triphenylsulfonium 2-phenoxytetrafluoroethane-1-sulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: triphenylsulfonium 2-phenoxytetrafluoroethane-1-sulfonate
• 英文别名: 1,1,2,2-Tetrafluoro-2-phenoxyethanesulfonate;triphenylsulfanium；1,1,2,2-tetrafluoro-2-phenoxyethanesulfonate;triphenylsulfanium
• 化学式: C₈H₅F₄O₄S*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 536.568
• InChiKey: SESYMJFUQSKCAX-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.58
• 重原子数：
  36
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.08
• 拓扑面积：
  75.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  potassium phenolate 在 lithium hydroxide 、 sodium dithionite 、 copper diacetate 、 水 、 氯 、 碳酸氢钠 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙腈 为溶剂， 生成 triphenylsulfonium 2-phenoxytetrafluoroethane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  Sub-50 nm feature sizes using positive tone molecular glass resists for EUV lithography

  摘要：

  极紫外（EUV）光刻技术是最有前途的下一代光刻技术之一，可用于生产 50 纳米以下的特征尺寸，并可应用于半导体行业。将这一技术与分子玻璃抗蚀剂相结合，是实现高分辨率光刻图案化的有效策略。在本研究中，合成了一系列叔丁氧羰基（t-Boc）保护的 C-4-hydroxyphenyl-calix[4]resorcinarenes 衍生物，并将其作为正色调分子玻璃抗蚀剂进行了评估，以用于 EUV 光刻技术。热分析、傅立叶变换红外光谱和粉末 X 射线衍射证实了这些分子的无定形性质。在图案化和显影后，可获得小至 30 纳米的特征尺寸和较低的线边缘粗糙度（4.5 纳米，3σ）。

  DOI：

  10.1039/b514065j

文献信息

• Sub-50 nm feature sizes using positive tone molecular glass resists for EUV lithography
  作者：Seung Wook Chang、Ramakrishnan Ayothi、Daniel Bratton、Da Yang、Nelson Felix、Heidi B. Cao、Hai Deng、Christopher K. Ober

  DOI：10.1039/b514065j

  日期：——

  Extreme ultra violet (EUV) lithography is one of the most promising next generation lithographic techniques for the production of sub-50 nm feature sizes with applications in the semiconductor industry. Coupling this technique with molecular glass resists is an effective strategy for high resolution lithographic patterning. In this study, a series of tert-butyloxycarbonyl (t-Boc) protected C-4-hydroxyphenyl-calix[4]resorcinarenes derivatives were synthesized and evaluated as positive tone molecular glass resists for EUV lithography. The amorphous nature of these molecules was confirmed using thermal analysis, FTIR and powder X-ray diffraction. Feature sizes as small as 30 nm with low line edge roughness (4.5 nm, 3σ) were obtained after patterning and development.

  极紫外（EUV）光刻技术是最有前途的下一代光刻技术之一，可用于生产 50 纳米以下的特征尺寸，并可应用于半导体行业。将这一技术与分子玻璃抗蚀剂相结合，是实现高分辨率光刻图案化的有效策略。在本研究中，合成了一系列叔丁氧羰基（t-Boc）保护的 C-4-hydroxyphenyl-calix[4]resorcinarenes 衍生物，并将其作为正色调分子玻璃抗蚀剂进行了评估，以用于 EUV 光刻技术。热分析、傅立叶变换红外光谱和粉末 X 射线衍射证实了这些分子的无定形性质。在图案化和显影后，可获得小至 30 纳米的特征尺寸和较低的线边缘粗糙度（4.5 纳米，3σ）。