Cu(I)络合物由于其低成本和理论上高的内部量子效率而被认为是有机发光二极管(OLED)的理想发射体,这是OLED商业化必须考虑的两个重要问题。然而,大多数Cu(I)配合物对升华不稳定,因此不适合通常用于制造OLED的真空沉积方法。为了解决这个问题,已经提出了涉及CuI和
吡啶衍生物的共沉积的共沉积路线,以原位合成Cu(I)复合发光体。由于
化学反应是在真空室内进行的,因此我们系统地研究了反应物
化学结构,反应比和沉积速率对原位的影响合成的Cu(I)配合物及其在OLED中的发射体应用。在最佳
化学反应条件下,该器件在100 cd / m 2的亮度下显示出高达14.2%的高外部量子效率(EQE),对应于45.2 cd / A和33.3 lm / W的电流和功率效率,分别。该性能可与那些具有
铱络合物发射极的高效OLED媲美,同时使用的CuI掺杂剂价格仅为双(
2-苯基吡啶)(
乙酰丙酮)
铱的价格的千分之一。