2,3,5,6-四氟-4-甲氧基苯甲酸 | 3153-01-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 2,3,5,6-四氟-4-甲氧基苯甲酸
• 中文别名: 4-甲氧基-2,3,5,6-四氟苯甲酸
• 英文名称: 2,3,5,6-tetrafluoro-4-methoxybenzoic acid
• 英文别名: 4-methoxy-2,3,5,6-tetrafluorobenzoic acid；2,3,5,6-Tetrafluor-4-methoxy-benzoesaeure；2,3,5,6-Tetrafluoro-4-methoxybenzoesaeure；2.3.5.6-Tetrafluor-4-methoxy-benzoesaeure；2.3.5.6-Tetrafluor-4-methoxybenzoesaeure；4-Methoxy-tetrafluor-benzoesaeure
• CAS: 3153-01-3
• 化学式: C₈H₄F₄O₃
• mdl: MFCD00129961
• 分子量: 224.112
• InChiKey: MWSDDXXQRTVVDO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.8
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.125
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  7

安全信息

• 海关编码：
  2918990090
• 储存条件：
  2-8°C

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,3,5,6-四氟-4-甲氧基苯甲酸 在 氯化亚砜 、 一水合肼 、 N,N-二甲基甲酰胺 作用下， 以 氯仿 为溶剂， 反应 2.17h， 生成 N,N'-bis(2,3,5,6-tetrafluoro-4-methoxybenzoyl)hydrazide
  参考文献：
  名称：

  天蓝色发射桥接二铱配合物：分子内π–π堆积的有益作用†

  摘要：

  分子内π-π相互作用影响二铱配合物的光物理性质的潜力是一个尚未探讨的话题，并为本研究提供了动力。报道了一系列基于苯基吡啶（ppy）的环金属配体官能化的二芳基肼桥连的二铱配合物。在溶液和单晶X射线分析中的NMR研究表明，桥接配体和环金属配体之间的分子内π-π相互作用使复合物刚性化，从而导致溶液和掺杂膜中的高发光量子效率。桥的苯环上的氟取代基促进分子内π-π相互作用。尤其，这些非共价相互作用在合理设计和合成具有共轭桥键配体的高发射率天蓝色二铱配合物的第一个实例中发挥了重要作用，它们在结构和光物理性质中起着至关重要的作用。实验结果得到了计算研究的支持。

  DOI：

  10.1039/c7dt04201a
• 作为产物：
  描述：

  2,2',3,3',5,5',6,6'-Octafluoro-4,4'-dimethoxy-tolan 在 potassium permanganate 作用下， 生成 2,3,5,6-四氟-4-甲氧基苯甲酸
  参考文献：
  名称：

  多氟芳烃。第九部分 十氟托伦：合成，性质和用作有机金属配体的用途

  摘要：

  二碘乙炔和五氟苯基溴化镁以良好的收率得到十氟甲苯磺酸（C 6 F 5 ·C⋮C·C 6 F 5）。托兰中的三键容易进行催化氢化，添加溴和氧化裂解，但对水合，碘化和羰基化反应相对较弱。十氟甲苯磺酸在4和4'位置与甲醇离子反应，并在用硫加热时，四苯并五氟苯基噻吩的收率很高。甲苯胺与八羰基钴反应生成络合物Co 2（CO）6（C 6 F 5 ·C⋮C·C 6 F 5），其化学和光谱性质表明其结构与烃类似物相似；八氟-4,4'-二甲氧基tolan的行为类似。加热十氟托伦的羰基钴络合物溶液，可得到四氟五氟苯基环戊二烯酮（全氟四环酮）。十氟托伦与五羰基铁或十二羰基铁反应生成复合物Fe 2（CO）6（C 6 F 5 ·C⋮C·C 6 F 5）2，以及全氟四环酮。

  DOI：

  10.1039/j19670000747

文献信息

• ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200223796A1

  公开（公告）日：2020-07-16

  A novel onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by photolithography using KrF or ArF excimer laser, EB or EUV, the resist composition has a high sensitivity and reduced acid diffusion and is improved in exposure latitude, MEF, and LWR.

  提供了一种化学增感剂组合物，其中包括式（1）的新型离子盐作为PAG。当使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV进行光刻工艺处理时，该抗蚀组合物具有高灵敏度、减少酸扩散，并在曝光宽度、MEF和LWR方面得到改善。
• Halogenated esters
  申请人：Imperial Chemical Industries PLC

  公开号：US04853414A1

  公开（公告）日：1989-08-01

  Compounds of formula (I), useful as insecticides and knockdown agents: ##STR1## where Y is C.sub.1-6 alkoxy, Z is halo or C.sub.1-6 alkoxy; R is --(CH.sub.2).sub.p --(O).sub.m --R.sup.3 where m and p may be 0 or 1; R.sup.3 is C.sub.1-6 alkyl, phenyl or benzyl, or when m is 0, R.sup.3 is C.sub.1-6 alkenyl, haloalkenyl, alkynyl or haloalkynyl, and either (a) A and B are both C.sub.1-4 alkyl or (b) A is hydrogen and B is (R.sup.1)(R.sup.2)C.dbd.CH-- where R.sup.1 and R.sup.2 are selected from methyl, chloro, bromo, fluoro and trifluoromethyl.

  式(I)的化合物可作为杀虫剂和击倒剂使用：##STR1##其中Y为C.sub.1-6烷氧基，Z为卤素或C.sub.1-6烷氧基；R为--(CH.sub.2).sub.p --(O).sub.m --R.sup.3，其中m和p可以为0或1；R.sup.3为C.sub.1-6烷基、苯基或苄基，或当m为0时，R.sup.3为C.sub.1-6烯基、卤代烯基、炔基或卤代炔基，且要么(a)A和B都是C.sub.1-4烷基，要么(b)A为氢，B为(R.sup.1)(R.sup.2)C.dbd.CH--，其中R.sup.1和R.sup.2选自甲基、氯、溴、氟和三氟甲基。
• ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200369605A1

  公开（公告）日：2020-11-26

  An onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by lithography, the resist composition exhibits a high sensitivity, minimal LWR and improved CDU independent of whether it is of positive or negative tone.

  提供一种化学式为（1）的铵盐和包括该铵盐作为PAG的化学增感抗蚀组合物。通过光刻加工时，该抗蚀组合物表现出高灵敏度，最小LWR和改善的CDU，无论其为正像还是负像。
• NOVEL SALT COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200159115A1

  公开（公告）日：2020-05-21

  A novel salt having an amide bond in its anion structure is provided. A chemically amplified resist composition comprising the salt has advantages including minimal defects and improved values of sensitivity, LWR, MEF and CDU, when processed by lithography using high-energy radiation such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV.

  提供了一种其阴离子结构中具有酰胺键的新型盐。包含该盐的化学放大型光刻胶组合物具有许多优点，包括在使用高能辐射（如KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束或EUV）进行光刻加工时，缺陷最小、灵敏度、LWR、MEF和CDU值得到改善。
• MONOMER, POLYMER, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20170008982A1

  公开（公告）日：2017-01-12

  A polymer comprising recurring units derived from a polymerizable monomer having two structures of hydroxyphenyl methacrylate having a hydroxy group substituted with an acid labile group is used as base resin in a positive resist composition, especially chemically amplified positive resist composition. The resist composition forms a resist film which is processed by lithography into a pattern of good profile having a high resolution, minimal edge roughness, and etch resistance.

  一种聚合物，包含由可聚合单体衍生的重复单元，该单体具有两种羟基苯甲酸甲酯结构，羟基上取代有酸不稳定基团，作为正性光刻胶组成中的基础树脂，尤其是化学放大正性光刻胶组成中。该光刻胶组成形成一种光刻胶膜，通过光刻技术加工成具有高分辨率、最小边缘粗糙度和蚀刻抗性的良好轮廓图案。