硅烷三氟乙酸酯、丁基二甲基硅烷三氟甲烷磺酸酯、己基二甲基硅烷三氟乙酸酯、己基二甲基硅烷三氟甲烷磺酸酯、辛基二甲基硅烷三氟乙酸酯、辛基二甲基硅烷三氟甲烷磺酸酯、十基二甲基硅烷三氟乙酸酯和十基二甲基硅烷三氟甲烷磺酸酯组成的群体中至少选取一种。
• Process for cleaning wafers
  申请人：Kumon Soichi

  公开号：US08828144B2

  公开（公告）日：2014-09-09

  A process for cleaning a wafer having an uneven pattern at its surface. The process includes at least the steps of: cleaning the wafer with a cleaning liquid; substituting the cleaning liquid retained in recessed portions of the wafer with a water-repellent liquid chemical after cleaning; and drying the wafer, wherein the cleaning liquid contains 80 mass % or greater of a solvent having a boiling point of 55 to 200° C., and wherein the water-repellent liquid chemical supplied in the substitution step has a temperature of not lower than 40° C. and lower than a boiling point of the water-repellent liquid chemical thereby imparting water repellency at least to surfaces of the recessed portions.

  一种清洗表面不平的晶片的方法。该方法至少包括以下步骤：使用清洗液清洗晶片；在清洗后，用一种防水液体化学品替换晶片凹陷部分中保留的清洗液；并使晶片干燥，其中清洗液含有80质量%或更多的沸点为55到200°C的溶剂，供应于替换步骤中的防水液体化学品的温度不低于40°C，低于防水液体化学品的沸点，从而至少使凹陷部分的表面具有防水性。
• Liquid chemical for forming protecting film
  申请人：Kumon Soichi

  公开号：US09228120B2

  公开（公告）日：2016-01-05

  Disclosed is a liquid chemical for forming a water-repellent protecting film at least on a surface of a recessed portion of an uneven pattern at the time of cleaning a wafer having a finely uneven pattern at its surface and containing silicon at least a part of the uneven pattern. This liquid chemical contains a silicon compound A represented by the general formula: R1aSi(H)bX4-a-b and an acid A, the acid A being at least one selected from the group consisting of trimethylsilyl trifluoroactate, trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, dimethylsilyl trifluoroactate, dimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, butyldimethylsilyl trifluoroactate, butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, hexyldimethylsilyl trifluoroacetate, hexyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, octyldimethylsilyl trifluoroactate, octyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate, decyldimethylsilyl trifluoroacetate and decyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate.

  本发明涉及一种液体化学品，用于在清洗具有表面微细不均匀图案并且至少包含硅的不均匀图案的晶片时，在凹陷部分的表面上形成防水保护膜。该液体化学品包含一种由通式表示的硅化合物A：R1aSi(H)bX4-a-b和一种酸A，其中酸A至少选自以下组 consisting of trimethylsilyl trifluoroactate，trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate，dimethylsilyl trifluoroactate，dimethylsilyl trifluoromethanesulfonate，butyldimethylsilyl trifluoroactate，butyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate，hexyldimethylsilyl trifluoroacetate，hexyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate，octyldimethylsilyl trifluoroactate，octyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate，decyldimethylsilyl trifluoroacetate和decyldimethylsilyl trifluoromethanesulfonate。