含硅的超高能隙基质(UGH)已成为具有高热稳定性和三重态能量的高性能基质材料的重要候选材料,用于蓝色磷光有机发光二极管(PhOLED)。但是,这些UGH的最高占据分子轨道(HOMO)通常太深,无法支持设备中平衡的空穴注入和运输。在这里,我们通过在N–Si–N结构中的电子接受芳基硅烷中多次引入咔唑的强供电子单元和高三重态能量单元,提出了一种新的UGH设计策略。一步合成的咔唑-芳基硅烷显示出很高的热稳定性,实验和理论研究相结合,揭示了高位HOMO的三重态能量和电荷迁移率,这是由于N-Si-N结构中σ-π共轭增强所致。令人印象深刻的是,由这些新型N–Si–N键合的UGH承载的蓝色PhOLED表现出高达39.5 cd A的改进的最大电流效率-1,27.4流明的功率效率w ^ -1,和24.2%的外部量子效率,通过调节π共轭的d轨道参与表明在UGHs的设计显著进展,以提高供体的σ-π共轭(D)–受体(A)分子结构。
ultrahigh-energy gap hosts (UGHs) have emerged as important candidates of high-performancehost materials with high thermal stability and tripletenergy for bluephosphorescentorganiclight-emittingdiodes (PhOLEDs). However, the highest occupied molecular orbital (HOMO) of these UGHs are generally too deep to support balanced hole injection and transportation in devices. Here, we propose a new design strategy
含硅的超高能隙基质(UGH)已成为具有高热稳定性和三重态能量的高性能基质材料的重要候选材料,用于蓝色磷光有机发光二极管(PhOLED)。但是,这些UGH的最高占据分子轨道(HOMO)通常太深,无法支持设备中平衡的空穴注入和运输。在这里,我们通过在N–Si–N结构中的电子接受芳基硅烷中多次引入咔唑的强供电子单元和高三重态能量单元,提出了一种新的UGH设计策略。一步合成的咔唑-芳基硅烷显示出很高的热稳定性,实验和理论研究相结合,揭示了高位HOMO的三重态能量和电荷迁移率,这是由于N-Si-N结构中σ-π共轭增强所致。令人印象深刻的是,由这些新型N–Si–N键合的UGH承载的蓝色PhOLED表现出高达39.5 cd A的改进的最大电流效率-1,27.4流明的功率效率w ^ -1,和24.2%的外部量子效率,通过调节π共轭的d轨道参与表明在UGHs的设计显著进展,以提高供体的σ-π共轭(D)–受体(A)分子结构。