7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def ]chrysene | 1201792-82-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芘
• 英文名称: 7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def ]chrysene
• 英文别名: 7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def]chrysene；Triethyl-[2-[19-(2-triethylsilylethynyl)-8-hexacyclo[10.10.2.02,7.09,23.013,18.020,24]tetracosa-1(23),2,4,6,8,10,12(24),13,15,17,19,21-dodecaenyl]ethynyl]silane；triethyl-[2-[19-(2-triethylsilylethynyl)-8-hexacyclo[10.10.2.02,7.09,23.013,18.020,24]tetracosa-1(23),2,4,6,8,10,12(24),13,15,17,19,21-dodecaenyl]ethynyl]silane
• CAS: 1201792-82-6
• 化学式: C₄₀H₄₂Si₂
• 分子量: 578.944
• InChiKey: NHERTKKOUMLJCY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.69
• 重原子数：
  42
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.3
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三乙基矽乙炔 、 还原黄4 在 正丁基锂 、 盐酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 18.53h， 以42%的产率得到7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def ]chrysene
  参考文献：
  名称：

  四面体封端基团和器件加工条件对7,14-双（乙炔基）二苯并[ b，def ]]的晶体堆积，薄膜特性和OFET空穴迁移率的影响†

  摘要：

  对一系列四面封端的乙炔二苯并二苯衍生物进行建模，然后合成，得到的化合物具有非常相似的电子性质，但根据封端基团的不同，其物理性质也不同。通过改变四面体封端基团的大小，我们对有机晶体管中分子结构与电荷迁移率之间的关系进行了研究。薄膜表征技术（近缘X射线吸收精细结构光谱学，扫描电子显微镜，原子力显微镜和X射线衍射）与有机场效应晶体管（OFET）空穴迁移率数据相结合，以探索分子结构之间的相互作用，分子堆积，衬底电介质和晶体管空穴迁移率。使用这种策略，我们确定了先导化合物TMS-DBC如图2b所示，其具有一维滑动堆叠堆积图案，具有高度的π-π重叠，当沉积在SiO 2 -ODTS衬底上时，空穴迁移率高达0.012 cm 2 V -1 s -1。基板温度和沉积速率的进一步细化导致TMS-DBC 2b实现高达1.17 cm 2 V -1 s -1的空穴迁移率。这些结果表明，四面体封端基团的细微修饰可以改变

  DOI：

  10.1039/c3tc31030b