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4,4-Dimethyl-10,11-dimethylidene-3,5-dioxatricyclo[5.2.2.02,6]undec-8-ene | 1086051-97-9

中文名称
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中文别名
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英文名称
4,4-Dimethyl-10,11-dimethylidene-3,5-dioxatricyclo[5.2.2.02,6]undec-8-ene
英文别名
——
4,4-Dimethyl-10,11-dimethylidene-3,5-dioxatricyclo[5.2.2.02,6]undec-8-ene化学式
CAS
1086051-97-9
化学式
C13H16O2
mdl
——
分子量
204.269
InChiKey
IQMURQRPZRVASB-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.9
  • 重原子数:
    15
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.54
  • 拓扑面积:
    18.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    丁烷-1,4-二胺4,4-Dimethyl-10,11-dimethylidene-3,5-dioxatricyclo[5.2.2.02,6]undec-8-ene二氯甲烷 为溶剂, 以46%的产率得到2,2-dimethyl-4,9-ethano-3a,4,5,8,9,9a-hexahydronaphto[2,3-d][1,3]dioxole-6,7-dicarbonitrile
    参考文献:
    名称:
    Soluble precursors of 2,3-naphthalocyanine and phthalocyanine for use in thin film transistors
    摘要:
    制备了 2,3-萘酞菁(Nc)和酞菁(Pc)的可溶性前体,并通过旋涂法制造后加热转化为 Pc 和 Nc 的不溶性半导体薄膜。
    DOI:
    10.1039/b811674a
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文献信息

  • NOVEL COMPOUND AND METHOD OF PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
    申请人:Masumoto Akane
    公开号:US20080171403A1
    公开(公告)日:2008-07-17
    A method of producing an organic semiconductor device is provided in which a layer composed of an organic semiconductor having excellent crystallinity and orientation in a low-temperature region can be formed, and the device can be produced in the air. The method includes forming a layer composed of an organic semiconductor precursor on a base body and irradiating the organic semiconductor precursor with light, wherein the organic semiconductor precursor is a porphyrin compound or an azaporphyrin compound having in its molecule at least one of the structure represented by the following general formula (1) or (2):
    提供一种生产有机半导体器件的方法,其中可以在低温区域形成具有优异结晶性和取向性的有机半导体层,并且可以在空气中生产该器件。该方法包括在基体上形成由有机半导体前体组成的层,并用光辐照有机半导体前体,其中有机半导体前体是具有下述一般式(1)或(2)所代表的结构之一的卟啉化合物或氮杂卟啉化合物:
  • US7928221B2
    申请人:——
    公开号:US7928221B2
    公开(公告)日:2011-04-19
  • US8658459B2
    申请人:——
    公开号:US8658459B2
    公开(公告)日:2014-02-25
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