已经合成了含有十三个稠合环的
叠氮二
吡咯亚甲基衍生的多环芳族络合物(HBP),这些化合物在近红外光谱(NIR)区域显示出高选择性,并具有高的光稳定性和热稳定性。外围的烷氧基和烷基取代基极大地影响了它们在薄膜中的分子堆积结构以及它们的薄膜晶体管性能。随着烷基取代基的简单变化,堆积结构从具有H聚集型吸收的离散颗粒变为具有J聚集型吸收的层状堆积,并且从p调节了半导体性能。溶液处理的有机场效应晶体管(OFET)的电子类型变为有趣的双极型,其空穴和电子迁移率分别达到0.42和0.17 cm 2 V -1 s -1。