[M(CH2OC2H4OMe)2], which further decomposes by M–C, C–O and C–C bond cleavages. Complexes 4 and 5 were used as CCVD (combustion chemical vapour deposition) precursors for the deposition of Co3O4, crystalline Mn3O4 and amorphous Mn2O3 thin films on silicon and glass substrates. The deposition experiments were carried out using three different precursor solutions (0.4, 0.6 and 0.8 M) at 400 °C. Depending on the
通过相应的
金属
乙酸盐[ M ( OAc ) 2 ( H _ _ _ 2 O) 4 ] (M = Co, 1 ; M = Mn, 2 ) 和
羧酸 HO 2 CCH 2 OC 2 H 4 OMe ( 3 )。IR 光谱证实了羧基
配体与 M( II )的螯合或 μ-桥接结合模式。分子结构固态下的图5证实了 Mn( II ) 处的扭曲八面体排列,由两个羧基
配体(包括它们的 α-醚氧原子)建立,从而形成一个整体的二维配位网络。用 TG-MS 研究了4和5的热分解行为,揭示了最初发生脱羧反应得到 [M(CH 2 OC 2 H 4 OMe) 2 ],其进一步被 M-C、C-O 和 C-C 分解键断裂。配合物4和5用作 CCVD(燃烧
化学气相沉积)前体,用于沉积 Co 3 O 4、结晶 Mn
硅和
玻璃基板上的3 O 4和非晶 Mn 2 O 3薄膜。使用三种不同的前体溶液(0.4、0.6 和 0.8 M)在 400