7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def ]chrysene | 1201792-82-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芘
• 英文名称: 7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def ]chrysene
• 英文别名: 7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def]chrysene；Triethyl-[2-[19-(2-triethylsilylethynyl)-8-hexacyclo[10.10.2.02,7.09,23.013,18.020,24]tetracosa-1(23),2,4,6,8,10,12(24),13,15,17,19,21-dodecaenyl]ethynyl]silane；triethyl-[2-[19-(2-triethylsilylethynyl)-8-hexacyclo[10.10.2.02,7.09,23.013,18.020,24]tetracosa-1(23),2,4,6,8,10,12(24),13,15,17,19,21-dodecaenyl]ethynyl]silane
• CAS: 1201792-82-6
• 化学式: C₄₀H₄₂Si₂
• 分子量: 578.944
• InChiKey: NHERTKKOUMLJCY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.69
• 重原子数：
  42
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.3
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三乙基矽乙炔 、 还原黄4 在 正丁基锂 、 盐酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 18.53h， 以42%的产率得到7,14-bis((triethylsilyl)ethynyl)dibenzo[b,def ]chrysene
  参考文献：
  名称：

  四面体封端基团和器件加工条件对7,14-双（乙炔基）二苯并[ b，def ]]的晶体堆积，薄膜特性和OFET空穴迁移率的影响†

  摘要：

  对一系列四面封端的乙炔二苯并二苯衍生物进行建模，然后合成，得到的化合物具有非常相似的电子性质，但根据封端基团的不同，其物理性质也不同。通过改变四面体封端基团的大小，我们对有机晶体管中分子结构与电荷迁移率之间的关系进行了研究。薄膜表征技术（近缘X射线吸收精细结构光谱学，扫描电子显微镜，原子力显微镜和X射线衍射）与有机场效应晶体管（OFET）空穴迁移率数据相结合，以探索分子结构之间的相互作用，分子堆积，衬底电介质和晶体管空穴迁移率。使用这种策略，我们确定了先导化合物TMS-DBC如图2b所示，其具有一维滑动堆叠堆积图案，具有高度的π-π重叠，当沉积在SiO 2 -ODTS衬底上时，空穴迁移率高达0.012 cm 2 V -1 s -1。基板温度和沉积速率的进一步细化导致TMS-DBC 2b实现高达1.17 cm 2 V -1 s -1的空穴迁移率。这些结果表明，四面体封端基团的细微修饰可以改变

  DOI：

  10.1039/c3tc31030b

文献信息

• The impact of tetrahedral capping groups and device processing conditions on the crystal packing, thin film features and OFET hole mobility of 7,14-bis(ethynyl)dibenzo[b,def]chrysenes
  作者：Ying Shu、Gavin E. Collis、Christopher J. Dunn、Peter Kemppinen、Kevin N. Winzenberg、Rachel M. Williamson、Ante Bilic、Th. Birendra Singh、Mark Bown、Christopher R. McNeill、Lars Thomsen

  DOI：10.1039/c3tc31030b

  日期：——

  atomic force microscopy and X-ray diffraction) were coupled with organic field effect transistor (OFET) hole mobility data to explore the interplay between molecular structure, molecular packing, substrate dielectrics and transistor hole mobility. Using this strategy we identified a lead compound, TMS-DBC 2b, that has a one-dimensional slipped stack packing motif with a high degree of π–π overlap that produces

  对一系列四面封端的乙炔二苯并二苯衍生物进行建模，然后合成，得到的化合物具有非常相似的电子性质，但根据封端基团的不同，其物理性质也不同。通过改变四面体封端基团的大小，我们对有机晶体管中分子结构与电荷迁移率之间的关系进行了研究。薄膜表征技术（近缘X射线吸收精细结构光谱学，扫描电子显微镜，原子力显微镜和X射线衍射）与有机场效应晶体管（OFET）空穴迁移率数据相结合，以探索分子结构之间的相互作用，分子堆积，衬底电介质和晶体管空穴迁移率。使用这种策略，我们确定了先导化合物TMS-DBC如图2b所示，其具有一维滑动堆叠堆积图案，具有高度的π-π重叠，当沉积在SiO 2 -ODTS衬底上时，空穴迁移率高达0.012 cm 2 V -1 s -1。基板温度和沉积速率的进一步细化导致TMS-DBC 2b实现高达1.17 cm 2 V -1 s -1的空穴迁移率。这些结果表明，四面体封端基团的细微修饰可以改变